MD
Maxime Darnon
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Identifiants chercheurs
- maxime-darnon
- 0000-0002-6188-7157
- Google Scholar : https://scholar.google.fr/citations?user=ZRXEV4AAAAAJ&hl=fr
- IdRef : 124051758
Présentation
Publications
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Impact of plasma etching process exposure on the integrity of AlN and AlGaN layers integrated in GaN heterojunction transistors (HEMTs)Journées nationales sur les technologies émergentes en micro-nano fabrication, (JNTE2019), Nov 2019, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-02916150v1
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