Marc Bocquet

Enseignant Chercheur (Professeur des universités) à l'université d'Aix-Marseille.

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Présentation

Professeur des Universités - 63ème section CNU ============================================== Unités de rattachement actuelles -------------------------------- ### Laboratoire de recherche : Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (Im2np) Im2np, UMR CNRS 7334 et Université d'Aix-Marseille <http://www.im2np.fr> Equipe Mémoires - Département ASCE ### Composante d'enseignement : IUT dpt GEII de Marseille <https://iut.univ-amu.fr/departements/geii-marseille> Responsabilités Administratives ### Laboratoire - Depuis 2017 : Co-responsable de l'équipe Mémoires de l'IM2NP - Depuis 2017 : Membre du conseil scientifique de l'IM2NP ### Unité de Formation - 2019-2020 : Co-responsable de la 2ème année du cycle préparatoire intégrée de Polytech Marseille - 2014-2019 : Responsable d'année du département MT de Polytech Marseille - 2012-2014 : Responsable d'un parcours d'enseignement au département MT de Polytech Marseille Diplômes -------- - Juin 2017 : Habilitation à diriger les recherches (HDR), Université d’Aix-Marseille. - Novembre 2009 : Thèse de doctorat en Micro&NanoElectronique de l'INPG, Grenoble. - 2005-2006 : Master NanoTechnologies Université Joseph Fourier, Grenoble, mention bien - 2003-2006 : Diplôme d'ingénieur ENSERG - INPG, Grenoble, mention très bien Activité d'enseignement ----------------------- Volume : Environ 2500 HETD enseignées depuis 2006 Niveaux : Cycle préparatoire (2A), école d'ingénieur (3A-4A-5A), formation continue Matières enseignés : Base de l'électronique numérique, microcontrôleur, électrotechnique, physique et technologie des composants à semi-conducteur, mémoires non-volatiles Thématiques de recherche ------------------------ ### Mots-clefs thématiques : Technologies mémoires émergentes, micro-nanoélectronique, électronique flexible, mémoires non-volatiles, mémoires résistives, RRAM, CBRAM, PCM, FRAM ### Compétences : Microscopie champ proche (AFM, EFM, KPFM, C-AFM), caractérisation électrique sous pointes, modélisation physique, modélisation compacte ### Thèmes : - Modélisation et caractérisation des mémoires innovantes : RRAM, PCRAM, FRAM - Développement technologique de dispositifs mémoires sur support souple\\\\ - Optimisation de nouvelles architectures mémoires de type EEPROM/Flash Projets de recherche -------------------- Implication en tant que participant (P) ou coordinateur (C) : - ANR Neuronic (2019-2023) (C) - IPCEI Nano2022 (2019-2022) (C) - UNICO Chist-ERA (2019-2022) (P) - ANR Reflex (2012-2015) (P) - ANR Dipmem (2012-2015) (P) - Carnot POLYMEM (2014) (P) Expertises Nationales --------------------- - Participation à des jurys de thèse : 2 en tant que président, 4 en tant que rapporteur et 1 en tant que Examinateur - Depuis 2016 : Expertise de dossiers AGIR-PEPS, ANR, IRS, projet region. - 2013 : Membre de la commission de Spécialité de la 63ème section collège B Encadrement doctoral -------------------- - 4 thèses en co-encadrement soutenues - 2 thèses en co-encadrement en cours. - Co-encadrement de thèses sous contrat CIFRE et CTBU CEA. Dissémination scientifique -------------------------- - 105 publications - 25 revues internationales à comité de lecture. - 54 proceedings de conférences internationales à comité de lecture. - 2 articles de vulgarisation scientifiques. - 7 conférences invitées - 1 brevet.

Publications

damien-dlr

	OxRAM+OTS optimization for Binarized Neural Network hardware implementation Joel Minguet Lopez , Tifenn Hirtzlin , Manon Dampfhoffer , Laurent Grenouillet , Lucas Reganaz Semiconductor Science and Technology, 2021, 37 (1), pp.014001. ⟨10.1088/1361-6641/ac31e2⟩ Article dans une revue hal-03418653v1
	Conductive-bridge memory cells based on a nano-porous electrodeposited GeSbTe alloy Charles Rebora , Ruomeng Huang , Gabriela P. Kissling , Marc Bocquet , C H (kees) De Groot Nanotechnology, 2018, ⟨10.1088/1361-6528/aae6db⟩ Article dans une revue hal-01951256v1
	Design and Simulation of a 128 kb Embedded Nonvolatile Memory Based on a Hybrid RRAM (HfO$_2$ )/28 nm FDSOI CMOS Technology Jean-Michel Portal , Marc Bocquet , Santhosh Onkaraiah , Mathieu Moreau , Hassen Aziza IEEE Transactions on Nanotechnology, 2017, 16, pp.677 - 686. ⟨10.1109/TNANO.2017.2703985⟩ Article dans une revue hal-01745418v1
	Resistance controllability and variability improvement in a TaO x -based resistive memory for multilevel storage application A. Prakash , D. Deleruyelle , J. Song , Marc Bocquet , H. Hwang Applied Physics Letters, 2015, 106 (23), pp.233104. ⟨10.1063/1.4922446⟩ Article dans une revue hal-01737306v1
	An Overview of Non-Volatile Flip-Flops Based on Emerging Memory Technologies Jean-Michel Portal , Marc Bocquet , Mathieu Moreau , Hassen Aziza , Damien Deleruyelle Journal of Electronic Science and Technology, 2014, 12 (2), pp.173 - 181. ⟨10.3969/j.issn.1674-862X.2014.02.007⟩ Article dans une revue hal-01745646v1
	Design and analysis of crossbar architecture based on complementary resistive switching non-volatile memory cells W. Zhao , M. Portal , W. Kang , Mathieu Moreau , Y. Zhang Journal of Parallel and Distributed Computing, 2014, 74 (6), pp.2484 - 2496. ⟨10.1016/j.jpdc.2013.08.004⟩ Article dans une revue hal-01744000v1
	Robust Compact Model for Bipolar Oxide-Based Resistive Switching Memories Marc Bocquet , Damien Deleruyelle , Hassen Aziza , Christophe Muller , Jean-Michel Portal IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 61 (3), pp.674 - 681. ⟨10.1109/TED.2013.2296793⟩ Article dans une revue hal-01737291v1
	Compact Modeling Solutions for Oxide-Based Resistive Switching Memories (OxRAM) Marc Bocquet , Hassen Aziza , Weisheng Zhao , Yue Zhang , Santhosh Onkaraiah Journal of Low Power Electronics and Applications, 2014, 4 (1), pp.1-14. ⟨10.3390/jlpea4010001⟩ Article dans une revue hal-01737320v1
	Synchronous Non-Volatile Logic Gate Design Based on Resistive Switching Memories Weisheng Zhao , Mathieu Moreau , Erya Deng , Yue Zhang , Jean-Michel Portal IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2014, 61 (2), pp.443 - 454. ⟨10.1109/TCSI.2013.2278332⟩ Article dans une revue hal-01743999v1
	Operation and stability analysis of bipolar OxRRAM-based Non-Volatile 8T2R SRAM as solution for information back-up H. Hraziia , Adam Makosiej , Giorgio Palma , Jean-Michel Portal , Marc Bocquet Solid-State Electronics, 2013, 90, pp.99-106. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.045⟩ Article dans une revue hal-01744003v1
	Non-Volatile Flip-Flop Based on Unipolar ReRAM for Power-Down Applications Jean-Michel Portal , Marc Bocquet , Damien Deleruyelle , Christophe Muller Journal of Low Power Electronics, 2012, 8 (1), pp.1 - 10. ⟨10.1166/jolpe.2012.1172⟩ Article dans une revue hal-01745507v1
	Ge2Sb2Te5 layer used as solid electrolyte in conductive-bridge memory devices fabricated on flexible substrate D. Deleruyelle , Magali Putero , T. Ouled-Khachroum , Marc Bocquet , M.V. Coulet Solid-State Electronics, 2012, ⟨10.1016/j.sse.2012.06.010⟩ Article dans une revue emse-00767177v1
	Self-consistent physical modeling of set/reset operations in unipolar resistive-switching memories Marc Bocquet , Damien Deleruyelle , Christophe Muller , Jean-Michel Portal Applied Physics Letters, 2011, 98 (26), ⟨10.1063/1.3605591⟩ Article dans une revue hal-01779321v1

	Ge-Se-Sb-N-based OTS scaling perspectives for high-density 1S1R crossbar arrays J. Minguet Lopez , N. Castellani , L. Grenouillet , L. Reganaz , G. Navarro 2021 IEEE INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW), May 2021, Dresde, Germany. pp.107-110, ⟨10.1109/IMW51353.2021.9439606⟩ Communication dans un congrès hal-03622145v1
	Impact of a Laser Pulse On HfO$_2$-based RRAM Cells Reliability and Integrity A. Krakovinsky , Marc Bocquet , R. Wacquez , J. Coignus , D. Deleruyelle 2016 INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES (ICMTS), 2016, Unknown, Unknown Region. pp.152-156 Communication dans un congrès hal-01435097v1
	Investigation of the potentialities of Vertical Resistive RAM (VRRAM) for neuromorphic applications G. Piccolboni , G. Molas , M. Portal , R. Coquand , Marc Bocquet 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2015, Washington, United States. pp.17.2.1-17.2.4, ⟨10.1109/IEDM.2015.7409717⟩ Communication dans un congrès hal-01804658v1
	Fabrication and characterization of ECM memories based on a Ge2Sb2Te5 solid electrolyte Charles Rebora , Marc Bocquet , T. Ouled-Khachroum , Magali Putero , Damien Deleruyelle 2014 10th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Jun 2014, Grenoble, France. ⟨10.1109/PRIME.2014.6872754⟩ Communication dans un congrès hal-01804660v1
	Synchronous Full-Adder based on Complementary Resistive Switching Memory Cells Y Zhang , Erya y Deng , Jacques-Olivier O Klein , Damien Querlioz , Dafiné Ravelosona 11th International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), Jun 2013, Paris, France. ⟨10.1109/NEWCAS.2013.6573578⟩ Communication dans un congrès hal-01840795v1
	Analytical study of complementary memristive synchronous logic gates Jean-Michel Portal , Mathieu Moreau , Marc Bocquet , Hassen Aziza , Damien Deleruyelle 2013 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Jul 2013, Brooklyn, United States. ⟨10.1109/NanoArch.2013.6623047⟩ Communication dans un congrès hal-01745759v1
	Crossbar architecture based on 2R complementary resistive switching memory cell Weisheng Zhao , Y Zhang , Jacques-Olivier Klein , Damien S Querlioz , Dafine Ravelosona 2012 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures , Jul 2012, Amsterdam, Netherlands. ⟨10.1145/2765491.2765508⟩ Communication dans un congrès hal-01745351v1
	Design challenges for prototypical and emerging memory concepts relying on resistance switching Christophe Muller , D. Deleruyelle , O. Ginez , Jean-Michel Portal , Marc Bocquet 2011 IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC 2011), Sep 2011, San Jose, CA, United States. ⟨10.1109/CICC.2011.6055316⟩ Communication dans un congrès hal-01745644v1
	On the electrical variability of resistive-switching memory devices based on NiO oxide S Tirano , Marc Bocquet , Christophe Muller , D. Deleruyelle , L. Perniola 2011 IEEE 42nd Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), Dec 2011, Arlington, United States Communication dans un congrès hal-01745633v1

Marc Bocquet

Présentation

Publications

OxRAM+OTS optimization for Binarized Neural Network hardware implementation

Conductive-bridge memory cells based on a nano-porous electrodeposited GeSbTe alloy

Design and Simulation of a 128 kb Embedded Nonvolatile Memory Based on a Hybrid RRAM (HfO$_2$ )/28 nm FDSOI CMOS Technology

Resistance controllability and variability improvement in a TaO x -based resistive memory for multilevel storage application

An Overview of Non-Volatile Flip-Flops Based on Emerging Memory Technologies

Design and analysis of crossbar architecture based on complementary resistive switching non-volatile memory cells

Robust Compact Model for Bipolar Oxide-Based Resistive Switching Memories

Compact Modeling Solutions for Oxide-Based Resistive Switching Memories (OxRAM)

Synchronous Non-Volatile Logic Gate Design Based on Resistive Switching Memories

Operation and stability analysis of bipolar OxRRAM-based Non-Volatile 8T2R SRAM as solution for information back-up

Non-Volatile Flip-Flop Based on Unipolar ReRAM for Power-Down Applications

Ge2Sb2Te5 layer used as solid electrolyte in conductive-bridge memory devices fabricated on flexible substrate

Self-consistent physical modeling of set/reset operations in unipolar resistive-switching memories

Ge-Se-Sb-N-based OTS scaling perspectives for high-density 1S1R crossbar arrays

Impact of a Laser Pulse On HfO$_2$-based RRAM Cells Reliability and Integrity

Investigation of the potentialities of Vertical Resistive RAM (VRRAM) for neuromorphic applications

Fabrication and characterization of ECM memories based on a Ge2Sb2Te5 solid electrolyte

Synchronous Full-Adder based on Complementary Resistive Switching Memory Cells

Analytical study of complementary memristive synchronous logic gates

Crossbar architecture based on 2R complementary resistive switching memory cell

Design challenges for prototypical and emerging memory concepts relying on resistance switching

On the electrical variability of resistive-switching memory devices based on NiO oxide