Vasile Heresanu
1
Documents
Identifiants chercheurs
- vasile-heresanu
- ResearcherId : B-8995-2019
- 0000-0001-8267-7231
- IdRef : 077607325
- ResearcherId : http://www.researcherid.com/rid/B-8995-2019
Présentation
Publications
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
Molecular-beam epitaxial growth of tensile-strained and n-doped Ge/Si(001) films using a GaP decomposition sourceThin Solid Films, 2014, 557, pp.70-75. ⟨10.1016/j.tsf.2013.11.027⟩
Article dans une revue
hal-00975160v1
|