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Ultra-fast CV methods (< 10µs) for interface trap spectroscopy and BTI reliability characterization using MOS capacitors

 Tadeu Mota Frutuoso , Xavier Garros , José Lugo-Alvarez , Roméo Kom Kammeugne , Louis David Mohgouk Zouknak , et al.
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022), Mar 2022, Dallas, United States. ⟨10.1109/IRPS48227.2022.9764550⟩
Communication dans un congrès hal-04065065v1

Analysis of MIS-HEMT Device Edge Behavior for GaN Technology Using New Differential Method

 R. Kom Kammeugne , C. Leroux , J. Cluzel , L. Vauche , C. Le Royer , et al.
IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (11), pp.4649-4653. ⟨10.1109/TED.2020.3015466⟩
Article dans une revue cea-02972351v1

Y-Function Based Methodology for Accurate Statistical Extraction of HEMT Device Parameters for GaN Technology

 R. Kom Kammeugne , Romeo Kom Kammeugne , Charles Leroux , Jacques Cluzel , Laura Vauche , et al.
2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Sep 2020, Caen, France. pp.1-4, ⟨10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365637⟩
Communication dans un congrès cea-03167130v1
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