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CV de Pierre MEDREL


Communication dans un congrès7 documents

  • Abhijeet Dasgupta, Arnaud Délias, Pierre Medrel, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus. A New Design Approach of High Efficiency S-band 25 W Mixerless Power Modulator based on High Voltage 50V GaN-HEMT Technology. Asia Pacific Microwave Conference 2016, Dec 2016, New Delhi, India. <hal-01432545>
  • Arnaud Délias, Pierre Medrel, Audrey Martin, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus. Polarisation dynamique de drain et de grille d’amplificateur RF GaN appliqué à un fonctionnement RF impulsionnel à plusieurs niveaux. 19ème Journées Nationales Micoroondes, Jun 2015, Bordeaux, France. 2015. <hal-01243136>
  • Arnaud Délias, Pierre Medrel, Audrey Martin, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus, et al.. GaN based supply modulator for energy efficiency enhancement of active phased array antennas. International Workshop on integrated non linear microwave and millimeter wave circuits - INMMIC, Apr 2014, Belgium. pp.1-4, 2014. <hal-01021946>
  • Pierre Medrel, Arnaud Délias, Patrick Augeau, Audrey Martin, Guillaume Neveux, et al.. Implementation of dual gate and drain dynamic voltage biasing to mitigate load modulation effects of supply modulators in envelope tracking power amplifiers. IEEE Microwave Theory and Techniques Symposium, Jun 2014, United States. pp.1-4, 2014. <hal-01021945>
  • Pierre Medrel, Tibault Reveyrand, Audrey Martin, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus, et al.. Time domain envelope characterisation of power amplifiers for linear and high efficiency design solutions. WAMICON, Apr 2013, Orlando, United States. 2013, <10.1109/WAMICON.2013.6572774>. <hal-00918052>
  • Nourreddine Khélifi, François Torres, Alain Reineix, Pierre Medrel, Philippe Bouysse, et al.. Influence du réseau de découplage sur le PSRR d'un amplificateur RF GaN. 18éme Journées Nationales Microondes, May 2013, Paris, France. pp 1- 4, 2013. <hal-00918219>
  • Pierre Medrel, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, Luc Lapierre, Jean-François Villemazet. Amplification de puissance en technologie GaN en classe B exacte avec la technique de suivi d'enveloppe appliquée sur la grille. 18ème Journées Nationales Microondes, May 2013, Paris, France. pp.1-4, 2013. <hal-00918193>

Article dans une revue3 documents

  • Julien Delprato, Arnaud Délias, Pierre Medrel, Denis Barataud, Michel Campovecchio, et al.. Pulsed gate bias control of GaN HEMTs to improve pulse-to-pulse stability in radar applications. Electronics Letters, IET, 2015, 51 (13), pp.1023-1025. <10.1049/el.2015.1052>. <hal-01286826>
  • Pierre Medrel, Audrey Martin, Tibault Reveyrand, Guillaume Neveux, Denis Barataud, et al.. A 10-W S-band class-B GaN amplifier with a dynamic gate bias circuit for linearity enhancement. International Journal of Microwave and Wireless Technologies, Cambridge University Press/European Microwave Association 2013, pp.1-9. <10.1017/S1759078713000962>. <hal-00939981>
  • Pierre Medrel, Alaaeddine Ramadan, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, Luc Lapierre, et al.. High Efficiency Class-B power amplifier with dynamic gate biasing for improved linearity. Electronic Letters, 2012, 48 (18), pp.1136-1137. <hal-00917960>

Thèse1 document

  • Pierre Medrel. Amplification de puissance linéaire à haut rendement en technologie GaN intégrant un contrôle de polarisation de grille. Electronique. Université de Limoges, 2014. Français. <NNT : 2014LIMO0006>. <tel-01089653>