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Efficiency enhancement ogf GaN power HEMTs by controlling gate source voltage waveform shape

 Alaaeddine Ramadan , Audrey Martin , Tibault Reveyrand , Jean-Michel Nebus , Philippe Bouysse , et al.
European Microwave Conference, 2009, Rome, Italy
Communication dans un congrès hal-00435747v1

Nouvelle architecture Doherty symétrique: Conception d'un amplificateur HEMT GaN 10 Watts bande X

 Cyril Lagarde , Philippe Bouysse , Jean-Michel Nebus , Stéphane Forestier , J.F. Villemazet , et al.
15èmes Journées Nationales Microondes, May 2007, TOULOUSE, France
Communication dans un congrès hal-00197193v1

Amélioration du rendement d'un amplificateur large bande 100Watts par une gestion dynamique de la polarisation de drain.

 Ludovic Bacqué , Philippe Bouysse , Raymond Quéré , L. Lapierre , C. Poumier , et al.
15èmes Journées Nationales Micro-ondes., May 2007, TOULOUSE, France
Communication dans un congrès hal-00194837v1

Amplification de puissance en technologie GaN en classe B exacte avec la technique de suivi d'enveloppe appliquée sur la grille

 Pierre Medrel , Jean-Michel Nebus , Philippe Bouysse , Luc Lapierre , Jean-François Villemazet
18ème Journées Nationales Microondes, May 2013, Paris, France. pp.1-4
Communication dans un congrès hal-00918193v1

Application de la technique Doherty pour l'amélioration des performances des amplificateurs de puissance

 N Dubuc , Claude Duvanaud , Philippe Bouysse
Proc. Journées Nationales Microondes (JNM 2001), May 2001, Poitiers, France
Communication dans un congrès hal-03674052v1

Measurements and control of current/ voltage waveforms of microwave transistors using an harmonic load-pull system for the optimum design of high efficiency power amplifiers

 Denis Barataud , Fabrice Blache , Alain Mallet , Philippe Bouysse , Jean-Michel Nebus , et al.
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, 1999, IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement (ISSN : 0018-9456), 48 (4), pp.835-842. ⟨10.1109/19.779185⟩
Article dans une revue hal-01287614v1

A 10-W S-band class-B GaN amplifier with a dynamic gate bias circuit for linearity enhancement

 Pierre Medrel , Audrey Martin , Tibault Reveyrand , Guillaume Neveux , Denis Barataud , et al.
International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2013, pp.1-9. ⟨10.1017/S1759078713000962⟩
Article dans une revue hal-00939981v1

Impact des effets de piège sur la dynamique grand signal des transistors à effet de champ sur nitrure de gallium

 Raymond Quéré , Tibault Reveyrand , Philippe Bouysse , Poornakarthik Nakkala , Audrey Martin , et al.
Journees Nationales Micro-ondes, May 2013, France. pp.1-4
Communication dans un congrès hal-00918062v1

Study and Design of High Efficiency Switch Mode GaN Power Amplifiers at L-band Frequency

 Alaaeddine Ramadan , Audrey Martin , D. Sardin , Tibault Reveyrand , Jean-Michel Nebus , et al.
International Conference on Advances in Computational Tools for Engineering Applications, ACTEA 2009, Jul 2009, Zouk Mosbeh, Lebanon. pp.117-120, ⟨10.1109/ACTEA.2009.5227923⟩
Communication dans un congrès hal-00758906v1

Nonlinear Electrothermal Modeling of packaged power GaN HEMT for the design of adaptive power amplifiers dedicated to reconfigurable telecom payloads

 D. Sardin , Tibault Reveyrand , Michel Campovecchio , Philippe Bouysse , S. Rochette , et al.
International Microwave Technology and Techniques Workshop "Innovation and Challenges", ESA, May 2008, Noordwijk, Netherlands. pp.21-27
Communication dans un congrès hal-00703343v1

Conception d'un amplificateur de puissance à 2 étages intégrant une préformation de la tension de commande d'entrée

 Alaaeddine Ramadan , Tibault Reveyrand , Jean-Michel Nebus , Philippe Bouysse , L. Lapierre , et al.
17eme Journées Nationales Micro-ondes (JNM 2011), May 2011, Brest, France. pp.1C1
Communication dans un congrès hal-00700380v1

High Power S Band Limiter Simulation with a.

 Emmanuel Gatard , Raphaël Sommet , Philippe Bouysse , Raymond Quéré , M. Stanislawiak , et al.
EuMIC, Oct 2007, Munich, France
Communication dans un congrès hal-00196678v1

40 GHz / 150 ns versatile pulsed measurement system for microwave transistor isothermal characterization

 Jean-Pierre Teyssier , Philippe Bouysse , Zineb Ouarch , Denis Barataud
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 1998, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 46 (12), pp.2043-2052. ⟨10.1109/22.739281⟩
Article dans une revue hal-01287610v1

New trends in characterization and modeling of high power RF devices

 Philippe Bouysse , Denis Barataud , Raphaël Sommet , Raymond Quéré
GAAS, 2001, London, United Kingdom. pp.263--266
Communication dans un congrès hal-01279779v1

Apport des méthodes de l'automatique dans l'analyse et la conception des circuits électroniques non linéaires haute fréquence

 Raymond Quéré , Jean-Michel Nebus , Michel Prigent , Edouard Ngoya , Raphaël Sommet , et al.
Journées d'Etude Automatique et Electronique, 2002, Unknown, Unknown Region
Communication dans un congrès hal-01279573v1
Image document

An Improved Physics-Based Formulation of the Microwave p-i-n Diode Impedance

 Emmanuel Gatard , Raphaël Sommet , Philippe Bouysse , Raymond Quéré
IEEE_J_MWCL, 2007, 17 (3), pp.211--213. ⟨10.1109/lmwc.2006.890483⟩
Article dans une revue hal-00441507v1

High Current - High Speed Dynamic Bias Control System Applied to a 100W Wideband Push-Pull Amplifier

 Ludovic Bacqué , Philippe Bouysse , W. Rebernak , C. Poumier , L. Lapierre , et al.
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2008, 57 (12 - Part 1), pp. 2798-2807. ⟨10.1109/TMTT.2008.2007079⟩
Article dans une revue hal-00660580v1

High Efficiency and Linear Power Amplification for OFDM Signal by Combining Dynamic Bias and Digital Baseband Predistortion

 Ludovic Bacqué , Grégoire Nanfack Nkondem , Philippe Bouysse , Guillaume Neveux , W. Rebernak , et al.
European Microwave Week, Oct 2008, Amsterdam, Netherlands. pp. 1687 - 1690, ⟨10.1109/EUMC.2008.4751799⟩
Communication dans un congrès hal-00660741v1

High Efficiency Class-B power amplifier with dynamic gate biasing for improved linearity

 Pierre Medrel , Alaaeddine Ramadan , Jean-Michel Nebus , Philippe Bouysse , Luc Lapierre , et al.
Electronics Letters, 2012, 48 (18), pp.1136-1137
Article dans une revue hal-00917960v1

High efficiency GaN HEMT switching device with integrated driver for envelope tracking modulators

 Anthony Disserand , Audrey Martin , Philippe Bouysse , Raymond Quéré
2018 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits (INMMIC), Jul 2018, BRIVE LA GAILLARDE, France
Communication dans un congrès hal-02429175v1

A new GaN based high speed and high power switching circuit for envelope tracking modulators

 Patrick Augeau , Philippe Bouysse , Audrey Martin , Jean-Michel Nebus , Raymond Quéré , et al.
International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2014, pp.13-21
Article dans une revue hal-01021944v1

Impact of trapping effects on large modulated signals characteristics of AlGaN/GaN HEMTs

 Raymond Quéré , Guillaume Mouginot , Mohamad Saad El Dine , Jad Faraj , Philippe Bouysse , et al.
5th Space Agency - MOD Round table Workshop on GaN component Technologies, Sep 2010, Netherlands. pp.1-4
Communication dans un congrès hal-00918378v1

Cellule de commutation de puissance à driver intégré

 Olivier Jardel , Raymond Quéré , Stéphane Piotrowicz , Philippe Bouysse , Sylvain Delage , et al.
France, N° de brevet: FR1700205. 2017
Brevet hal-02441348v1

DC/DC converters in normally-ON GaN HEMT technology for the design of RF Power Amplifiers in MMIC technology

 Raymond Quéré , Philippe Bouysse , Audrey Martin , Olivier Jardel , Anthony Disserand , et al.
Wide gap power components in energy conversion , CNES, Apr 2016, Toulouse, France
Communication dans un congrès hal-01309093v1

Réalisation de commutateurs rapides à base de transistors GaN pour des applications de suivi d’enveloppe.

 Olivier Jardel , Stéphane Piotrowicz , Philippe Bouysse , Audrey Martin , Olivier Patard , et al.
19ème Journées Nationales Micoroondes, IMS laboratory, Jun 2015, Bordeaux, France
Communication dans un congrès hal-01243153v1

Polarisation dynamique de drain et de grille d’amplificateur RF GaN appliqué à un fonctionnement RF impulsionnel à plusieurs niveaux

 Arnaud Délias , Pierre Medrel , Audrey Martin , Philippe Bouysse , Jean-Michel Nebus
19ème Journées Nationales Micoroondes, IMS laboratory, Jun 2015, Bordeaux, France
Communication dans un congrès hal-01243136v1

Modulation de polarisation en technologie GaN pour l'Envelope Tracking

 Patrick Augeau , Philippe Bouysse , Audrey Martin , François Torres , Raymond Quéré , et al.
18ème Journées Nationales Microondes, May 2013, Paris, France. pp.1-4
Communication dans un congrès hal-00918196v1

Normally-off AlGaN/GaN Recessed MOS-HEMTs on Normally-on Epitaxial Structures for Microwave Power Applications

 Linh Trinh Xuan , Raphaël Aubry , Olivier Patard , Jean-Claude Jacquet , Piero Gamarra , et al.
Europen Microwave Week, Oct 2016, Londres, United Kingdom
Communication dans un congrès hal-01432290v1

Cellule de commutation de puissance à transistors à effet de champ de type normalement conducteur.

 Olivier Jardel , Raymond Quéré , Stéphane Piotrowicz , Philippe Bouysse , Sylvain L. Delage , et al.
France, N° de brevet: FR3020222. 2015
Brevet hal-01284083v1

A 10Watts, X band GaN HEMT three-way Doherty amplifier based on a new symetrical topology.

 Cyril Lagarde , Philippe Bouysse , Jean-Michel Nebus , S. Forestier , J.F. Villemazet , et al.
Proceedings of the European Microwave Association, 2007, vol. 3, pp. 260 - 267
Article dans une revue hal-00197559v1
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