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CV de Philippe Bouysse


Communication dans un congrès39 documents

  • Linh Trinh Xuan, Raphaël Aubry, Olivier Patard, Jean-Claude Jacquet, Piero Gamarra, et al.. Normally-off AlGaN/GaN Recessed MOS-HEMTs on Normally-on Epitaxial Structures for Microwave Power Applications. Europen Microwave Week, Oct 2016, Londres, United Kingdom. <hal-01432290>
  • Abhijeet Dasgupta, Arnaud Délias, Pierre Medrel, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus. A New Design Approach of High Efficiency S-band 25 W Mixerless Power Modulator based on High Voltage 50V GaN-HEMT Technology. Asia Pacific Microwave Conference 2016, Dec 2016, New Delhi, India. <hal-01432545>
  • Abhijeet Dasgupta, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus, Raymond Quéré. Design of an efficient and wideband two-stage GaN-HEMT power modulator. 8th Wide Bandgap Semiconductors and Components Workshop, Sep 2016, Harwell, United Kingdom. <hal-01432534>
  • Anthony Disserand, Olivier Jardel, Philippe Bouysse, Audrey Martin, Raymond Quéré, et al.. High Switching Speed DC-DC Architecture Based on Normally-On Wide Bandgap HEMT Devices. 8th Wide Bandgap Semiconductors and Components Workshop, Sep 2016, Harwell, United Kingdom. <hal-01432516>
  • Raymond Quéré, Philippe Bouysse, Audrey Martin, Olivier Jardel, Anthony Disserand, et al.. DC/DC converters in normally-ON GaN HEMT technology for the design of RF Power Amplifiers in MMIC technology. Wide gap power components in energy conversion , Apr 2016, Toulouse, France. 2016, <http://cct.cnes.fr/content/cct-edb-20160427-les-composants-de-puissance-%C3%A0-grand-gap-pour-la-conversion-d%C3%A9nergie#anglais>. <hal-01309093>
  • Anthony Disserand, Philippe Bouysse, Audrey Martin, Raymond Quéré, Olivier Jardel, et al.. A New High Speed and High Efficiency GaN HEMT Switching Cell for Envelope Tracking Modulators. Europen Microwave Week, Oct 2016, Londres, United Kingdom. <hal-01432407>
  • Olivier Jardel, Stéphane Piotrowicz, Philippe Bouysse, Audrey Martin, Olivier Patard, et al.. Réalisation de commutateurs rapides à base de transistors GaN pour des applications de suivi d’enveloppe.. 19ème Journées Nationales Micoroondes, Jun 2015, Bordeaux, France. 2015. <hal-01243153>
  • Arnaud Délias, Pierre Medrel, Audrey Martin, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus. Polarisation dynamique de drain et de grille d’amplificateur RF GaN appliqué à un fonctionnement RF impulsionnel à plusieurs niveaux. 19ème Journées Nationales Micoroondes, Jun 2015, Bordeaux, France. 2015. <hal-01243136>
  • Anthony Disserand, Olivier Jardel, Raymond Quéré, Audrey Martin, Philippe Bouysse, et al.. Cellule de commutation à haut rendement et haute vitesse en technologie GaN pour la gestion dynamique de polarisation.. 19ème Journées Nationales Micoroondes, Jun 2015, Bordeaux, France. 2015. <hal-01243144>
  • Pierre Medrel, Arnaud Délias, Patrick Augeau, Audrey Martin, Guillaume Neveux, et al.. Implementation of dual gate and drain dynamic voltage biasing to mitigate load modulation effects of supply modulators in envelope tracking power amplifiers. IEEE Microwave Theory and Techniques Symposium, Jun 2014, United States. pp.1-4, 2014. <hal-01021945>
  • Arnaud Délias, Pierre Medrel, Audrey Martin, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus, et al.. GaN based supply modulator for energy efficiency enhancement of active phased array antennas. International Workshop on integrated non linear microwave and millimeter wave circuits - INMMIC, Apr 2014, Belgium. pp.1-4, 2014. <hal-01021946>
  • Patrick Augeau, Philippe Bouysse, Audrey Martin, François Torres, Raymond Quéré, et al.. Modulation de polarisation en technologie GaN pour l'Envelope Tracking. 18ème Journées Nationales Microondes, May 2013, Paris, France. pp.1-4, 2013. <hal-00918196>
  • Nourreddine Khélifi, François Torres, Alain Reineix, Pierre Medrel, Philippe Bouysse, et al.. Influence du réseau de découplage sur le PSRR d'un amplificateur RF GaN. 18éme Journées Nationales Microondes, May 2013, Paris, France. pp 1- 4, 2013. <hal-00918219>
  • Raymond Quéré, Tibault Reveyrand, Philippe Bouysse, Poornakarthik Nakkala, Audrey Martin, et al.. Impact des effets de piège sur la dynamique grand signal des transistors à effet de champ sur nitrure de gallium. Journees Nationales Micro-ondes, May 2013, France. pp.1-4, 2013. <hal-00918062>
  • Pierre Medrel, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, Luc Lapierre, Jean-François Villemazet. Amplification de puissance en technologie GaN en classe B exacte avec la technique de suivi d'enveloppe appliquée sur la grille. 18ème Journées Nationales Microondes, May 2013, Paris, France. pp.1-4, 2013. <hal-00918193>
  • Pierre Medrel, Tibault Reveyrand, Audrey Martin, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus, et al.. Time domain envelope characterisation of power amplifiers for linear and high efficiency design solutions. WAMICON, Apr 2013, Orlando, United States. 2013, <10.1109/WAMICON.2013.6572774>. <hal-00918052>
  • Raymond Quéré, Raphaël Sommet, Philippe Bouysse, Tibault Reveyrand, Denis Barataud, et al.. Low Frequency Parasitic Effects in RF Transistors and their Impact on Power Amplifier Performances. IEEE Wireless and Microwave Technology Conference (WAMICON), Apr 2012, Cocoa Beach - Floride, United States. pp.1-5, 2012, <10.1109/WAMICON.2012.6208471>. <hal-00707903>
  • Mohamad Saad El Dine, Guillaume Neveux, Denis Barataud, Tibault Reveyrand, Philippe Bouysse, et al.. Système expérimental d'étude de la Pré-distortion d'un amplificateur de puissance commandé en polarisation. 17èmes Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. <hal-00708603>
  • Jérémy Dufraisse, Guillaume Callet, Stéphane Piotrowicz, Eric Chartier, Olivier Jardel, et al.. Caractéristiques électriques des transistors en technologie InAlN/AlN/GaN pour les applications en bande S. 17ème Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. pp.1-4, 2011. <hal-00918189>
  • Jérémy Dufraisse, Guillaume Callet, Olivier Jardel, Eric Chartier, N. Sarazin, et al.. Characterizations of InAlN/AlN/GaN Transistors for S-Band Applications. 6th European Microwave Integrated Circuits Conference, Oct 2011, Manchester, United Kingdom. pp.1-4, 2011. <hal-00918177>
  • Alaaeddine Ramadan, Tibault Reveyrand, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, L. Lapierre, et al.. Conception d'un amplificateur de puissance à 2 étages intégrant une préformation de la tension de commande d'entrée. 17eme Journées Nationales Micro-ondes (JNM 2011), May 2011, Brest, France. pp.1C1, 2011. <hal-00700380>
  • Jean-Michel Nebus, Alaaeddine Ramadan, Philippe Bouysse, Tibault Reveyrand, Denis Barataud, et al.. High Efficiency Two Stage Microwave GaN Power Amplifier with Gate Source Waveform Shaping of the Power Stage. 41st European Microwave Conference, EuMW 2011, Oct 2011, Manshester, United Kingdom. W08 - 23 p., 2011. <hal-00700997>
  • Mohamad Saad El Dine, Tibault Reveyrand, Guillaume Neveux, Philippe Bouysse, Denis Barataud, et al.. A measurement Set-up and methodology combining dynamic biasing and baseband predistorsion for high efficiency and linear amplifier design. 2010 IEEE MTT-S International, May 2010, Anaheim, CA, United States. pp.1070-1073, 2010, <10.1109/MWSYM.2010.5518005>. <hal-00606454>
  • Raymond Quéré, Guillaume Mouginot, Mohamad Saad El Dine, Jad Faraj, Philippe Bouysse, et al.. Impact of trapping effects on large modulated signals characteristics of AlGaN/GaN HEMTs. 5th Space Agency - MOD Round table Workshop on GaN component Technologies, Sep 2010, Netherlands. pp.1-4, 2010. <hal-00918378>
  • Alaaeddine Ramadan, Tibault Reveyrand, Audrey Martin, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, et al.. Efficiency Enhancement of GaN Power Amplifiers over Wide Bandwidth by an Active Control of Gate Source Waveforms. 5th Space Agency - MOD Round Table Workshop on GaN Component Technologies, ESTEC, Sep 2010, Noordwijk, Netherlands. <hal-00643335>
  • Alaaeddine Ramadan, D. Sardin, Tibault Reveyrand, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, et al.. Analyse comparative des classes en commutation (F, F-1, E) pour l'amplification de puissance en technologie GaN. Journées Nationales Micro-ondes (JNM) (2009), May 2009, Grenoble, France. pp. 1C3-1C3, 2009. <hal-00758692>
  • Mohamad Saad El Dine, Grégoire Nanfack Nkondem, Guillaume Neveux, Denis Barataud, Philippe Bouysse, et al.. Caractérisation temporelle. 16ème JNM, May 2009, Grenoble, France. pp.2F10, 2009. <hal-00661162>
  • Alaaeddine Ramadan, Audrey Martin, D. Sardin, Tibault Reveyrand, Jean-Michel Nebus, et al.. Study and Design of High Efficiency Switch Mode GaN Power Amplifiers at L-band Frequency. International Conference on Advances in Computational Tools for Engineering Applications, ACTEA 2009, Jul 2009, Zouk Mosbeh, Lebanon. pp.117-120, 2009, <10.1109/ACTEA.2009.5227923>. <hal-00758906>
  • Alaaeddine Ramadan, Audrey Martin, Tibault Reveyrand, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, et al.. Efficiency enhancement ogf GaN power HEMTs by controlling gate source voltage waveform shape. European Microwave Conference, 2009, Rome, Italy. <hal-00435747>
  • D. Sardin, Tibault Reveyrand, Michel Campovecchio, Philippe Bouysse, S. Rochette, et al.. Nonlinear Electrothermal Modeling of packaged power GaN HEMT for the design of adaptive power amplifiers dedicated to reconfigurable telecom payloads. International Microwave Technology and Techniques Workshop "Innovation and Challenges", ESA, May 2008, Noordwijk, Netherlands. pp.21-27, 2008. <hal-00703343>
  • Ludovic Bacqué, Grégoire Nanfack Nkondem, Philippe Bouysse, Guillaume Neveux, W. Rebernak, et al.. High Efficiency and Linear Power Amplification for OFDM Signal by Combining Dynamic Bias and Digital Baseband Predistortion. European Microwave Week, Oct 2008, Amsterdam, Netherlands. pp. 1687 - 1690, 2008, <10.1109/EUMC.2008.4751799>. <hal-00660741>
  • Emmanuel Gatard, Philippe Bouysse, Raphaël Sommet, Raymond Quéré, M. Stanislawiak, et al.. Simulation d'un limiteur bande S forte puissance a l'aide d'un nouveau modèle non-linéaire de diodes p-i-n.. 15èmes Journées Nationales Microondes., May 2007, TOULOUSE, France. <hal-00196680>
  • Emmanuel Gatard, Raphaël Sommet, Philippe Bouysse, Raymond Quéré, M. Stanislawiak, et al.. High Power S Band Limiter Simulation with a.. EuMIC, Oct 2007, Munich, France. <hal-00196678>
  • Cyril Lagarde, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus, Stéphane Forestier, J.F. Villemazet, et al.. Nouvelle architecture Doherty symétrique: Conception d'un amplificateur HEMT GaN 10 Watts bande X. 15èmes Journées Nationales Microondes, May 2007, TOULOUSE, France. <hal-00197193>
  • Ludovic Bacqué, Philippe Bouysse, Raymond Quéré, L. Lapierre, C. Poumier, et al.. Amélioration du rendement d'un amplificateur large bande 100Watts par une gestion dynamique de la polarisation de drain.. 15èmes Journées Nationales Micro-ondes., May 2007, TOULOUSE, France. <hal-00194837>
  • Michel Campovecchio, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus, Raymond Quéré. High efficiency power amplifiers : Class F and Beyond.. Workshop WMB : Switching mode amplifiers with applications to wireless transmitter design- IEEE MTT-S 2006, 2006, San-Francisco, United States. pp.Inconnu, 2006. <hal-00077636>
  • Emmanuel Gatard, Raphaël Sommet, Christophe Chang, Philippe Bouysse, Raymond Quéré. Modèle thermique non linéaire pour composants microondes de puissance. JNM, 2005, Nantes, France. JNM, 2005. <hal-01279371>
  • Raymond Quéré, Jean-Michel Nebus, Michel Prigent, Edouard Ngoya, Raphaël Sommet, et al.. Apport des méthodes de l'automatique dans l'analyse et la conception des circuits électroniques non linéaires haute fréquence. Journées d'Etude Automatique et Electronique, 2002, Unknown, Unknown or Invalid Region. 2002. <hal-01279573>
  • Philippe Bouysse, Denis Barataud, Raphaël Sommet, Raymond Quéré. New trends in characterization and modeling of high power RF devices. GAAS, 2001, London, United Kingdom. pp.263--266, 2001. <hal-01279779>

Article dans une revue16 documents

  • Julien Delprato, Arnaud Délias, Pierre Medrel, Denis Barataud, Michel Campovecchio, et al.. Pulsed gate bias control of GaN HEMTs to improve pulse-to-pulse stability in radar applications. Electronics Letters, IET, 2015, 51 (13), pp.1023-1025. <10.1049/el.2015.1052>. <hal-01286826>
  • Arnaud Délias, Audrey Martin, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus, Raymond Quéré. Low consumption and High Frequency GaN based Gate Driver Circuit with Integrated PWM. Electronics Letters, IET, 2015, 51 (18), pp.1415-1416. <10.1049/el.2015.0417>. <hal-01243081>
  • Patrick Augeau, Philippe Bouysse, Audrey Martin, Jean-Michel Nebus, Raymond Quéré, et al.. A new GaN based high speed and high power switching circuit for envelope tracking modulators. International Journal of Microwave and Wireless Technologies, Cambridge University Press/European Microwave Association 2014, pp.13-21. <hal-01021944>
  • Poornakarthik Nakkala, Audrey Martin, Michel Campovecchio, Sylvain Laurent, Philippe Bouysse, et al.. Pulsed characterization of trapping dynamics in AlGaN/GaN HEMTs. Electronics Letters, IET, 2013, 49 (22), pp.1406-1407. <10.1049/el.2013.2304>. <hal-00911562>
  • Pierre Medrel, Audrey Martin, Tibault Reveyrand, Guillaume Neveux, Denis Barataud, et al.. A 10-W S-band class-B GaN amplifier with a dynamic gate bias circuit for linearity enhancement. International Journal of Microwave and Wireless Technologies, Cambridge University Press/European Microwave Association 2013, pp.1-9. <10.1017/S1759078713000962>. <hal-00939981>
  • Philippe Bouysse. La genèse de la Commission de la Carte géologique du Monde : une affaire franco-prussienne traversée par deux guerres mondiales. Travaux du Comité français d'Histoire de la Géologie, Comité français d'Histoire de la Géologie, 2012, 3ème série (tome 26, 9), pp.149-192. <hal-01066958>
  • Pierre Medrel, Alaaeddine Ramadan, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, Luc Lapierre, et al.. High Efficiency Class-B power amplifier with dynamic gate biasing for improved linearity. Electronic Letters, 2012, 48 (18), pp.1136-1137. <hal-00917960>
  • Alaaeddine Ramadan, Tibault Reveyrand, Audrey Martin, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, et al.. Two Stage GaN HEMT Amplifier With Gate Source Voltage Shaping for Efficiency Versus Bandwidth Enhancements.. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011, 59 (3), pp.699-706. <10.1109/TMTT.2010.2095033>. <hal-00700232>
  • Alaaeddine Ramadan, Tibault Reveyrand, Audrey Martin, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, et al.. Experimental study on effect of second-harmonic injection at input of classes F and F-1 GaN power amplifiers. Electronics Letters, IET, 2010, 46 (8), pp.570-572. <10.1049/el.2010.0392>. <hal-00580592>
  • Ludovic Bacqué, Philippe Bouysse, W. Rebernak, C. Poumier, L. Lapierre, et al.. High Current - High Speed Dynamic Bias Control System Applied to a 100W Wideband Push-Pull Amplifier. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008, 57 (12 - Part 1), pp. 2798-2807. <10.1109/TMTT.2008.2007079>. <hal-00660580>
  • Cyril Lagarde, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus, S. Forestier, J.F. Villemazet, et al.. A 10Watts, X band GaN HEMT three-way Doherty amplifier based on a new symetrical topology.. Proceedings of the European Microwave Association, 2007, vol. 3, pp. 260 - 267. <hal-00197559>
  • Emmanuel Gatard, Raphaël Sommet, Philippe Bouysse, Raymond Quéré. An Improved Physics-based Formulation of the microwave p-i-n Diode Impedance.. Microwave and Wireless Components Letters., 2007, Volume 17, pp. 211-213. <hal-00198560>
  • Emmanuel Gatard, Raphaël Sommet, Philippe Bouysse, Raymond Quéré. An Improved Physics-Based Formulation of the Microwave p-i-n Diode Impedance. IEEE_J_MWCL, 2007, 17 (3), pp.211--213. <10.1109/lmwc.2006.890483>. <hal-00441507>
  • Denis Barataud, Fabrice Blache, Alain Mallet, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus, et al.. Measurements and control of current/ voltage waveforms of microwave transistors using an harmonic load-pull system for the optimum design of high efficiency power amplifiers. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1999, IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement (ISSN : 0018-9456), 48 (4), pp.835-842. <10.1109/19.779185>. <hal-01287614>
  • Thérèse Bouysse-Cassagne, Philippe Bouysse. La montagne vivante dans l'ombre des dieux. Volcans en feu, lieux de vie et de mort. Autrement, 1998, pp.89-125. <halshs-00665767>
  • Jean-Pierre Teyssier, Philippe Bouysse, Zineb Ouarch, Denis Barataud. 40 GHz / 150 ns versatile pulsed measurement system for microwave transistor isothermal characterization. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1998, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 46 (12), pp.2043-2052. <10.1109/22.739281>. <hal-01287610>

Brevet1 document

  • Olivier Jardel, Raymond Quéré, Stéphane Piotrowicz, Philippe Bouysse, Sylvain L. Delage, et al.. Cellule de commutation de puissance à transistors à effet de champ de type normalement conducteur.. France, N° de brevet: FR3020222. 2015. <hal-01284083>