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pascal dherbecourt

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Documents

Présentation

**Pascal Dherbécourt**, **Professeur des universités** **Section CNU 63 (*Génie électrique, électronique, photonique et systèmes)*** - **Adresse professionnelle :** - **Groupe de Physique des Matériaux - UMR CNRS 6634** - Avenue de l’Université BP 76801 Saint Etienne du Rouvray Cedex - Tel : 02 32 95 51 57 - Email : <pascal.dherbecourt@univ-rouen.fr> **Université de Rouen - IUT – Département Génie Electrique et Informatique Industrielle** - 76821 Mont Saint Aignan Cedex Tel : 02 35 14 63 54 **Septembre 2014 : Habilitation à Diriger des Recherches** Soutenue le 4 septembre 2014 au GPM Université de Rouen Normandie : **« Performances et fiabilité des systèmes: Des télécommunications optiques aux composants électroniques de puissance »** **Juin 2002 : Doctorat en physique** à l’université de Rouen. Thèse soutenue le 21 juin 2002, portant sur **« *l’étude et réalisation d’un générateur d’onde optique modulée en amplitude à très haute fréquence »*.** Application à la caractérisation spectrale des sources lasers et des photorécepteurs rapides type PIN pour les systèmes de télécommunications sur fibres optiques à très haut débit. **Distinction honorifique :** Chevalier dans l’Ordre des Palmes Académiques promotion juillet 2009.

Publications

mohamed-masmoudi

Physical Study of SiC Power MOSFETs Towards HTRB Stress Based on C-V Characteristics

Wadia Jouha , Mohamed Lamine Masmoudi , Ahmed El Oualkadi , Eric Joubert , Pascal Dherbécourt
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2020, 20 (3), pp.506-511. ⟨10.1109/TDMR.2020.2999029⟩
Article dans une revue hal-03174373v1

In‐depth analysis of the static behaviour of a SiC MOSFET and of its associated parameters using both compact modelling and physical simulation

Wadia Jouha , Ahmed El Oualkadi , Pascal Dherbécourt , Mohamed Lamine Masmoudi , Joubert Eric
IET Circuits, Devices & Systems, 2020, 14 (2), pp.222-228. ⟨10.1049/iet-cds.2018.5509⟩
Article dans une revue hal-04355283v1

An Improved SPICE Model for the Study of Electro-thermal Static Behavior for two New Generations of SiC MOSFET

Wadia Jouha , Pascal Dherbécourt , Ahmed El Oualkadi , Eric Joubert , Mohamed Lamine Masmoudi
International Journal of Information Science & Technology, 2019, ⟨10.57675/IMIST.PRSM/ijist-v3i1.44⟩
Article dans une revue hal-02295925v1

Silicon Carbide Power MOSFET Model: An Accurate Parameter Extraction Method Based on the Levenberg–Marquardt Algorithm

Wadia Jouha , Ahmed El Oualkadi , Pascal Dherbécourt , Eric Joubert , Mohamed Lamine Masmoudi
IEEE Transactions on Power Electronics, 2018, 33 (11), pp.9130-9133. ⟨10.1109/TPEL.2018.2822939⟩
Article dans une revue hal-02177905v1

Gate Oxide Degradation of SiC MOSFET under Short-Circuit Aging Tests

S. Mbarek , F. Fouquet , Pascal Dherbécourt , Mohamed Lamine Masmoudi , O. Latry
Microelectronics Reliability, 2016, 64, pp.415-418. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.132⟩
Article dans une revue hal-01954256v1

A 5000h RF life test on 330 W RF-LDMOS transistors for radars applications

O. Latry , Pascal Dherbécourt , K. Mourgues , H. Maanane , P. Sipma
Microelectronics Reliability, 2010, 50 (9-11), pp.1574-1576. ⟨10.1016/j.microrel.2010.07.086⟩
Article dans une revue hal-02267399v1

An Extraction Method of SiC Power MOSFET Threshold Voltage

Ahmed Eloualkaki , Pascal Dherbécourt , Eric Joubert , Mohamed Lamine Masmoudi , Wadia Jouha
3rd International Conference on Electrical and Information Technologies, Nov 2017, Rabat, Morocco. ⟨10.1007/978-3-030-05276-8_2⟩
Communication dans un congrès hal-02295944v1

A new extraction method of SiC power MOSFET threshold voltage using a physical approach

Wadia Jouha , Ahmed El Oualkadi , Pascal Dherbécourt , Eric Joubert , Mohamed Lamine Masmoudi
2017 International Conference on Electrical and Information Technologies (ICEIT), Nov 2017, Rabat, France. pp.1-6, ⟨10.1109/EITech.2017.8255289⟩
Communication dans un congrès hal-02177925v1