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61 résultats

Advanced results on nitride-based HEMTs for microwave power amplification

Jean-Claude de Jaeger , Brahim Benbakhti , S. Boulay , N. Defrance , Christophe Gaquière , et al.
11th International Symposium on Microwave and Optical Technology, ISMOT-2007, Dec 2007, Monte Porzio Catone, Italy
Communication dans un congrès hal-00367426v1

Analysis of thermal effect influence in gallium-nitride-based TLM structures by means of a transport-thermal modeling

Brahim Benbakhti , Michel Rousseau , Ali Soltani , Jean-Claude de Jaeger
IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53 (9), pp.2237-2242. ⟨10.1109/TED.2005.881014⟩
Article dans une revue hal-00127943v1
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Efficient physical-thermal model for thermal effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Michel Rousseau , A. Soltani , Jean-Claude de Jaeger
Applied Physics Letters, 2012, 101 (12), pp.122101. ⟨10.1063/1.4753815⟩
Article dans une revue hal-00787873v1

Physical thermal investigation of GaN Gunn diode for THz wave source

Xing Tang , Michel Rousseau , Christophe Dalle , Jean-Claude de Jaeger
5èmes Journées Térahertz, 2009, Villeneuve d'Ascq, France
Communication dans un congrès hal-00575449v1

Conception et réalisation de transistors de type FP-HEMT AlGaN/GaN

J.C. Gerbedoen , A. Soltani , Michel Rousseau , N. Defrance , Y. Cordier , et al.
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.1D10-1-4
Communication dans un congrès hal-00370331v1

Mise en œuvre d'un modèle physique électrothermique pour la simulation de transistors à effet de champ de puissance

Brahim Benbakhti , Michel Rousseau , Matthieu Werquin , Jean-Claude de Jaeger
Actes des 14èmes Journées Nationales Microndes, May 2005, Nantes, France
Communication dans un congrès hal-00126750v1

Récents résultats et perspectives du laboratoire TIGER dans le domaine des composants HEMT AlGaN/GaN

Sylvain Laurent Delage , Marie-Antoinette Di Forte-Poisson , M. Magis , J. Di Persio , Didier Theron , et al.
14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France
Communication dans un congrès hal-00126466v1

2D-hydrodynamic energy model including breakdown phenomenon for power field effect transistor

Michel Rousseau , Jean-Claude de Jaeger
VLSI Systems Design, 2001, 13, pp.323-328
Article dans une revue hal-00152593v1

Two-dimensional hydrodynamic model including inertia effects in carrier momentum for power millimeter-wave semiconductor devices

Michel Rousseau , J.D. Delemer , Jean-Claude de Jaeger , F. Dessenne
Solid-State Electronics, 2003, 47, pp.1297-1309
Article dans une revue hal-00146093v1

Analytical transport model of AlGaN/GaN HEMT based on electrical and thermal measurement

Jean-Claude Jacquet , Raphaël Aubry , H. Gerard , E. Delos , Nathalie Rolland , et al.
12th European Gallium Arsenide and other compound semiconductors application symposium, Oct 2004, Amsterdam, Netherlands. pp.235-238
Communication dans un congrès hal-00142308v1

Investigation of the mechanism for TiN Schottky formation in AlGaN/GaN HEMTs

J.C. Gerbedoen , A. Soltani , H. Lahreche , M. Mattalah , Michel Rousseau , et al.
17th European Heterostructure Technology Workshop, HeTech'08, 2008, Venice, Italy
Communication dans un congrès hal-00811733v1

Modelling, fabrication and measurement of AlN based photodetectors

Hassan Ali Barkad , Ali Soltani , Michel Rousseau , Jean-Claude de Jaeger
19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide, Diamond 2008, Sep 2008, Sitges, Spain
Communication dans un congrès hal-00811738v1

Thermal behaviour of gate-less AlGaN/GaN heterostructures

Brahim Benbakhti , Michel Rousseau , Ali Soltani , Jacky Laureyns , Jean-Claude de Jaeger
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, Oct 2007, Munich, Germany. pp.104-107, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412658⟩
Communication dans un congrès hal-00284419v1

Physical analysis of thermal effects on the optimization of GaN Gunn diodes

Xing Tang , Michel Rousseau , Christophe Dalle , Jean-Claude de Jaeger
Applied Physics Letters, 2009, 95, pp.142102-1-3. ⟨10.1063/1.3240873⟩
Article dans une revue hal-00473636v1

Power performance of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on (110) silicon substrate at 40 GHz

A. Soltani , J.C. Gerbedoen , Y. Cordier , D. Ducatteau , Michel Rousseau , et al.
IEEE Electron Device Letters, 2013, 34, pp.490-492. ⟨10.1109/LED.2013.2244841⟩
Article dans une revue hal-00809856v1

Physical-thermal modelling of GaN Gunn oscillations

Xing Tang , Michel Rousseau , Jean-Claude de Jaeger
4th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2009, 2009, Italy. pp.168-171
Communication dans un congrès hal-00474493v1

AlGaN/GaN HEMTs : technology and microwave performances

Jean-Claude de Jaeger , N. Caillas , E. Chartier , Gilles Dambrine , S. Delage , et al.
RF & Hyper Europe 2004, 2004, Paris, France
Communication dans un congrès hal-00141961v1

Implementation of a 2D electron-thermal model for power semiconductor devices simulation : application on gallium nitride

Brahim Benbakhti , Michel Rousseau , Jean-Claude de Jaeger
Comsol Multiphysics Conference, 2005, Paris, France
Communication dans un congrès hal-00126464v1

Analyse physique de transistors à effet de champ pour applications hyperfréquences, à l'aide de modèles macroscopiques bidimensionnels

Michel Rousseau
2007
Autre publication scientifique hal-00285774v1

AlGaN/GaN : processing and characterisation at TIGER laboratory

Raphaël Aubry , Damien Ducatteau , Erwan Morvan , B. Grimbert , Thierry Dean , et al.
13th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Applications Symposium, GAAS 2005, 2005, Paris, France
Communication dans un congrès hal-00126465v1

RF characterization and modeling of high density Through Silicon Vias for 3D chip stacking

L. Cadix , A. Farcy , C. Bermond , C. Fuchs , F. Lorut , et al.
18th Materials for Advanced Metallization Conf, Mar 2009, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-00399042v1

Caractérisation en hyperfréquences et modélisation de Vias Traversant le Silicium pour l'intégration de puces tridimensionnelles

L. Cadix , A. Farcy , C. Bermond , C. Fuchs , F. Lorut , et al.
16èmes Journées Nationales Microondes, May 2009, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-00399927v1

Analyse physique de transistors HEMTs AlGaN/GaN élaborés avec la technologie field plate

Brahim Benbakhti , Michel Rousseau , J-C Gerbedoen , Jean-Claude de Jaeger
10èmes Journées de la Matière Condensée, Aug 2006, Toulouse, France
Communication dans un congrès hal-00128165v1

Etude physique des HEMTs à base de nitrure de gallium

M. Elkhou , Michel Rousseau , Jean-Claude de Jaeger
2003, pp.6A-1
Communication dans un congrès hal-00146667v1

Analyse physique et thermique des structures TLM AlGaN/GaN

Brahim Benbakhti , Michel Rousseau , Ali Soltani , Jean-Claude de Jaeger
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, May 2007, Toulouse, France. pp.9B3-1-4
Communication dans un congrès hal-00370328v1
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Investigation of the negative differential resistance reproducibility in AlN/GaN double-barrier resonant tunnelling diodes

Mohamed Boucherit , Ali Soltani , Eva Monroy , Michel Rousseau , D. Deresmes , et al.
Applied Physics Letters, 2011, 99, pp.182109-1-3. ⟨10.1063/1.3659468⟩
Article dans une revue hal-00783409v1
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AlGaN/GaN high electron mobility transistors on diamond substrate obtained through aluminum nitride bonding technology

Mahmoud Abou Daher , Marie Lesecq , Pascal Tilmant , N. Defrance , Michel Rousseau , et al.
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, 2020, 38 (3), pp.033201. ⟨10.1116/1.5143418⟩
Article dans une revue hal-02929037v1
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Dispersion properties and low infrared optical losses in epitaxial AlN on sapphire substrate in the visible and infrared range

Ali Soltani , Arnaud Stolz , Joël Charrier , Maghnia Mattalah , Jean-Claude Gerbedoen , et al.
Journal of Applied Physics, 2014, 115 (16), pp.163515. ⟨10.1063/1.4873236⟩
Article dans une revue hal-00987345v1

Two-dimensional hydrodynamic model including inertia effects in carrier momentum for power millimetre-wave semi-conductor devices

Michel Rousseau , J.D. Delemer , Jean-Claude de Jaeger , F. Dessenne
Solid-State Electronics, 2003, 47, pp.1297-1309
Article dans une revue hal-00146666v1

Etude physique du phénomène de claquage dans les transistors à effet de champ à hétérojonctions

Michel Rousseau , M. Elkhou , Jean-Claude de Jaeger
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France
Communication dans un congrès hal-00152652v1