Mathieu Moreau

**Activités pédagogiques** · **Maître de conférences** à **l’IUT d’Aix-Marseille,** département **Génie Electrique et Informatique Industrielle (GEII)**. Enseignements dans les formations : -**DUT GEII** (BAC+1, BAC+2) **: TP** et **TD** de systèmes électroniques (montages AOP, MOSFET, filtrage actif et passif, oscillateur, PLL, modulation d’amplitude, transmission en bande de base et transposée, …) ; **TP** et **TD** d’électricité et énergie (Lois de Kirchhoff, théorèmes des circuits linéaires, circuits électriques en complexes, diagramme de Bode, régimes permanent et transitoire, transformation de Fourier, …) ; **TP** de Systèmes d’Information Numérique (porte logique de base, logique combinatoire et séquentielle, machine d’état, langage VHDL) ; **Tuteur de stage** (suivi de 2 à 4 étudiants). -**Licences Professionnelles** (BAC+3): **Cours, TD** et **TP** de Traitement numérique du signal ; **Projet tuteurés** (Réalisation d’une modulation numérique sur DSP ; étude et mise en œuvre d’un émetteur/récepteur RF) ; **Tuteur de stage** (suivi de 1 à 2 étudiants). **Activités scientifiques** · **Conception** et **Design** de circuits innovants à base de cellules **mémoires non volatiles** émergentes de types **résistives** \[Oxyde Resistive RAM (**OXRRAM**), Conductive Bridge RAM (**CBRAM**)\]. Développement d’**architectures spécifiques** telles que : architectures « **beyond Von Neumann** » type **neuro-inspiré** ; **cellules mémoires distribuées** dans les cœurs de calcul ; **plan mémoire matriciel** ; **intégration** dans les **circuits sur support souple** à base de matériaux polymères · Etude de **transistors organiques** sur **supports souples** à base de **matériaux polymères semiconducteur** par la **modélisation analytique** des caractéristiques statiques et dynamiques pour une implémentation dans des **outils numériques de CAO** afin de concevoir des **blocs électroniques élémentaires** utilisés dans les puces des **tags RFID**. · Développement de **simulateurs numériques** (en langage fortran) et de **modèles compacts** (avec Mathcad) pour évaluer l'impact des **phénomènes physiques** (effets **électrostatiques** et effets **quantiques**) dans les **composants microélectroniques actifs avancés** (capacité MOS, transistor MOSFET en architecture multi-grilles). · Etude de l'influence des **matériaux innovants** tels que les **diélectriques de grille à forte permittivité "high-k"** (HfO2, Al2O3, ...) et les **semiconducteurs à forte mobilitité** (Ge et semiconducteurs III-V) dans les **composants microélectroniques actifs avancés** (capacité MOS, transistor MOSFET en architecture multi-grilles).