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Radio-frequency and low noise characteristics of SOI technology on plastic for flexible electronics

 A. Lecavelier Des Etangs-Levallois , Marie Lesecq , Francois Danneville , Y. Tagro , Sylvie Lepilliet , et al.
Solid-State Electronics, 2013, 90, pp.73-78. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.049⟩
Article dans une revue istex hal-00914203v1

Impact of the bending on the electroluminescence of flexible InGaN/GaN light-emitting diodes

 Gema Tabares Jimenez , Sarra Mhedhbi , Marie Lesecq , Benjamin Damilano , Julien Brault , et al.
IEEE Photonics Technology Letters, 2016, 28 (15), pp.1661-1664. ⟨10.1109/LPT.2016.2563258⟩
Article dans une revue hal-03270097v1

STARGAN : études de structures avancées de la filière nitrure de gallium (GaN)

 François Lecourt , Yannick Douvry , Marie Lesecq , N. Defrance , Alain Agboton , et al.
Journées Nationales en Nanosciences et Nanotechnologies, J3N 2013, 2013, Marseille, France
Communication dans un congrès hal-00941541v1

Optimization of AlGaN/GaN high electron mobility heterostructues on silicon for low cost power devices operating at 40 GHz

 Stéphanie Rennesson , M. Chmielowska , S. Chenot , Yvon Cordier , François Lecourt , et al.
10th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-10, 2013, Washington, DC, United States
Communication dans un congrès hal-00987956v1

Optical switch using InP optical wire technology

 Marie Lesecq , Maxime Beaugeois , Sophie Maricot , Christophe Boyaval , Christiane Legrand , et al.
Photonic Materials, Devices and Applications II, May 2007, Maspalomas, Spain. pp.659305-1-11, ⟨10.1117/12.721659⟩
Communication dans un congrès hal-00284394v1

Filtrage et démultiplexage en longueur dans les structures microguides InP-InGaAsP

 Maxime Beaugeois , Marie Lesecq , Sophie Maricot , Bernard Pinchemel , Mohamed Bouazaoui , et al.
10èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM, May 2007, Lille, France
Communication dans un congrès hal-00285268v1

Optimization of Al0.29Ga0.71N/GaN high electron mobility heterostructures for high-power/frequency performances

 S. Rennesson , F. Lecourt , N. Defrance , M. Chmielowska , Sébastien Chenot , et al.
IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60, pp.3105-3111. ⟨10.1109/TED.2013.2272334⟩
Article dans une revue hal-00872025v1
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AlGaN/GaN high electron mobility transistors on diamond substrate obtained through aluminum nitride bonding technology

 Mahmoud Abou Daher , Marie Lesecq , Pascal Tilmant , N. Defrance , Michel Rousseau , et al.
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, 2020, 38 (3), pp.033201. ⟨10.1116/1.5143418⟩
Article dans une revue hal-02929037v1

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications

 Marie Lesecq , E. Frayssinet , Marc Portail , M Bah , N. Defrance , et al.
13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020), Oct 2021, Tours, France
Communication dans un congrès hal-04038119v1

Influence of AlN Growth Temperature on the Electrical Properties of Buffer Layers for GaN HEMTs on Silicon

 Yvon Cordier , Remi Comyn , Eric Frayssinet , Mario Khoury , Marie Lesecq , et al.
physica status solidi (a), 2018, 215 (9), ⟨10.1002/pssa.201700637⟩
Article dans une revue hal-03185112v1

Large-signal modeling up to W-band of AlGaN/GaN based high-electron-mobility transistors

 Adrien Cutivet , Philippe Altuntas , N. Defrance , Etienne Okada , Vanessa Avramovic , et al.
10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2015, Paris, France. pp.93-96, ⟨10.1109/EuMIC.2015.7345076⟩
Communication dans un congrès hal-03276915v1

Passive photonic components using InP optical wire technology

 Marie Lesecq , Sophie Maricot , Jean-Pierre Vilcot , Maxime Beaugeois
IET Optoelectronics, 2008, 2, pp.69-75. ⟨10.1049/iet-opt:20060104⟩
Article dans une revue hal-00357302v1

Electrical and thermal analysis of AlGaN/GaN HEMTs transferred onto diamond substrate through an aluminum nitride layer

 Mahmoud Abou Daher , Marie Lesecq , N. Defrance , Etienne Okada , Bertrand Boudart , et al.
Microwave and Optical Technology Letters, 2021, 63 (9), pp.2376-2380. ⟨10.1002/mop.32919⟩
Article dans une revue hal-03249292v1

Characterization and modeling of traps and RF frequency dispersion in AlGaN/AlN/GaN HEMTs

 Hector Sanchez-Martin , Oscar Garcia-Perez , Ignacio Íñiguez-De-La-Torre , Susana Perez , Tomás González , et al.
11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Oct 2016, London, United Kingdom. paper EuMIC10-03, 153-156, ⟨10.1109/EuMIC.2016.7777513⟩
Communication dans un congrès hal-03270103v1

MOVPE growth of buffer layers on 3C-SiC/Si(111) templates for AlGaN/GaN high electron mobility transistors with low RF losses

 Eric Frayssinet , Luan Nguyen , Marie Lesecq , N. Defrance , Maxime Garcia Barros , et al.
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, Jun 2019, Cabourg, France
Communication dans un congrès hal-04038786v1
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Metalorganic chemical vapor phase epitaxy growth of buffer layers on 3C-SiC/Si(111) templates for AlGaN/GaN high electron mobility transistors with low RF losses

 Eric Frayssinet , Luan Nguyen , Marie Lesecq , N. Defrance , Maxime Garcia Barros , et al.
physica status solidi (a), 2020, 217 (7), pp.1900760. ⟨10.1002/pssa.201900760⟩
Article dans une revue hal-02929058v1

AlGaN/GaN HEMTs reported on flexible polyimide substrate

 Marie Lesecq , Virginie Hoel , A. Lecavelier , E. Pichonat , Jean-Claude de Jaeger , et al.
5th Space Agency-MOD Round Table Workshop on GaN Component Technologies, 2010, Netherlands. pp.9-12
Communication dans un congrès hal-00549997v1

Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré on-state

 Hadhemi Lakhdar , Nathalie Labat , Arnaud Curutchet , N. Defrance , Marie Lesecq , et al.
JNM 2017, May 2017, Saint Malo, France
Communication dans un congrès hal-01718864v1

Filtrage et démultiplexage dans les structures microguides InP/InGaAs

 Maxime Beaugeois , Marie Lesecq , Sophie Maricot , Yan Pennec , Abdellatif Akjouj , et al.
Actes de TELECOM'2007 & 5èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2007, Fès, Maroc
Communication dans un congrès hal-00367411v1

Epitaxial growth of AlN thin films at low temperature by magnetron sputtering technique

 Julien Camus , Quentin Simon , Keltouma Aït Aïssa , Salma Bensalem , Laurent Le Brizoual , et al.
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2013, Symposium J - Semiconductor nanostructures towards electronic and optoelectronic device applications IV, 2013, Strasbourg, France
Communication dans un congrès hal-00878878v1
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On the Practical Limitations for the Generation of Gunn Oscillations in Highly Doped GaN Diodes

 S. García-Sánchez , M. Abou Daher , M. Lesecq , L. Huo , R. Lingaparthi , et al.
IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70 (7), pp.3447 - 3453. ⟨10.1109/TED.2023.3271610⟩
Article dans une revue hal-04115233v1

[Invited] Low RF loss buffer layers on 3C-SiC/Si(111) templates for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

 E. Frayssinet , L. Nguyen , Marie Lesecq , N. Defrance , R. Comyn , et al.
13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2019), Jul 2019, Washington, Seattle, United States
Communication dans un congrès hal-04039430v1

Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress

 Hadhemi Lakhdhar , Nathalie Labat , Arnaud Curutchet , N. Defrance , Marie Lesecq , et al.
ESREF 2016, Sep 2016, Händel-Halle, Germany
Communication dans un congrès hal-02462684v1

Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré « on-state »

 Hadhemi Lakhdar , Nathalie Labat , Arnaud Curutchet , N. Defrance , Marie Lesecq , et al.
JNM 2017, May 2017, Saint Malo, France
Communication dans un congrès hal-02462775v1

Wide electrical tunability of a GaInAsP/InP microdisk resonator

 Marie Lesecq , Sophie Maricot , Jean-Pierre Vilcot , Maxime Beaugeois
Optics Letters, 2008, 33, pp.1467-1469. ⟨10.1364/OL.33.001467⟩
Article dans une revue hal-00357305v1

Fabrication, characterization and analysis of AlN thin films grown on HR-silicon by MBE and PVD methods

 N. Defrance , Marie Lesecq , F. Lecourt , Virginie Hoel , Jean-Claude de Jaeger
11th Expert Meeting on Evaluation & Control of Coumpound Semiconductor Materials and Technologies, EXMATEC 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
Communication dans un congrès hal-00801190v1

Fabrication et caractérisation DC de composant HEMTs In(Ga)AlN/GaN sur silicium

 Léon-Thierry Okala , Marie Lesecq , Philippe Altuntas , Jean-Claude de Jaeger
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-01020314v1

Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress

 Hadhemi Lakhdar , Nathalie Labat , Arnaud Curutchet , N. Defrance , Marie Lesecq , et al.
Microelectronics Reliability, 2016
Article dans une revue hal-01718762v1

Composants photoniques passifs en technologie microguide sur InP : conception, fabrication et caracterisation

 Marie Lesecq , Sophie Maricot , Jean-Pierre Vilcot
11èmes Journées Nano-Micro Electronique et Optoélectronique, JNMO 2006, 2006, Aussois, France
Communication dans un congrès hal-00130874v1
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Investigation of electrical activity at the AlN/Si interface using scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy

 Micka Bah , Damien Valente , Marie Lesecq , N. Defrance , Maxime Garcia Barros , et al.
Wocsdice Exmatec 2021, Jun 2021, Bristol (virtual), United Kingdom. pp.131-132
Communication dans un congrès hal-03284079v1
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