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Mid-wave Infrared sensitized InGaAs using Intraband Transition in Doped Colloidal II-VI Nanocrystals

 Adrien Khalili , Mariarosa Cavallo , Tung Huu Dang , Corentin Dabard , Huichen Zhang , et al.
Journal of Chemical Physics, 2023, 158 (9), pp.094702. ⟨10.1063/5.0141328⟩
Article dans une revue hal-04009888v1

Experimental evidence of backward wave on terahertz left-handed transmision lines

 T. Crepin , Jean-Francois Lampin , T. Decoopman , X. Melique , L. Desplanque , et al.
Applied Physics Letters, 2005, 87, pp.104105-1-3
Article dans une revue hal-00125345v1

Mesures de champs électriques ultra-rapides dans les semiconducteurs

 L. Desplanque , Jean-Francois Lampin , F. Mollot
Vèmes Journées des Phénomènes Ultra-Rapides, 2001, Col de Porte, France
Communication dans un congrès hal-00152091v1

Strain relaxation by misfit dislocation array at the GaSb/GaP interface

 S. El Kazzi , L. Desplanque , Christophe Coinon , X. Wallart , Y. Wang , et al.
16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE 2010, 2010, Berlin, Germany
Communication dans un congrès hal-00573658v1

Triangular nanoperforation and band engineering of InGaAs quantum wells: a lithographic route toward Dirac cones in III–V semiconductors

 L Post , Tao Xu , N Franchina Vergel , A. Tadjine , Yannick Lambert , et al.
Nanotechnology, 2019, 30 (15), pp.155301. ⟨10.1088/1361-6528/aafd3f⟩
Article dans une revue hal-02133316v1
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Revisiting Coulomb diamond signatures in quantum Hall interferometers

 N. Moreau , S. Faniel , Fabrice Martins , L. Desplanque , X. Wallart , et al.
Physical Review B, 2022, 105 (11), pp.115144. ⟨10.1103/PhysRevB.105.115144⟩
Article dans une revue hal-03662965v1

InGaAs/Ga(As)Sb nanoscale tunnel junctions grown by selective area molecular beam epitaxy

 Alexandre Bucamp , Christophe Coinon , Sylvie Lepilliet , David Troadec , Gilles Patriarche , et al.
Compound Semiconductor Week 2021, CSW 2021, May 2021, Stockholm (Suède), Sweden
Communication dans un congrès hal-04440037v1

Influence of an interfacial AlxIn1-xSb layer on the strain relaxation and surface morphology of thin GaSb layers epitaxially grown on GaAs(001)

 Mathieu Danoy , Pierre-François Angry , Julien Gavrel , Charlène Brillard , L. Desplanque , et al.
26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2014, Compound Semiconductor Week, CSW 2014, 2014, Montpellier, France
Communication dans un congrès hal-00992670v1

Locating an individual quantum hall island inside a quantum ring

 F. Martins , S. Faniel , M.G. Pala , Hermann Sellier , Serge Huant , et al.
AIP Conference Proceedings, 2012, ISBN 978-0-7354-1194-4, 1566, pp.299-300. ⟨10.1063/1.4848404⟩
Article dans une revue hal-00797345v1

Imaging quantum Hall Coulomb islands inside a quantum ring

 F. Martins , B. Hackens , S. Faniel , V. Bayot , M. Pala , et al.
American Physical Society March Meeting, APS March Meeting 2011, 2011, Dallas, TX, United States
Communication dans un congrès hal-00579036v1

InAs/AlSb HEMTs for cryogenic LNAs at ultra-low power dissipation

 G. Moschetti , N. Wadefalk , P.A. Nilsson , Yannick Roelens , A. Noudeviwa , et al.
Solid-State Electronics, 2011, 64, pp.47-53. ⟨10.1016/j.sse.2011.06.048⟩
Article dans une revue istex hal-00639807v1

Tellurium delta-doped 120nm AlSb/InAs HEMTs : towards sub-100mV electronics

 Yannick Roelens , A. Olivier , L. Desplanque , A. Noudeviwa , Francois Danneville , et al.
68th Device Research Conference, DRC 2010, 2010, United States. pp.53-54, ⟨10.1109/DRC.2010.5551945⟩
Communication dans un congrès hal-00549924v1

100mV noise performances of Te-doped Sb-HEMT

 A. Noudeviwa , A. Olivier , Yannick Roelens , Francois Danneville , Nicolas Wichmann , et al.
8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2010, 2010, Slovakia. pp.25-28, ⟨10.1109/ASDAM.2010.5667012⟩
Communication dans un congrès hal-00549922v1

Optoelectronic THz signal generation and use in component characterization

 Jean-Francois Lampin , L. Desplanque , Tahsin Akalin , Emilien Peytavit , Alexandre Beck , et al.
European Microwave Week, Workshop ‘From THz devices to systems : Design, Modeling, Processes and Characterization', 2007, Munich, Germany
Communication dans un congrès hal-00286331v1

Characterization of insulated gate-gate versus Schottky-gate InAs/AlSb HEMTs

 M. Malmkvist , E. Lefebvre , M. Borg , L. Desplanque , X. Wallart , et al.
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.24-27, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412638⟩
Communication dans un congrès hal-00362728v1

Isolation mésa par gravures humide et sèche des HEMTs AlSb/InAs sur substrat InP

 A. Olivier , T. Gehin , L. Desplanque , X. Wallart , J. Cheng , et al.
11èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2008, 2008, Bordeaux, France
Communication dans un congrès hal-00361522v1
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Strain relief at the GaSb/GaAs interface versus substrate surface treatment and AlSb interlayer thickness

 Y. Wang , P. Ruterana , L. Desplanque , S. El Kazzi , X. Wallart
Journal of Applied Physics, 2011, 109, pp.023509-1-6. ⟨10.1063/1.3532053⟩
Article dans une revue hal-00572649v1

Impact of nanoscale faceting on the electrical properties of in-plane InGaAs/Ga(As)Sb tunnel junctions grown by selective area MBE

 Alexandre Bucamp , Christophe Coinon , Sylvie Lepilliet , David Troadec , Gilles Patriarche , et al.
21 st European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE 2023), Apr 2023, Madrid, Spain, Apr 2023, Madrid, Spain
Communication dans un congrès hal-04332199v1
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Gate length dependent transport properties of in-plane core-shell nanowires with raised contacts

 Alexandre Bucamp , Christophe Coinon , David Troadec , Sylvie Lepilliet , Gilles Patriarche , et al.
Nano Research, 2020, 13 (1), pp.61-66. ⟨10.1007/s12274-019-2572-8⟩
Article dans une revue hal-02974920v1

Morphology and valence band offset of GaSb quantum dots grown on GaP(001) and their evolution upon capping

 L. Desplanque , Christophe Coinon , David Troadec , Pierre Ruterana , Gilles J Patriarche , et al.
Nanotechnology, 2017, 28 (22), pp.225601. ⟨10.1088/1361-6528/aa6f41⟩
Article dans une revue hal-02340903v1

Planar InAs/AlSb HEMTs with ion-implanted isolation

 G. Moschetti , P.A. Nilsson , A. Hallen , L. Desplanque , X. Wallart , et al.
IEEE Electron Device Letters, 2012, 33, pp.510-512. ⟨10.1109/LED.2012.2185480⟩
Article dans une revue hal-00787019v1

Etude morphologique de la croissance par épitaxie par jets moléculaires de GaSb sur substrat GaP

 S. El Kazzi , L. Desplanque , Christophe Coinon , X. Wallart , Y. Wang , et al.
13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 2, 1-4
Communication dans un congrès hal-00572231v1
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Terahertz pulsed-field magneto-spectrometer at room-temperature

 Jean-Francois Lampin , Antoine Pagies , S Barbieri , L. Desplanque , Xavier Wallart , et al.
2019 44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Sep 2019, Paris, France. pp.1-1, ⟨10.1109/IRMMW-THz.2019.8874540⟩
Communication dans un congrès hal-03066230v1

Gravure sélective par voie humide de Ga0.5In0.5Sb et d'Al0.55In0.45Sb en vue de la réalisation de transistors bipolaires à hétérojonction

 E. Mairiaux , L. Desplanque , X. Wallart , Gilles Dambrine , M. Zaknoune
12èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO'08, 2008, St Pierre d'Oléron, France
Communication dans un congrès hal-00361524v1

Transition from Coulomb diamonds to checkerboard-like spectroscopies in a mesoscopic quantum Hall interferometer

 S. Faniel , F. Martins , V. Bayot , B. Hackens , L. Desplanque , et al.
American Physical Society March Meeting, APS March Meeting 2013, 2013, Baltimore, MD, United States
Communication dans un congrès hal-00811774v1

Ultra-fast sampling of THz pulses using post-process bonding of low temperature grown epitaxial layers

 L. Desplanque , Jean-Francois Lampin , F. Mollot
2003, pp.32
Communication dans un congrès hal-00146116v1

An ultra-wide bandwidth photomixer with down conversion at terahertz frequency

 Emilien Peytavit , S. Arscott , D. Lippens , G. Mouret , P. Masselin , et al.
THz 2002. 2002 IEEE Tenth International Conference on Terahertz Electronics, Sep 2002, Cambridge, United Kingdom. pp.23-26, ⟨10.1109/THZ.2002.1037578⟩
Communication dans un congrès hal-02347966v1

Electronic properties of selective area grown semiconductor heterostructures

 N. Peric , Corentin Durand , Louis Biadala , Maxime Berthe , L. Desplanque , et al.
Journées du GDR Nanosciences with near-field microscopy under ultra high vacuum 2021, Nov 2021, Toulouse, France
Communication dans un congrès hal-03606187v1
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Engineering a robust flat band in III-V semiconductor heterostructures

 Nathali Alexandra Franchina Vergel , L. Christiaan Post , Guillaume Fleury , Gilles Patriarche , Tao Xu , et al.
Nano Letters, 2021, 21, pp.680. ⟨10.1021/acs.nanolett.0c04268⟩
Article dans une revue hal-03089743v1

Scanning gate transconductance microscopy and spectroscopy of a mesoscopic ring

 B. Hackens , F. Martins , S. Faniel , V. Bayot , M. Pala , et al.
American Physical Society March Meeting, APS March Meeting 2011, 2011, Dallas, TX, United States
Communication dans un congrès hal-00579035v1
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