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CV de laetitia laude


Chapitre d'ouvrage2 documents

  • David Alis, Laetitia Laude. Le développement des IAE au sein des universités françaises : un travail d’institutionnalisation. Presses Universitaires de Rennes. Collaborations et réseaux : approches transversales en management, pp.195-228, 2016, Les réseaux comme solution à certains problèmes des organisations, 978-2-7535-4984-5. <halshs-01354768>
  • Laetitia Laude, David Alis. Tous leaders : le leadership au quotidien des dirigeants d'hôpital. Jean-Marie Peretti. Tous Leaders, Eyrolles, pp.129-140, 2011, 978-2-212-54986-7. <halshs-01142500>

Communication dans un congrès2 documents

  • Sophia Gavault, Laetitia Laude, Baret Christophe. L'institutionnalisation des pôles d'activité médicale entre agir stratégique et agir projectif. IIème Congrès ARAMOS : Elaborer et piloter des projets dans les organisations sanitaires et médico-sociales : acteurs, savoirs, outils, May 2014, Marseile, France. 2014. <halshs-01093123>
  • Laetitia Laude, Christophe Vignon, Mathias Waelli. Ethnographie et GRH : la rencontre improbable. 3ème COLLOQUE INTERNATIONAL FRANCOPHONE SUR LES METHODES QUALITATIVES "Du Singulier à l 'Universel", Jun 2011, Montpellier, France. 18 p., 2011. <halshs-00601143>

Article dans une revue6 documents

  • C. Beaucourt, L. Laude. Diriger : une analyse de la relation dynamique entre compromis et transgression. Revue Internationale de Psychosociologie, 2010, XVI, pp.205-220. <hal-00803092>
  • M. Wautelet, L. Laude. MECHANISMS OF MELTING OF SILICON. Journal de Physique Colloques, 1983, 44 (C5), pp.C5-49-C5-53. <10.1051/jphyscol:1983506>. <jpa-00223086>
  • M. Wautelet, R. Andrew, M. Failly-Lovato, L. Laude. LASER-INDUCED METASTABLE STATES IN AMORPHOUS SEMICONDUCTORS. Journal de Physique Colloques, 1981, 42 (C4), pp.C4-395-C4-398. <10.1051/jphyscol:1981485>. <jpa-00220942>
  • R. Andrew, L. Baufay, L. Laude, M. Lovato, M. Wautelet. LASER ANNEALING OF ELEMENTAL AND COMPOUND SEMICONDUCTOR FILMS. Journal de Physique Colloques, 1980, 41 (C4), pp.C4-71-C4-74. <10.1051/jphyscol:1980411>. <jpa-00219926>
  • L. Laude. ÉTATS DE SURFACE DU SILICIUM (III). Journal de Physique Colloques, 1973, 34 (C6), pp.C6-34-C6-34. <10.1051/jphyscol:1973608>. <jpa-00215329>
  • J.P. David, L. Capella, L. Laude, S. Martinuzzi. Étude de la préparation et des propriétés électriques de couches minces semiconductrices d'antimoniure d'aluminium. Revue de Physique Appliquee, 1966, 1 (3), pp.172-178. <10.1051/rphysap:0196600103017201>. <jpa-00242710>