Karine Isoird

Maître de Conférences Université Paul Sabatier / LAAS-CNRS

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0000-0002-2878-6952
IdRef : 069501416

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Karine ISOIRD (ORCID : 0000-0002-2878-6952) est née à Sète (France) en 1973. Son doctorat obtenu en 2001 à l'INSA-LYON, portait sur la caractérisation électrique et OBIC des composnats de puissance SiC haute température et haute tension. Depuis 2003, elle est maître de conférences (MCF) à l'Université Paul Sabatier de Toulouse (Toulouse III) et a intégré l'équipe ISGE (Intégration des Systèmes pour la Gestion de l'Energie) au sein du laboratoire LAAS, équipe dont elle est responsable depuis 2021. Elle a rejoint le LAAS sur le thème des nouvelles structures MOS en silicium. Depuis 2006, ses recherches se sont étendues et concentrées sur les dispositifs semiconducteurs à large bande interdite (GaN, SiC et diamant) et principalement sur le diamant au travers de plusieurs projets ANR DIAMOOND, MOVeToDiam et LAPIN113 et FUI DIAMONIX, DIAMONIX2 sur le développement de la filière Diamant pour les composants de puissance. Elle a coordonné le projet ANR MOVeToDiam (2017 - 2022). Ces projets nationaux ont l’avantage de fédérer tous les acteurs français de la filière technologique diamant, du matériau au packaging, en passant par le composant. Elle a participé à la supervision de plusieurs 8 thèses de doctorat dont 2 sont en cours. Elle est co-auteur de plus de 32 publications dans des revues scientifiques, 38 dans des conférences internationales et 23 dans des conférences nationales. Expert membre de l'OMNT de 2012 à 2018 (Observatoire des micro et nanotechnologies), sur le thème des matériaux à large bande interdite. Elle enseigne au sein du département EEA (Électronique, Énergie Électrique et Automatique) de la Faculté des Science et Ingénierie (FSI) de l'Université Toulouse III.3 dans les domaines suiavnts : • L’électronique numérique au niveau L1 et L3 • L’électronique au sens pratique, c’est à dire l’utilisation des appareils de mesures et la mise en œuvre des concepts pour réaliser des systèmes. Ces enseignements sont réalisés en L1, L2 et L3 • La physique des semiconducteurs et des composants, thématiques en lien avec son activité de recherche, enseignements dispensés en Master 1 et 2

Domaines de recherche

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Compétences

Simulation, Fabrication et Caractérisation de composant de puissance à semiconducteur grand gap

Publications

	Comprehensive characterization of vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes P. Vigneshwara Raja , Christophe Raynaud , Camille Sonneville , Atse Julien Eric N’dohi , Hervé Morel Microelectronics Journal, 2022, 128, pp.105575. ⟨10.1016/j.mejo.2022.105575⟩ Article dans une revue hal-03826217v1
	Micro-Raman characterization of homo-epitaxial n doped GaN layers for vertical device applications Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Luong Viet Phung , Thi Huong Ngo , Philippe de Mierry AIP Advances, 2022, 12 (2), pp.025126. ⟨10.1063/5.0082860⟩ Article dans une revue hal-03582833v1
	Contribution to Silicon-Carbide-MESFET ESD robustness analysis Tanguy Phulpin , Karine Isoird , David Trémouilles , Patrick Austin , X. Perpinya IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2018, 18 (2), pp.214-223. ⟨10.1109/TDMR.2018.2817255⟩ Article dans une revue hal-01740513v1
	Diamond Schottky diodes operating at 473 K Richard Monflier , Karine Isoird , Alain Cazarré , Josiane Tasselli , Alexandra Servel EPE Journal - European Power Electronics and Drives, 2017, 27 (3), pp.118-124. ⟨10.1080/09398368.2017.1388625⟩ Article dans une revue hal-01618095v1
	Design optimisation of the deep trench termination for superjunction power devices Sylvain Noblecourt , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin , Josiane Tasselli International Journal of Microelectronics and Computer Science, 2015, 6 (4), pp.117-123 Article dans une revue hal-01955656v1
	Design and realisation of deep trench superjunction diode dor 600 V applications Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin European Journal of Electrical Engineering, 2015, ⟨10.3166/EJEE.17.345-361⟩ Article dans une revue hal-01280199v1
	High termination efficiency using polyimide trench for high voltage diamond Schottky diode Houssam Arbess , Karine Isoird , Moustafa Zerarka , Henri Schneider , Marie-Laure Locatelli Diamond and Related Materials, 2015, 58, pp.149-154. ⟨10.1016/j.diamond.2015.07.006⟩ Article dans une revue hal-01218796v1
	Failure Analysis of ESD-stressed SiC MESFET Tanguy Phulpin , David Trémouilles , Karine Isoird , Dominique Tournier , Philippe Godignon Microelectronics Reliability, 2015, 55 (9-10), pp.1542-1548. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.121⟩ Article dans une revue hal-01176674v1
	Original Field Plate to Decrease the Maximum Electric Field Peak for High-Voltage Diamond Schottky Diode Houssam Arbess , Karine Isoird , Saleem Hamady , Moustafa Zerarka , Dominique Planson IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62 (9), pp. 2945-2951. ⟨10.1109/TED.2015.2456073⟩ Article dans une revue hal-01218835v1
	Analysis of an ESD failure mechanism on a SiC MESFET Tanguy Phulpin , David Trémouilles , Karine Isoird , Dominique Tournier , Philippe Godignon Microelectronics Reliability, 2014, pp.MR11331. ⟨10.1016/j.microrel.2014.07.134⟩ Article dans une revue hal-01059962v1
	Analysis Study of Sensitive Volume and Triggering Criteria of SEB in Super-Junction MOSFETs Moustafa Zerarka , Patrick Austin , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Houssam Arbess IET Circuits, Devices & Systems, 2014, 8 (3), pp.197-204 Article dans une revue hal-01005966v1
	Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin European Journal of Electrical Engineering, 2014, 17 (5-6), pp.345-361. ⟨10.3166/ejee.17.345-361⟩ Article dans une revue hal-01955633v1
	Analysis and Optimization of a Thyristor Structure Using Backside Schottky Contacts Suited for the High Temperature Gaëtan Toulon , Abdelhakim Bourennane , Karine Isoird IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (11), p 3814-3820. ⟨10.1109/TED.2013.2280554⟩ Article dans une revue hal-01019388v1
	An assessment of contact metallization for high power and high temperature diamond Schottky devices Sodjan Koné , Henri Schneider , Karine Isoird , Fabien Thion , Jocelyn Achard Diamond and Related Materials, 2012, vol. 27-28, pp. 23-28. ⟨10.1016/j.diamond.2012.05.007⟩ Article dans une revue hal-00881007v1
	"Comparison of Electrical Behavior of GaN-Based MOS Structures Obtained by Different PECVD Process" Elias Al Alam , Ignasi Cortés , T. Begou , Antoine Goullet , Frédéric Morancho Materials Science Forum, 2012, 711, pp.228-232. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.711.228⟩ Article dans une revue hal-00864740v1
	Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of SiO(2)/GaN interfaces Elias Al Alam , I. Cortes , Marie-Paule Besland , Antoine Goullet , L. Lajaunie Journal of Applied Physics, 2011, 109 (8), pp.084511. ⟨10.1063/1.3572236⟩ Article dans une revue hal-00849472v1
	Thick boron doped diamond single crystals for high power electronics J. Achard , F. Silva , R. Issaoui , O. Brinza , A. Tallaire Diamond and Related Materials, 2011, 20 (2), pp.145-152. ⟨10.1016/j.diamond.2010.11.014⟩ Article dans une revue hal-02441198v1
	Diode Schottky sur diamant CVD. Simulation, réalisation technologique et étude de protection périphérique Sojan Koné , Hui Ding , Fabien Thion , Henri Schneider , Karine Isoird European Journal of Electrical Engineering, 2011, 14 (5), pp.553 - 567. ⟨10.3166/ejee.14.553-567⟩ Article dans une revue hal-01627761v1
	Simulation and design of junction termination structures for diamond Schottky diodes Fabien Thion , Karine Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Hui Ding Diamond and Related Materials, 2011, 20 (5-6), pp.729-732. ⟨10.1016/j.diamond.2011.03.011⟩ Article dans une revue hal-00661491v1
	Conception de transistors MOS haute tension (1 200 volts) pour l'électronique de puissance Loïc Théolier , Hicham Mahfoz-Kotb , Karine Isoird , Frédéric Morancho European Journal of Electrical Engineering, 2010, 13 (2), pp.227-252. ⟨10.3166/ejee.13.227-252⟩ Article dans une revue hal-00991584v1
	CVD diamond Schottky barrier diode, carrying out and characterization S. Koné , G. Civrac , H. Schneider , Karine Isoird , R. Issaoui Diamond and Related Materials, 2010, 19 (7-9), pp.792-795. ⟨10.1016/j.diamond.2010.01.036⟩ Article dans une revue hal-03575952v1
	A New Junction Termination Using a Deep Trench Filled With BenzoCycloButene Loïc Théolier , Hicham Mahfoz-Kotb , Karine Isoird , Frédéric Morancho , Sandrine Assié-Souleille IEEE Electron Device Letters, 2009, 30 (6), pp.687 - 689. ⟨10.1109/LED.2009.2020348⟩ Article dans une revue hal-00991660v1
	Filling of very deep, wide trenches by BenzoCycloButene polymer Hicham Mahfoz-Kotb , Karine Isoird , Frédéric Morancho , Loïc Théolier , Thierry Do Conto Microsystem Technologies, 2009, 15 (9), pp.1395-1400. ⟨10.1007/s00542-009-0894-2⟩ Article dans une revue hal-00991599v1
	Mise en place d'une filière pour la réalisation de composants de puissance en diamant Gabriel Civrac , Henri Schneider , Hui Ding , Karine Isoird , Sodjan Koné Revue Internationale de Génie Électrique, 2009, 12 (2), pp.237-253. ⟨10.3166/ejee.12.237-253⟩ Article dans une revue hal-03575920v1
	Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs Loïc Théolier , Karine Isoird , Henri Tranduc , Frédéric Morancho , Jaume Roig Guitart Microelectronics Journal, 2008, 39 (6), pp.914-921. ⟨10.1016/j.mejo.2007.11.009⟩ Article dans une revue hal-00991676v1
	Experimental validation of the ‘FLoating Islands’ concept: 95 V breakdown voltage vertical FLIDiode S. Alves , Frédéric Morancho , J.-M. Reynes , J. Margheritta , I. Deram IEE Proceedings Circuits Devices and Systems, 2005, 153 (1), pp.53-60. ⟨10.1049/ip-cds:20050048⟩ Article dans une revue hal-04106729v1
	Study of 4H-SiC High-Voltage Bipolar Diodes under Reverse Bias Using Electrical and OBIC Characterization K. Isoird , Mihai Lazar , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud , Dominique Planson Materials Science Forum, 2002, 389-393, pp.1289-1292. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1289⟩ Article dans une revue hal-02151720v1
	Barrier height determination of SiC Schottky diodes by capacitance and current-voltage measurements Christophe Raynaud , Karine Isoird , Mihai Lazar , Cm Johnson , N. Wright Journal of Applied Physics, 2002, 91 (12), pp.9841-9847 Article dans une revue hal-00141477v1
	A Comparative Study of High-Temperature Aluminum Post-Implantation Annealing in 6H- and 4H-SiC, Non-Uniform Temperature Effects Mihai Lazar , Christophe Raynaud , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , K. Isoird Materials Science Forum, 2002, 389-393, pp.827-830. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.827⟩ Article dans une revue hal-02151714v1
	Study of 6H-SiC high voltage bipolar diodes under reverse biases Karine Isoird , Mihai Lazar , Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud Applied Surface Science, 2001, 184 (1-4), pp.477-482. ⟨10.1016/S0169-4332(01)00537-2⟩ Article dans une revue hal-00140118v1
	Study of the Breakdown Voltage of Protected or Non-Protected 6H-SiC Bipolar Diodes by OBIC Characterisation Karine Isoird , Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Dominique Planson , Christophe Raynaud Materials Science Forum, 2000, 338-342, pp.1363-1366. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.1363⟩ Article dans une revue hal-02281030v1
	P-N Junction creation in 6H-SiC by aluminum implantation Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Dominique Planson , Karine Isoird , Jean-Pierre Chante Materials Science and Engineering: B, 1999, 61 (2), pp.424-428 Article dans une revue hal-00141527v1

	Epitaxie localisée de P-GaN par EJM pour la fabrication de HEMTs AlGaN/GaN normally-off Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Yvon Cordier , Aimeric Courville Symposium de génie électrique SGE 2023, Université de Lille, Jul 2023, Lille, France Communication dans un congrès hal-04127127v1
	Vertical pin diodes on large freestanding (100) diamond film M.A. Pinault-Thaury , Mohamed Bouras , Rémi Gillet , Ingrid Stenger , François Jomard 2023 EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY Spring Meeting, EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY, May 2023, Strasbourg, France Communication dans un congrès hal-04219862v1
	Développement de la gravure plasma O2 pour la réalisation de composants de puissance diamant Raid Gourad , Ralph Makhoul , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Alain Cazarré Sysmpsoium de Génie électrique SGE 2023, Université de Lille, Jul 2023, LILLE, France Communication dans un congrès hal-04127068v1
	Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs based on selective area regrowth of a P-GaN gate in nanostructured patterns Daniel Rouly , Patrick Austin , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird EMRS-2022 Fall Meeting European Materials Research Society, Sep 2022, Varsovie, Poland Communication dans un congrès hal-03697766v1
	Multiphysics Characterizations of Vertical GaN Schottky Diodes Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Soufiane Saidi , Thi Huong Ngo , P. de Mierry 2022 Compound Semiconductor Week (CSW), Jun 2022, Ann Arbor, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/CSW55288.2022.9930447⟩ Communication dans un congrès hal-03844585v1
	Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices Zahraa Zaidan , Nedal Al Taradeh , Christophe Rodriguez , Abdelatif Jaouad , Ali Soltani Conférence Euro-méditerranéenne Organisé par Matériaux, Composants et Systèmes (EMCMDS), Nov 2022, Fez, Morocco Communication dans un congrès hal-04303675v1
	Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices Zahraa Zaidan , Nedal Al Taradeh , Christophe Rodriguez , Abdelatif Jaouad , Ali Soltani Conférence Euro-méditerranéenne Matériaux, Composants et Systèmes EMCM-DS, Oct 2022, Fes, Morocco Communication dans un congrès hal-03946187v1
	Design Optimization of a New Nanostructured P-GaN Gate for Normally-off GaN HEMTs Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Chaymaa Haloui , Karine Isoird 29th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2022), Jun 2022, Wroclaw, Poland. ⟨10.23919/MIXDES55591.2022.9838389⟩ Communication dans un congrès hal-03697713v1
	Caractérisation par spectroscopie micro-Raman de diodes GaN Schottky Camille Sonneville , Atse Julien Eric N’dohi , S Saidi , T H Ngo , P. de Mierry Conférence Internationale Matériaux, Oct 2022, Lille, France Communication dans un congrès hal-03844887v1
	Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond Karine Isoird , Josiane Tasselli , Yohann Spiegel , Raid. Gourad , Fuccio Cristiano E-MRS 2022 Fall Meeting., Sep 2022, Warsaw, Poland Communication dans un congrès hal-03766749v1
	Conception de diodes TMBS haute tension (6kV) en diamant Ralph Makhoul , Karine Isoird , Luong Viet Phung , Dominique Planson SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France Communication dans un congrès hal-03355128v1
	High voltage (6kV) diamond TMBS diode design Ralph Makhoul , Karine Isoird , Luong Viet Phung , Dominique Planson 31st International Conference On Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, Palma, Mallorca, Spain Communication dans un congrès hal-03715580v1
	Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type P Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Emmanuel Scheid SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France Communication dans un congrès hal-02918490v2
	Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaN Chaymaa Haloui , Gaëtan Toulon , Josiane Tasselli , Yvon Cordier , Éric Frayssinet SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France Communication dans un congrès hal-02918372v2
	Fabrication and characterization of Si3N4-MIS structures on p-type diamond Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Emmanuel Scheid , Patrick Austin 31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, On line, Spain Communication dans un congrès hal-03445543v1
	Recessed and P-GaN regrowth gate development for normally-off AlGaN/GaN HEMTs Chaymaa Haloui , Toulon Gaëtan , Josiane Tasselli , Yvon Cordier , Éric Frayssinet 28 International Conference MIXED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, Jun 2020, Wroclow, Poland Communication dans un congrès hal-02922723v1
	Ohmic contacts study of P + N diodes on (111) and (100) diamond Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Alain Cazarré 13th IEEE International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS 2019), Jul 2019, Toulouse, France Communication dans un congrès hal-02324743v1
	Optimisation des techniques de microfabrication sur diamant Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Alain Cazarré , Patrick Austin Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM 2019), Jun 2019, Montpellier, France. pp.691 - 697 Communication dans un congrès halshs-02329822v1
	Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaN Chaymaa Haloui , Josiane Tasselli , Karine Isoird , David Trémouilles , Patrick Austin Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM), Jun 2019, Montpellier, France Communication dans un congrès hal-02278808v1
	Développement de briques technologiques pour la réalisation de composants de puissance sur diamant Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Alain Cazarré , Patrick Austin Conférence des Jeunes Chercheurs en Génie Electrique (JCGE 2019), Jun 2019, Oléron, France Communication dans un congrès hal-02324807v1
	Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée Audrey Chapelle , Éric Frayssinet , Yvon Cordier , Yohann Spiegel , Leïla Benmosfeta Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5 Communication dans un congrès hal-02981903v2
	Fiabilité de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques Tanguy Phulpin , Karine Isoird , David Trémouilles , Patrick Austin , Javier Leon Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France Communication dans un congrès hal-01361658v1
	Diodes Schottky diamant fonctionnant à 200°C Richard Monflier , Karine Isoird , Alain Cazarré , Josiane Tasselli , Alexandra Servel Symposium de Génie Electrique, G2Elab, Jun 2016, Grenoble, France Communication dans un congrès hal-01245628v2
	Dynamic of power-GaN-HEMT electrical parameters: Why DC characterization might be misleading Emmanuel Marcault , David Trémouilles , Karine Isoird , Frédéric Morancho , Mathieu Gavelle 18th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'2016), Sep 2016, Karlsruhe, Germany. ⟨10.1109/EPE.2016.7695492⟩ Communication dans un congrès hal-01556254v1
	Robustesse de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques Tanguy Phulpin , David Trémouilles , Karine Isoird , Patrick Austin , M Vellvehi SGE Symposium de Génie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France Communication dans un congrès hal-01310299v1
	Mesure de résistance dynamique de HEMT en GaN à l'échelle de la centaine de nanosecondes Emmanuel Marcault , David Trémouilles , Karine Isoird , Gaëtan Toulon , Frédéric Morancho Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France Communication dans un congrès hal-01361669v1
	An improved junction termination design using deep trenches for superjunction power devices Sylvain Noblecourt , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin , Josiane Tasselli International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2015), Jun 2015, Torùn, Poland. ⟨10.1109/MIXDES.2015.7208583⟩ Communication dans un congrès hal-01191234v1
	Analyse du mécanisme d'un défaut ESD sur un MESFET en SiC Tanguy Phulpin , David Trémouilles , Karine Isoird , Dominique Tournier , Philippe Godignon Journées Nationales du Réseau de Doctorants en Microélectronique, Jun 2015, Bordeaux, France Communication dans un congrès hal-01339803v1
	An Electrostatic-Discharge-Protection Solution for Silicon-Carbide MESFET Tanguy Phulpin , David Trémouilles , Karine Isoird , Dominique Tournier , Philippe Godignon EOS/ESD Symposium, Sep 2015, Reno, United States Communication dans un congrès hal-01178266v1
	Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event Burnout " Moustafa Zerarka , Patrick Austin , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Josiane Tasselli Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France Communication dans un congrès hal-01065194v1
	Wide bandgap semiconductors for ultra high voltage devices. Design and characterization aspects Dominique Planson , Pierre Brosselard , Karine Isoird , Mihai Lazar , Luong Viêt Phung CAS, Oct 2014, Sinaia, Romania. pp.35 - 40, ⟨10.1109/SMICND.2014.6966383⟩ Communication dans un congrès hal-01388002v1
	Optimisation de la terminaison d'une diode Schottky diamant haute tension Houssam Arbess , Karine Isoird , Dominique Planson , Luong Viet Phung Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France Communication dans un congrès hal-01065274v1
	Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin Symposium de Génie Electrique 2014, Jul 2014, Cachan, France Communication dans un congrès hal-01102974v1
	Field plate termination for high voltage diamond Schottky diode Houssam Arbess , Karine Isoird International Conference on Microelectronics ( ICM ) 2013, Dec 2013, Beyrouth, Lebanon. pp.25-28 Communication dans un congrès hal-01004604v1
	New termination architecture for 1700 V diamond schottky diode Houssam Arbess , Karine Isoird , Saleem Hamady 2013 15th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE), Sep 2013, Lille, France. pp.1-8 Communication dans un congrès hal-01006006v1
	Amélioration des performances du thyristor à l'état bloqué en haute température Gaëtan Toulon , Karine Isoird , Abdelhakim Bourennane Conférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Jul 2012, BORDEAUX, France. 4 p Communication dans un congrès hal-01005931v1
	Impact of a backside Schottky contact on the thyristor characteristics at high temperature Gaëtan Toulon , Abdelhakim Bourennane , Karine Isoird International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. pp.131 à 136 Communication dans un congrès hal-01004495v1
	Electrical characteristics (I-V) of field plate protected vertical diamond Schottky diodes F. Thion , K. Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Henri Schneider International Conference on Diamond and Carbon Materials Granada, SPAIN, 2012, Granada, Spain Communication dans un congrès hal-03966084v1
	Réalisation et caractérisation de diodes Schottky en diamant monocristallin protégées par plaque de champ sur Si3N4 Fabien Thion , Karine Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Henri Schneider 14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p Communication dans un congrès hal-01005917v1
	Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs Moustafa Zerarka , Patrick Austin , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Houssam Arbess International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. 6 p Communication dans un congrès hal-01005688v1
	Analysis and optimization of a novel high voltage striped STI-LDMOS transistor on SOI CMOS technology Gaëtan Toulon , Ignacio Cortes , Frédéric Morancho , Abdelhakim Bourennane , Karine Isoird International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. pp.122-128 Communication dans un congrès hal-01004508v1
	Using a two step plasma etching process for diamond power devices F. Thion , K. Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Henri Schneider International Conference on Diamond and Carbon Materials Granada, SPAIN, 2012, Granada, Spain Communication dans un congrès hal-03966086v1
	Protection périphérique pour composants de puissance en diamant Fabien Thion , Karine Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli 13ème EPF, Jun 2010, Saint-Nazaire, France. 4p Communication dans un congrès hal-00618708v1
	Simulation and design of junction termination structures for diamond Schottky diodes Fabien Thion , Karine Isoird , Dominique Planson , M-L Locatelli , H Ding European Conference on Diamond Diamond-like Materials Carbon Nanotubes and Nitrides (DIAMOND 2010), Sep 2010, Budapest, Hungary Communication dans un congrès hal-03656932v1
	A new junction termination technique: The Deep Trench Termination (DT²) Loïc Théolier , Hicham Mahfoz-Kotb , Karine Isoird , Frédéric Morancho 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), 2009., Jun 2009, Barcelona, Spain. pp.176-179, ⟨10.1109/ISPSD.2009.5158030⟩ Communication dans un congrès hal-00991573v1
	Analysis of the C-V characteristic in SiO2/GaN MOS capacitors I. Cortes , E. Al-Alam , Marie-Paule Besland , P. Regreny , Frédéric Morancho 7th Spanish Conference on Electron Devices, Feb 2009, Santiago de Compostela, Spain. pp.254 Communication dans un congrès hal-00475900v1
	Étude de faisabilité d'une terminaison de jonction basée sur des tranchées profondes pour des composants haute tension (1200 V) Hicham Mahfoz-Kotb , Loïc Théolier , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Pascal Dubreuil XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 4 p Communication dans un congrès hal-01002269v1
	Étude paramétrique des performances statiques du transistor DT-SJMOS 1200 V Loïc Théolier , Hicham Mahfoz-Kotb , Karine Isoird , Frédéric Morancho XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 4 p Communication dans un congrès hal-01002262v1
	Le Nitrure de Gallium : un Matériau d'Avenir pour la Conception de Composants de Puissance Haute Tension et Haute Température Elias Al Alam , Alain Cazarré , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Yvon Cordier MGE 2008 4ème Colloque Matériaux du Génie Electrique, May 2008, TOULOUSE, France. 4 p Communication dans un congrès hal-01002191v1
	Le Diamant pour l'Electronique de Puissance - Développement des Technologies Associées Gabriel Civrac , Henri Schneider , Marie-Laure Locatelli , Karine Isoird , Hui Ding MGE 2008 4ème Colloque Matériaux du Génie Electrique, May 2008, TOULOUSE, France. 4 p Communication dans un congrès hal-01002185v1
	Réalisation et caractérisation de contacts ohmiques sur diamant CVD de Fabian Gabriel Civrac , Henri Schneider , Hui Ding , Karine Isoird , J. Achard XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 5 p Communication dans un congrès hal-01002267v1
	The DT-SJMOSFET : a new power MOSFET strucure for high-voltage applications Loïc Théolier , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Hicham Mahfoz-Kotb , Henri Tranduc 2nd International Conference on Automotive Power Electronics (APE 2007), Sep 2007, PARIS, France. 8 p Communication dans un congrès hal-01002232v1
	Switching Performance of 65 Volts Vertical N-Channel FLYMOSFETs Loïc Théolier , Karine Isoird , Henri Tranduc , Frédéric Morancho , Jaume Roig Guitart 8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06, Aug 2006, Pragues, Czech Republic. pp.117-122 Communication dans un congrès hal-01005674v1
	Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes Loïc Théolier , Karine Isoird , Frédéric Morancho , Jaume Roig Guitart ISP3D, Oct 2006, Montpellier, France Communication dans un congrès hal-01005697v1
	Performances dynamiques des transistors FLYMOSTM 65 Volts à canal N Loïc Théolier , Karine Isoird , Henri Tranduc , Frédéric Morancho , Jaume Roig Guitart Electronique de Puissance du Futur (EPF'2006), Jul 2006, GRENOBLE, France. 5 p Communication dans un congrès hal-01002255v1
	Experimental validation of the "FLoating Island" concept: A 95 Volts Vertical breakdown voltage FLIDiode Stéphane Alves , Frédéric Morancho , Jean Michel Reynes , J. Margherita , I. Deram 7th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'04), Aug 2004, Pragues, Czech Republic. pp.47-50 Communication dans un congrès hal-01005655v1
	Validation expérimentale du concept des "îlots flottants": réalisation d'une FLIdiodes verticale 95 volts Stéphane Alves , Frédéric Morancho , Jean Michel Reynes , J. Margherita , I. Deram Seminario Annual de Automática, Electronica Industrial e Instrumentación Electronique de Puissance du Futur, Sep 2004, TOULOUSE, France. pp.4 PAGES Communication dans un congrès hal-01002131v1
	Study of suitable dielectric material properties for high electric field and high temperature power semiconductor environment Marie-Laure Locatelli , Karine Isoird , Sorin Dinculescu , Vincent Bley , Thierry Lebey 10th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'2003), Sep 2003, Toulouse, France Communication dans un congrès hal-02492270v1
	Study of 6H-SiC high voltage bipolar diodes under reverse biases Karine Isoird , Mihai Lazar , Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud European Materials Research Society (E-MRS Spring Meeting) 2001, Jun 2001, Strasbourg, France Communication dans un congrès hal-03712596v1
	Bipolar silicon carbide power diodes realized by aluminum implantations and high temperature rf-annealing Mihai Lazar , Karine Isoird , Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud 43rd Electronic Materials Conference (EMC 2001), Jun 2001, Notre Dame, IN, United States Communication dans un congrès hal-02275712v1
	4H-SiC bipolar power diodes realized by ion implantation M. Lazar , Dominique Planson , K. Isoird , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud CAS 2001 International Semiconductor Conference, Oct 2001, Sinaia, Romania. pp.349-352, ⟨10.1109/SMICND.2001.967481⟩ Communication dans un congrès hal-02145397v1
	A comparative study of high temperature Aluminium post-implantation annealing in 6H and 4H-SiC, non-uniformity temperature effects M. Lazar , Christophe Raynaud , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , K. Isoird ICSCRM, Oct 2001, Tsukuba, Japan Communication dans un congrès hal-02476227v1

	Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond M.A. Pinault-Thaury , Mohamed Bouras , Raid Gourad , Karine Isoird , Fuccio Cristiano 3rd MOMENTOM INTERNATIONAL CONGRESS, Mar 2023, Gif-sur-yvette, France. 2023 Poster de conférence hal-04271407v1
	Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond Mohamed Bouras , Raid Gourad , Karine Isoird , Fuccio Cristiano , Josiane Tasselli Hasselt Diamond Workshop 2023 - SBDD XXVII, Mar 2023, Hässelt, Belgium Poster de conférence hal-04396208v1
	Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond Mohamed Bouras , Raid Gourad , Karine Isoird , Fuccio Cristiano , Josiane Tasselli Hasselt Diamond Workshop 2023 - SBDD XXVII, Mar 2023, Hässelt, Belgium Poster de conférence hal-04269992v1
	Realization and characterization of vertical PIN diode on 100 diamond Florent Sevely , Josiane Tasselli , Karine Isoird , Luong Viêt Phung , Camille Sonneville 33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2023, Palma, Spain. , 2023 Poster de conférence hal-04193251v1
	Design and Fabrication of AlGaN/GaN normally-off HEMTs Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Karine Isoird , Frédéric Morancho 10th IRP NextPV International workshop, Jan 2023, Toulouse, France Poster de conférence hal-03934236v1
	Conception et réalisation technologique de structures HEMTs AlGaN/GaN normally-off à grille P-GaN Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Karine Isoird , Frédéric Morancho JEP 2022: Journées des Electroniques de Puissance, Mar 2022, Grenoble, France Poster de conférence hal-03621863v1
	Study of Ti/Pt/Au ohmic contacts on P-type boron doped (100) diamond with linear and circular TLM structures Josiane Tasselli , Lya Fontaine , Karine Isoird , Emmanuel Scheid , Patrick Austin 31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, ONLINE, Spain. 2021 Poster de conférence hal-03445531v1
	Ohmic contacts by phosphorous ion implantation on (111) N-type CVD Diamond Josiane Tasselli , Lya Fontaine , Karine Isoird , Patrick Austin 31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, ONLINE, Spain. , 2021 Poster de conférence hal-03445509v1
	Protection ESD pour MESFET SiC Tanguy Phulpin , Karine Isoird , David Trémouilles , Patrick Austin Journées Intégration et Systèmes de Puissance 3D (ISP3D), Mar 2015, Tours, France. 2015 Poster de conférence hal-01339804v1

Karine Isoird

Présentation

Domaines de recherche

Compétences

Publications

Comprehensive characterization of vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes

Micro-Raman characterization of homo-epitaxial n doped GaN layers for vertical device applications

Contribution to Silicon-Carbide-MESFET ESD robustness analysis

Diamond Schottky diodes operating at 473 K

Design optimisation of the deep trench termination for superjunction power devices

Design and realisation of deep trench superjunction diode dor 600 V applications

High termination efficiency using polyimide trench for high voltage diamond Schottky diode

Failure Analysis of ESD-stressed SiC MESFET

Original Field Plate to Decrease the Maximum Electric Field Peak for High-Voltage Diamond Schottky Diode

Analysis of an ESD failure mechanism on a SiC MESFET

Analysis Study of Sensitive Volume and Triggering Criteria of SEB in Super-Junction MOSFETs

Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V

Analysis and Optimization of a Thyristor Structure Using Backside Schottky Contacts Suited for the High Temperature

An assessment of contact metallization for high power and high temperature diamond Schottky devices

"Comparison of Electrical Behavior of GaN-Based MOS Structures Obtained by Different PECVD Process"

Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of SiO(2)/GaN interfaces

Thick boron doped diamond single crystals for high power electronics

Diode Schottky sur diamant CVD. Simulation, réalisation technologique et étude de protection périphérique

Simulation and design of junction termination structures for diamond Schottky diodes

Conception de transistors MOS haute tension (1 200 volts) pour l'électronique de puissance

CVD diamond Schottky barrier diode, carrying out and characterization

A New Junction Termination Using a Deep Trench Filled With BenzoCycloButene

Filling of very deep, wide trenches by BenzoCycloButene polymer

Mise en place d'une filière pour la réalisation de composants de puissance en diamant

Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs

Experimental validation of the ‘FLoating Islands’ concept: 95 V breakdown voltage vertical FLIDiode

Study of 4H-SiC High-Voltage Bipolar Diodes under Reverse Bias Using Electrical and OBIC Characterization

Barrier height determination of SiC Schottky diodes by capacitance and current-voltage measurements

A Comparative Study of High-Temperature Aluminum Post-Implantation Annealing in 6H- and 4H-SiC, Non-Uniform Temperature Effects

Study of 6H-SiC high voltage bipolar diodes under reverse biases

Study of the Breakdown Voltage of Protected or Non-Protected 6H-SiC Bipolar Diodes by OBIC Characterisation

P-N Junction creation in 6H-SiC by aluminum implantation

Epitaxie localisée de P-GaN par EJM pour la fabrication de HEMTs AlGaN/GaN normally-off

Vertical pin diodes on large freestanding (100) diamond film

Développement de la gravure plasma O2 pour la réalisation de composants de puissance diamant

Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs based on selective area regrowth of a P-GaN gate in nanostructured patterns

Multiphysics Characterizations of Vertical GaN Schottky Diodes

Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices

Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices

Design Optimization of a New Nanostructured P-GaN Gate for Normally-off GaN HEMTs

Caractérisation par spectroscopie micro-Raman de diodes GaN Schottky

Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond

Conception de diodes TMBS haute tension (6kV) en diamant

High voltage (6kV) diamond TMBS diode design

Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type P

Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaN

Fabrication and characterization of Si3N4-MIS structures on p-type diamond

Recessed and P-GaN regrowth gate development for normally-off AlGaN/GaN HEMTs

Ohmic contacts study of P + N diodes on (111) and (100) diamond

Optimisation des techniques de microfabrication sur diamant

Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaN

Développement de briques technologiques pour la réalisation de composants de puissance sur diamant

Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée

Fiabilité de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques

Diodes Schottky diamant fonctionnant à 200°C

Dynamic of power-GaN-HEMT electrical parameters: Why DC characterization might be misleading

Robustesse de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques

Mesure de résistance dynamique de HEMT en GaN à l'échelle de la centaine de nanosecondes

An improved junction termination design using deep trenches for superjunction power devices

Analyse du mécanisme d'un défaut ESD sur un MESFET en SiC

An Electrostatic-Discharge-Protection Solution for Silicon-Carbide MESFET

Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event Burnout "

Wide bandgap semiconductors for ultra high voltage devices. Design and characterization aspects

Optimisation de la terminaison d'une diode Schottky diamant haute tension

Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V

Field plate termination for high voltage diamond Schottky diode

New termination architecture for 1700 V diamond schottky diode

Amélioration des performances du thyristor à l'état bloqué en haute température

Impact of a backside Schottky contact on the thyristor characteristics at high temperature

Electrical characteristics (I-V) of field plate protected vertical diamond Schottky diodes

Réalisation et caractérisation de diodes Schottky en diamant monocristallin protégées par plaque de champ sur Si3N4

Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs

Analysis and optimization of a novel high voltage striped STI-LDMOS transistor on SOI CMOS technology

Using a two step plasma etching process for diamond power devices

Protection périphérique pour composants de puissance en diamant