Recherche - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu

Filtrer vos résultats

51 résultats
Page :
triés par

Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs based on selective area regrowth of a P-GaN gate in nanostructured patterns

 Daniel Rouly , Patrick Austin , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , et al.
EMRS-2022 Fall Meeting European Materials Research Society, Sep 2022, Varsovie, Poland
Communication dans un congrès hal-03697766v1
Image document

Ohmic contacts study of P + N diodes on (111) and (100) diamond

 Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Alain Cazarré , et al.
13th IEEE International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS 2019), Jul 2019, Toulouse, France
Communication dans un congrès hal-02324743v1
Image document

Microractor for catalytic oxidation of VOC : characterisation and efficiency

 Fahima Rachedi , Joelle Aubin , Richard Guilet , Patrick Cognet , Josiane Tasselli , et al.
2nd International Congress on Green Process Engineering,2nd European Process Intensification Conference, Jun 2009, Venise, Italy. pp.0
Communication dans un congrès hal-04107353v1
Image document

Multiphysics Characterizations of Vertical GaN Schottky Diodes

 Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Soufiane Saidi , Thi Huong Ngo , P. de Mierry , et al.
2022 Compound Semiconductor Week (CSW), Jun 2022, Ann Arbor, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/CSW55288.2022.9930447⟩
Communication dans un congrès hal-03844585v1
Image document

Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type P

 Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Emmanuel Scheid , et al.
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France
Communication dans un congrès hal-02918490v2
Image document

Realization and characterization of vertical PIN diode on 100 diamond

 Florent Sevely , Josiane Tasselli , Karine Isoird , Luong Viêt Phung , Camille Sonneville , et al.
33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2023, Palma, Spain. , 2023
Poster de conférence hal-04193251v1
Image document

Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaN

 Chaymaa Haloui , Josiane Tasselli , Karine Isoird , David Trémouilles , Patrick Austin , et al.
Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM), Jun 2019, Montpellier, France
Communication dans un congrès hal-02278808v1
Image document

Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V

 Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin , et al.
European Journal of Electrical Engineering, 2014, 17 (5-6), pp.345-361. ⟨10.3166/ejee.17.345-361⟩
Article dans une revue hal-01955633v1
Image document

Epitaxie localisée de P-GaN par EJM pour la fabrication de HEMTs AlGaN/GaN normally-off

 Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Yvon Cordier , Aimeric Courville , et al.
Symposium de génie électrique SGE 2023, Université de Lille, Jul 2023, Lille, France
Communication dans un congrès hal-04127127v1
Image document

Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond

 M.A. Pinault-Thaury , Mohamed Bouras , Raid Gourad , Karine Isoird , Fuccio Cristiano , et al.
3rd MOMENTOM INTERNATIONAL CONGRESS, Mar 2023, Gif-sur-yvette, France. 2023
Poster de conférence hal-04271407v1
Image document

Design optimisation of the deep trench termination for superjunction power devices

 Sylvain Noblecourt , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin , Josiane Tasselli
International Journal of Microelectronics and Computer Science, 2015, 6 (4), pp.117-123
Article dans une revue hal-01955656v1
Image document

Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event Burnout

 Moustafa Zerarka , Patrick Austin , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Josiane Tasselli , et al.
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01065194v1
Image document

Analysis Study of Sensitive Volume and Triggering Criteria of SEB in Super-Junction MOSFETs

 Moustafa Zerarka , Patrick Austin , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Houssam Arbess , et al.
IET Circuits, Devices & Systems, 2014, 8 (3), pp.197-204
Article dans une revue hal-01005966v1
Image document

Anisotropic Deep Reactive Ion Etching without Aspect Ratio Dependence Etching for silicon power devices

 Aurélie Lecestre , Pascal Dubreuil , Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Éric Imbernon , et al.
PESM 2014 (Plasma Etch and Strip in Microtechnology), May 2014, Grenoble, France. 2p
Communication dans un congrès hal-01054251v1
Image document

Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices

 Zahraa Zaidan , Nedal Al Taradeh , Christophe Rodriguez , Abdelatif Jaouad , Ali Soltani , et al.
Conférence Euro-méditerranéenne Matériaux, Composants et Systèmes EMCM-DS, Oct 2022, Fes, Morocco
Communication dans un congrès hal-03946187v1
Image document

Design Optimization of a New Nanostructured P-GaN Gate for Normally-off GaN HEMTs

 Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Chaymaa Haloui , Karine Isoird , et al.
29th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2022), Jun 2022, Wroclaw, Poland. ⟨10.23919/MIXDES55591.2022.9838389⟩
Communication dans un congrès hal-03697713v1
Image document

Design and Fabrication of AlGaN/GaN normally-off HEMTs

 Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Karine Isoird , Frédéric Morancho
10th IRP NextPV International workshop, Jan 2023, Toulouse, France
Poster de conférence hal-03934236v1

Study of Ti/Pt/Au ohmic contacts on P-type boron doped (100) diamond with linear and circular TLM structures

 Josiane Tasselli , Lya Fontaine , Karine Isoird , Emmanuel Scheid , Patrick Austin , et al.
31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, ONLINE, Spain. 2021
Poster de conférence hal-03445531v1
Image document

Microreactor integrated on silicon for catalytic applications

 Josiane Tasselli , Antoine Marty , Pascal Dubreuil , Ludovic Salvagnac , Fahima Rachedi , et al.
2nd International Congress on Green Process Engineering,2nd European Process Intensification Conference, Jun 2009, Venise, Italy. pp.0
Communication dans un congrès hal-04107347v1

Ohmic contacts by phosphorous ion implantation on (111) N-type CVD Diamond

 Josiane Tasselli , Lya Fontaine , Karine Isoird , Patrick Austin
31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, ONLINE, Spain. , 2021
Poster de conférence hal-03445509v1
Image document

Caractérisation par spectroscopie micro-Raman de diodes GaN Schottky

 Camille Sonneville , Atse Julien Eric N’dohi , S Saidi , T H Ngo , P. de Mierry , et al.
Conférence Internationale Matériaux, Oct 2022, Lille, France
Communication dans un congrès hal-03844887v1
Image document

An improved junction termination design using deep trenches for superjunction power devices

 Sylvain Noblecourt , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin , Josiane Tasselli
International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2015), Jun 2015, Torùn, Poland. ⟨10.1109/MIXDES.2015.7208583⟩
Communication dans un congrès hal-01191234v1
Image document

Optimisation de la diode à Superjonction et à tranchées profondes pour des applications à 600V

 Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01065277v1
Image document

Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs

 Moustafa Zerarka , Patrick Austin , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Houssam Arbess , et al.
International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. 6 p
Communication dans un congrès hal-01005688v1

Micro-Raman characterization of homo-epitaxial n doped GaN layers for vertical device applications

 Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Luong Viet Phung , Thi Huong Ngo , Philippe de Mierry , et al.
AIP Advances, 2022, 12 (2), pp.025126. ⟨10.1063/5.0082860⟩
Article dans une revue hal-03582833v1
Image document

Réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction (DHBT) GaAlAs/GaAs pour circuits intégrés I2L

 J.P. Bailbé , Thierry Camps , A. Cazarre , J. Jamai , A. Martins , et al.
Revue de Physique Appliquée, 1989, 24 (2), pp.171-176. ⟨10.1051/rphysap:01989002402017100⟩
Article dans une revue jpa-00246038v1
Image document

Développement de briques technologiques pour la réalisation de composants de puissance sur diamant

 Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Alain Cazarré , Patrick Austin , et al.
Conférence des Jeunes Chercheurs en Génie Electrique (JCGE 2019), Jun 2019, Oléron, France
Communication dans un congrès hal-02324807v1
Image document

Fast Built and Designed Microdevices for Early-Stage Liquid-Liquid System Studies

 Alain Marcati , Laurent Prat , Christophe A. Serra , Josiane Tasselli , Pascal Dubreuil
Chemical Engineering and Technology, 2009, 32 (11), pp.1823-1830. ⟨10.1002/ceat.200900169⟩
Article dans une revue istex hal-02276614v1
Image document

Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices

 Zahraa Zaidan , Nedal Al Taradeh , Christophe Rodriguez , Abdelatif Jaouad , Ali Soltani , et al.
Conférence Euro-méditerranéenne Organisé par Matériaux, Composants et Systèmes (EMCMDS), Nov 2022, Fez, Morocco
Communication dans un congrès hal-04303675v1
Image document

Comprehensive characterization of vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes

 P. Vigneshwara Raja , Christophe Raynaud , Camille Sonneville , Atse Julien Eric N’dohi , Hervé Morel , et al.
Microelectronics Journal, 2022, 128, pp.105575. ⟨10.1016/j.mejo.2022.105575⟩
Article dans une revue hal-03826217v1
Page :