Jérôme Billoué

Maître de conférences - HDR Université de Tours

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0000-0002-0034-1302
Google Scholar : https://scholar.google.fr/citations?user=HJkBI9IAAAAJ&hl=fr
IdRef : 180638785

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique

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"frederic-cayrel"

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	Room light anodic etching of highly doped n-type 4 H-SiC in high-concentration HF electrolytes: Difference between C and Si crystalline faces Gaël Gautier , Frédéric Cayrel , Marie Capelle , Jérôme Billoue , Xi Song Nanoscale Research Letters, 2012, 7 (1), pp.367-373. ⟨10.1186/1556-276X-7-367⟩ Article dans une revue hal-01810904v1