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	Liquid phase epitaxy and characterization of InAs1- x - ySb x P y on (100) InAs H. Mani , E. Tournié , J.-L. Lazzari , C. Alibert , A. Joullié Journal of Crystal Growth, 1992, 121 (3), pp.463-472. ⟨10.1016/0022-0248(92)90158-F⟩ Article dans une revue hal-03156839v1
	GaInAsSb/GaSb pn photodiodes for detection to 2.4 μm E. Tournié , J.-L. Lazzari , E. Villemain , A. Joullié , L. Gouskov Electronics Letters, 1991, 27 (14), pp.1237. ⟨10.1049/el:19910776⟩ Article dans une revue hal-03156834v1
	Preparation et étude de diodes laser a GaInAsSb-GaAlAsSb fonctionnant en continu à 80K F. Pitard , E. Tournié , M. Mohou , G. Boissier , J.-L. Lazzari Journal de Physique III, 1991, 1 (4), pp.605-622. ⟨10.1051/jp3:1991143⟩ Article dans une revue jpa-00248604v1
	2.5 μm GaInAsSb lattice‐matched to GaSb by liquid phase epitaxy E. Tournié , J.-L. Lazzari , F. Pitard , C. Alibert , A. Joullié Journal of Applied Physics, 1990, 68 (11), pp.5936-5938. ⟨10.1063/1.346925⟩ Article dans une revue hal-03156369v1

Jean-Louis LAZZARI