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Jean-Daniel Arnould
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Integrated test circuit for off-state dynamic drain stress evaluationIRPS 2023 - IEEE International Reliability Physics Symposium, Mar 2023, Monterey, United States. pp.10.1109/IRPS48203.2023.10117885, ⟨10.1109/IRPS48203.2023.10117885⟩
Communication dans un congrès
hal-04105262v1
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Switched-Mode Power Supply Impact on a Bluetooth Low Energy Receiver Inside a Microcontroller53rd European Microwave Conference (EuMC 2023), Sep 2023, Berlin, Germany. ⟨10.23919/EuMC58039.2023.10290583⟩
Communication dans un congrès
hal-04283054v1
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Méthode de conception d’amplificateurs distribués millimétriques basée sur la matrice chaîne (ABCD) 4 ports22èmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France
Communication dans un congrès
hal-04028971v1
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Comprehensive Analysis of RF Hot-Carrier Reliability Sensitivity and Design Explorations for 28GHz Power Amplifier ApplicationsIEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022), IEEE, Mar 2022, Dallas, United States. pp.4B.2-1-4B.2-6, ⟨10.1109/IRPS48227.2022.9764535⟩
Communication dans un congrès
hal-04050556v1
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Intégration d’une alimentation à découpage et d’un émetteur-récepteur Bluetooth Low Energy dans un même système sur puceJournées Nationales Microondes (JNM 2022), Jun 2022, Limoges, France
Communication dans un congrès
hal-04049013v1
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Analysis of input receiver transistors behavior during a CDM event44th Annual EOS/ESD Symposium (EOS/ESD 2022), Sep 2022, Reno, United States. ⟨10.23919/EOS/ESD54763.2022.9928471⟩
Communication dans un congrès
hal-03856978v1
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Estimation of Oxide Breakdown Voltage During a CDM Event Using Very Fast Transmission Line Pulse and Transmission Line Pulse MeasurementsIEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2021), Mar 2021, Monterey, CA, United States. ⟨10.1109/IRPS46558.2021.9405110⟩
Communication dans un congrès
hal-03433046v1
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Integrated Wideband Millimeter-Wave Bias-Tee – Application to Distributed Amplifier Biasing19th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS 2021), Jun 2021, Toulon, France. pp.1-4, ⟨10.1109/NEWCAS50681.2021.9462766⟩
Communication dans un congrès
hal-03371374v1
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Study of Inter-Power Domain Failures during a CDM EventIEEE 42nd EOS/ESD symposium (ESDA 2020), Sep 2020, Virginia St, Reno, United States
Communication dans un congrès
hal-02934691v1
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A fully-integrated high-isolation transfer switch for G-band in-situ reflectometer applicationsIEEE MTT-S International Conference on Microwaves for Intelligent Mobility, ICMIM 2020, Nov 2020, Linz, Austria. 4 p., ⟨10.1109/ICMIM48759.2020.9299098⟩
Communication dans un congrès
hal-02934668v1
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A fully in-situ reflectometer in G band in 55 nm SiGe BiCMOSINMMIC 2018 - International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits, Jul 2018, Brive La Gaillarde, France. pp.1-3, ⟨10.1109/INMMIC.2018.8430015⟩
Communication dans un congrès
hal-03788144v1
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Thru-load de-embedding method for millimeter wave transmission lines2017 USNC-URSI Radio Science Meeting (Joint with AP-S Symposium), Jul 2017, San Diego, United States. pp.87-88
Communication dans un congrès
hal-02016759v1
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A G band frequency quadrupler in 55 nm BiCMOS for bist applications2017 Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits Workshop (INMMiC), Apr 2017, Graz, Austria. pp.1-4, ⟨10.1109/INMMIC.2017.7927310⟩
Communication dans un congrès
hal-02012681v1
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Premier Système de Mesure Petit Signaux Deux Ports Complètement Intégré en Bande GJournées Nationales Micro-ondes, May 2017, Saint Malo, France
Communication dans un congrès
hal-02020034v1
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A G band +2 dBm balanced frequency doubler in 55 nm SiGe BiCMOS2017 IEEE 17th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), Jan 2017, Phoenix, AZ, United States. pp.60-63, ⟨10.1109/SIRF.2017.7874371⟩
Communication dans un congrès
hal-02012682v1
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Réseau d'adaptation pour amplificateur de puissance large bande en classe B/J continueGDR ONDES, Mar 2017, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-02021513v1
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Output matching network design for broadband class B/J power amplifier2017 13th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Jun 2017, Giardini Naxos - Taormina, Italy. pp.41-44
Communication dans un congrès
hal-02012859v1
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Système de mesure intégré millimétrique en bande G :140-220GHzGDR ONDES, Mar 2017, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-02020036v1
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Contributions aux circuits de « gate-driver » dédiés aux transistors de puissance à forte vitesse de commutation dans un environnement haute temperatureSymposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-01361602v1
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Conception d'un doubleur de fréquence +4 dBm en technologie BiCMOS 55 nm en bande WJournées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique, May 2016, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-02019237v1
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A 130-nm SOI CMOS reconfigurable multimode multiband power amplifier for 2G/3G/4G handset applications2016 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), May 2016, San Francisco, United States. pp.254-257
Communication dans un congrès
hal-02012869v1
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Contributions aux circuits de commande gate driver dédiés à la haute température et aux très fortes vitesses de commutationSymposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-01333015v1
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Contributions to dedicated gate driver circuitry for very high switching speed high temperature power devicesPower Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2016 28th International Symposium on, Jun 2016, Prague, Czech Republic
Communication dans un congrès
hal-01362327v1
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Un Amplificateur de Puissance Multimode Multibande reconfigurable en technologie CMOS SOI19èmes Journées Nationales Micro-ondes, Jun 2015, Bordeaux, France
Communication dans un congrès
hal-02021516v1
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A SOI CMOS reconfigurable output matching network for multimode multiband power amplifiers2015 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS2015), May 2015, Phoenix, United States. pp.1-4
Communication dans un congrès
hal-02015026v1
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Conception d'un quadrupleur de fréquence en technologie BiCMOS 55 nm en bande GGDR ONDES, Oct 2015, Lyon, France
Communication dans un congrès
hal-02019222v1
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Un réseau d'adaptation reconfigurable en technologie CMOS SOI pour amplificateur de puissance multimode multi-bandes19èmes Journées Nationales Micro-ondes, Jun 2015, Bordeaux, France
Communication dans un congrès
hal-02022292v1
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Half-Thru de-embedding method for millimeter-wave and sub-millimeter-wave integrated circuits2014 10th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Jun 2014, Grenoble, France. pp.1-4
Communication dans un congrès
hal-02016758v1
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Integrated gate driver circuits with an ultra-compact design and high level of galvanic isolation for power transistorsInternational Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS 2014), Feb 2014, Nuremberg, Germany. ISBN 978-3-8007-3578-5, pp 348-353
Communication dans un congrès
hal-00957347v1
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Transfert isolé des signaux de commande dans le contexte de l'intégration pour les composants actifs d'électronique de puissanceSymposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès
hal-01065361v1
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Comparison of De-embedding Methods for Long Millimeter and Sub-Millimeter-Wave Integrated CircuitsJCMM 2014, 13èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, Nantes, 24-26 Mars 2014, Mar 2014, Nantes, France. pp.id 31
Communication dans un congrès
hal-01054246v1
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Modeling and characterization of 0.35 μm CMOS coreless transformer for gate driversISPSD 2014, Apr 2014, Hawai, United States
Communication dans un congrès
hal-00989648v1
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General Expression for Tunable Matching Network Efficiency in the case of complex impedancesInternational Microwave and Optical Conference, IMOC 2013, Aug 2013, Rio de Janeiro, Brazil. pp.1-4
Communication dans un congrès
hal-00994514v1
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Conception d'un Réseau d'Adaptation Accordable en technologie CMOS SOI 130 nm pour amplificateur de puissance linéaire18èmes journées nationales micro-ondes, May 2013, Paris, France. pp.JNM'13
Communication dans un congrès
hal-01020272v1
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Rendement des réseaux d'adaptation d'impédances accordables18èmes journées nationales micro-ondes, May 2013, Paris, France. pp.JNM'13
Communication dans un congrès
hal-01020343v1
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A 2.14GHz Watt-level Power Amplifier with Passive Load Modulation in a SOI CMOS technologyEuropean Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC), Sep 2013, Bucarest, Romania. pp.1-4
Communication dans un congrès
hal-00997120v1
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Amplificateur de puissance à réseau de charge accordable en technologie SOI CMOS pour station de base Femtocell 4G18èmes journées nationales micro-ondes, May 2013, Paris, France. pp.JNM'13
Communication dans un congrès
hal-01020778v1
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"Theoretical Analysis and Design of Efficient Tunable Matching Networks"International Microwave and Optical Conference, IMOC 2011, Natal, Oct 2011, Natal, Brazil
Communication dans un congrès
hal-01073011v1
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"Modélisation à Haute Fréquence de Dispositifs de Protection Contre la Décharge Electrostatique"JNM'11, May 2011, Brest, France
Communication dans un congrès
hal-01073387v1
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"Scalable Modeling Studies on the SCR ESD Protection Device"Proc. of the 33th EOS/ESD 2011 Symposium, Sep 2011, Anaheim, United States
Communication dans un congrès
hal-01069274v1
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Modeling a SCR-based protection structure for RF-ESD co-design simulationsIEEE International Microwave Theory and Techniques Symposium, MTT-S 2011, Jun 2011, Baltimore, United States
Communication dans un congrès
hal-00679370v1
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Silicon high frequency test structures improvement for millimeter wave varactors characterization, optimization and modeling24th IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 2011, 2011, Amsterdam, Netherlands. pp.101-104, ⟨10.1109/ICMTS.2011.5976868⟩
Communication dans un congrès
hal-00800125v1
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"Méthode de synthèse et conception de réseaux d'adaptation accordables et performants pour des applications à 2,4 GHz"JNM'11, May 2011, Brest, France
Communication dans un congrès
hal-01073345v1
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"Silicon High Frequency Test Structures Improvement for Millimeter Wave Varactors Characterization Optimization and Modeling"IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Apr 2011, Amsterdam, Netherlands
Communication dans un congrès
hal-01068863v1
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Design and characterization of a signal insulation coreless transformer integrated in a CMOS gate driver chipDesign and characterization of a signal insulation coreless transformer integrated in a CMOS gate driver chip, May 2011, San Diego, United States. pp.360-363
Communication dans un congrès
hal-00599260v1
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"Design and characterization of an integrated coreless transformer onto a CMOS gate driver for gate signal insulation purposes"IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), May 2011, San Diego, United States
Communication dans un congrès
hal-01068882v1
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"Modeling a SCR-based protection structure for RF-ESD co-design simulations"MTT-S 2011, Jun 2011, Baltimore, United States
Communication dans un congrès
hal-01069250v1
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"A Novel Physical Model for the SCR ESD protection device"Proc. of the 32th EOS/ESD 2010 Symposium, Oct 2010, Reno, United States
Communication dans un congrès
hal-00604456v1
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Filtre ULB basé sur des structures périodiques sinusoïdales11ème Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux JCMM'10, Mar 2010, Brest, France
Communication dans un congrès
hal-00604495v1
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"Spurious Supression Semi-lumped UWB Bandpass Filter"Spurious Supression Semi-lumped UWB Bandpass Filter, Nov 2009, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-00602876v1
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Filtre passe-bande à Ultra Large Bande miniaturisé avec réjection des lobes secondaires16èmes Journées Nationales Microondes, May 2009, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-00399508v1
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"Spurious Supression Semi-lumped UWB Bandpass Filter2009 International Workshop on Microwave Filters, Nov 2009, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-01075713v1
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Filtre passe-bande à Ultra Large Bande miniaturisé avec réjection des lobes secondairesFiltre passe-bande à Ultra Large Bande miniaturisé avec réjection des lobes secondaires, May 2009, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-00603022v1
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Caractérisation électrique et électromagnétique de capacités MIM entre 40 MHz et 110 GHz en technologie standard CMOS 120 nm10èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, Apr 2008, France, France
Communication dans un congrès
hal-00398405v1
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Potentialités des structures magnétiques pour les fonctions RF reconfigurablesJournées scientifiques Hypermag, 2006, TOURS, France. pp.XX
Communication dans un congrès
hal-00148430v1
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Matériaux nouveaux pour l'intégration de composants passifs dans les circuits intégrés avancésJCMM, 2006, Grenoble, France. pp.XX
Communication dans un congrès
hal-00148423v1
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Design of a miniaturized ultra wideband bandpass filter based on a hybrid lumped capacitors - distributed transmission lines topology36th European Microwave Conference, EuMC'06, 2006, MANCHESTER, United Kingdom. pp.XX
Communication dans un congrès
hal-00147867v1
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Caractérisation électrique de l'isolant inter-armature de capacités Cu-Si3N4-Cu entre 45 MHz et 40 GHz en technologie CMOS 120nmJCMM 2006, 2006, Grenoble, France. pp.XX
Communication dans un congrès
hal-00148420v1
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Extraction of equivalent electrical models for damascene MIM capacitors in a standard 120~nm CMOS technology for ultra wide band applicationsIEEE IECON Conference, 2006, PARIS, France. pp.XX
Communication dans un congrès
hal-00147864v1
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Caractérisation de capacités MIM Cu-Si3N4-Cu en technologie CMOS 0,12 µm pour des applications radiofréquences.Telecom'2005 & 4èmes Journées Franco-Maghrébines des Microondes et leurs Applications, 2005, RABAT, Morocco. pp.XX
Communication dans un congrès
hal-00147181v1
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MIM capacitors model determination and analysis of parameter influenceIEEE International Symposium on Industrial Electronics, 2005, DUBROVNIK, Croatia. pp.XX
Communication dans un congrès
hal-00147186v1
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Modélisation analytique tridimensionnelle de l'injection optique de porteurs dans un substrat semiconducteurTelecom'2005 & 4èmes Journées Franco-Maghrébines des Microondes et leurs Applications, 2005, France. pp.XX
Communication dans un congrès
hal-00149033v1
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Analyse tridimensionnelle de l'injection optique pour les dispositifs opto-microondes14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, NANTES, France. pp.XX
Communication dans un congrès
hal-00148288v1
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Filtres passe-bas fixes ou accordables à base de structures périodiques14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, NANTES, France. pp.XX
Communication dans un congrès
hal-00148304v1
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Contrôle optique pour fonctionnalités microondesJournée Thématique du club EEA : Optique Intégrée et Photonique, 2005, GRENOBLE, France. pp.XX
Communication dans un congrès
hal-00148291v1
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Contribution à la modélisation par la méthode des éléments finis de composants hyperfréquences contrôlés optiquement.Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble - INPG, 2002. Français. ⟨NNT : ⟩
Thèse
tel-00422342v1
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Dispositifs accordables en radiofréquenceMicro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Grenoble, 2012
HDR
tel-00714096v1
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