jacky even
Professor INSA Rennes
https://www.insa-rennes.fr/
FOTON Institute (CNRS lab. UMR 6082)
http://foton.cnrs.fr/v2016/
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Documents
Identifiants chercheurs
jacky-even- ResearcherId : C-6212-2008
-
0000-0002-4607-3390
- Google Scholar : https://scholar.google.fr/citations?user=wZSGnjYAAAAJ&hl=fr
- IdRef : 076470482
- ResearcherId : http://www.researcherid.com/rid/C-6212-2008
Site web
- http://www.iufrance.fr/les-membres-de-liuf/membre/1913-jacky-even.html
Présentation
1984-1988: ENS Cachan (now ENS Paris-Saclay): Physics
1987-1988: Agrégation in Physics, Master Degree in Liquid Physics
1989-1992: University Paris VI/ Rennes I, PhD Thesis
1992-1999: Associate Professor (University Rennes I), Habilitation Degree
1999-now: Professor, Institut National des sciences Appliquées (INSA) de Rennes
1999-now: Creation and head of FOTON-INSA simulation team https://www.institut-foton.eu/physique-des-materiaux-et-dispositifs-perovskites/
2006-2009: Head of Materials Science and Nanotechnology Department, INSA Rennes
2010-2012: Director of Education, INSA Rennes
2018-2023: Senior member of IUF (Institut Universitaire de France) (http://www.iufrance.fr/les-membres-de-liuf/membre/1913-jacky-even.html)
2019/2020/2021/2022/2023: Highly Cited Researcher (Clarivate Analytics) https://clarivate.com/highly-cited-researchers/
2022 [Jean-Ricard Prize of the French Physical Society ](https://www.sfpnet.fr/jacky-even-laureat-du-prix-jean-ricard-2022-de-la-sfp)
2023-now: Re-elected Senior member of IUF
2013 : Video of invited presentation about Halide perovskites (in French):[videos-jnpv\_2013](http://webcast.in2p3.fr/videos-jnpv_2013_avancees_recentes_dans_le_domaine_des_perovskites_hybrides_pour_les_applications_photovoltaiques__jacky_even) containing among others: the first theoretical predictions of exciton screening in halide perovskites, importance of spin-orbit coupling, Rashba-Dresselhaus effect, symmetry analyses, first predictions of Kane parameters and results published in J. Even et al, Phys. Rev B 2012, J. Phys. Chem. Lett. 2013, J. Phys. Chem. C 2014, RRL Solar 2014, ChemPhysChem 2014. More presentations (in French) in 2016: https://videosjnpv2016.geeps.centralesupelec.fr/files/hybrides-organiques-perovskites_1.mp4. and 2021: https://videosjnpv2021.geeps.centralesupelec.fr/files/even.mp4
The prediction in 2013 (https://hal.science/hal-04500208) of low exciton binding energy and high effective dielectric constant of primary importance for the perovskite photovoltaic mechanism was finally published in 2014 (Even et al J. Phys. Chem. C 118, 11566, 2014) and exactly checked experimentally in 2015 by H. Snaith and coworkers at LNCMI Toulouse and Oxford University (Miyata et al, Nature Physics 11, 582, 2015)
Selected papers (2016-2023):
H. Tsai et al, Nature 536, 312 (2016)
W Nie et al, Nature Comm. 5, 11574 (2016)
H. Fang et al, Science Adv. 2, e1600534 (2016)
H. Fang et al, Light Science and Appl. 5, e16056 (2016)
A. Neukirch et al, Nano Letters 16, 3809 (2016)
L. Pedesseau et al, ACS Nano 10, 9776 (2016)
J. Even et al, Nanoscale 8, 6222 (2016)
D. Sapori et al, Nanoscale 8, 6369 (2016)
C. Robert et al, Phys. Rev.B 94, 075445 (2016)
J.C. Blancon et al, Science eaal4211 (2017)
M. Fu et al, Nano Letters 17, 2895 (2017)
H. Tsai et al, Adv. Ener. Mat. 7, 1602159 (2017)
C. Soe et al, J. Am. Chem. Soc. 139, 6297 (2017)
L. Mao et al, J. Am. Chem. Soc. 139, 11956 (2017)
S. Yun et al, Ang. Chem. Int. Ed. 56, 15806 (2017)
M.D. Smith et al, Chem. Sci. 8, 1960 (2017)
C.C. Stoumpos et al, Chem Cell 2, 427 (2017)
K. Appavoo et al, Phys. Rev. B 96, 195308 (2017)
H. Tsai et al, Science 360, 67 (2018)
C. Katan et al, Nature Materials 17, 377 (2018)
H. Fang et al, Nature Comm. 9, 243 (2018)
H. Tsai et al, Nature Comm. 9, 2130 (2018)
J.C. Blancon et al, Nature Comm. 9, 2554 (2018)
M. Fu et al, Nature Comm. 9, 3318 (2018)
W. Nie et al, Adv. Mat. 30, 1703879 (2018)
H. Tsai et al, Adv. Mat. 30, 1704217 (2018)
C. Soe et al, Adv. Ener. Mat. 8, 1700979 (2018)
H. Fang et al, Adv. Func. Mat. 28,1800305 (2018)
L. Zhou et al, ACS Energy Lett. 3, 787 (2018)
L. Mao et al, J. Am. Chem. Soc. 140, 3775 (2018)
X. Li et al, J. Am. Chem. Soc. 140, 12226 (2018)
L. Mao et al, J. Am. Chem. Soc. 140, 13078(2018)
M. Kepenekian et al, Nano Letters 18, 5603 (2018)
B. Traore et al, ACS Nano 12, 3321 (2018)
A. Marronnier et al, ACS Nano 12, 3477 (2018)
A. Ferreira et al, Phys. Rev. Lett. 121, 085502 (2018)
J. Leveillee et al, Phys. Rev. Mat. 2, 105406 (2018)
A. Gheno et al, RRL Solar 2, 1800191 (2018)
C. Katan et al, Chem. Rev. 119, 3140 (2019)
P. Tamarat et al, Nature Materials 18, 717 (2019)
C. Wei et al, Nature Comm. 10, 5342 (2019)
J. Leveillée et al, Nano Letters 19, 8732 (2019)
Soe et al, Proc. Nat. Acad. Sci. 116, 58 (2019)
N. Devesa Canicoba et al, ACS Mat. Lett. 1, 633 (2019)
J. M. Hoffman et al, J. Am. Chem. Soc. 141, 10661 (2019)
X. Li et al, J. Am. Chem. Soc. 141, 12880 (2019)
L. Mao et al, Chem Cell 5, 2593 (2019)
J. C. Blancon et al, Nature Nanotechnology,15, 969 (2020)
P. Tamarat et al, Nature Comm., 11, 6001 (2020)
H. Fang et al, Adv. Func. Mat. 29,1907979 (2020)
L. Chen et al, ACS Nano, 14,13127 (2020)
S. Kahman et al, ACS Ener. Lett., 5, 2512 (2020)
E. Kinigstein et al, ACS Mat. Lett. 2, 1360 (2020)
B. Traore et al, ACS Mat. Interf. 12, 6633 (2020)
C. Quarti et al, J. Phys. Mat. 3, 042001 (2020)
X. Fu et al, J. Am. Chem. Soc. 142, 4008 (2020)
T. Schmitt et al, J. Am. Chem. Soc. 142, 5060 (2020)
X. Li et al, J. Am. Chem. Soc. 142, 6625 (2020)
L. Mao et al, J. Am. Chem. Soc. 142, 8342 (2020)
I. Spanopoulos et al, J. Am. Chem. Soc. 142, 9028 (2020)
X. Li et al, J. Am. Chem. Soc. 142, 11482 (2020)
G. Roma et al, Phys. Rev. Mat. 4, 092402 (2020)
A. Ferreira et al, Comm. Phys. 3, 48 (2020)
F. Liu et al, Nature Comm., 12, 673 (2021)
S. Sidhik et al, Adv. Mat. 2007176 (2021)
A. Torma et al, ACS Nano 15, 20550 (2021)
S. Sidhik et al, Cell Rep. Phys. Sci. 2, 100601 (2021)
V. Diez‐cabanes et al, Adv. Opt. Mat., 2001832 (2021)
B. Song et al, ACS Mat. Lett. 3, 148 (2021)
F. Ledee et al, Materials Horizons 8,1547 (2021)
L. Gao et al, J. Am. Chem. Soc. 143, 12063 (2021)
S. Sidhik et al, Science 377, 1425 (2022)
Q. Akkerman et al, Science 377, 1406 (2022)
W. Li et al, Nature Nanotechnology 17, 45 (2022)
S. Cuthriell et al, Adv. Mat. 2202709 (2022)
Y. Qin et al, Adv. Mat. 2201666 (2022)
B. Traore et al, ACS. Ener. Lett. 7, 349 (2022)
L. Chen et al, Adv. Sci. 9, 2101661 (2022)
X. Li et al, J. Am. Chem. Soc. 144, 3902 (2022)
E. Vasileiadou et al, J. Am. Chem. Soc. 144, 6390 (2022)
B. Hehlen et al, Phys. Rev. B 105, 024306 (2022)
R. Nazarov et al, Phys. Rev. B 105, 245202 (2022)
L. Chen et al, Phys. Rev. B 106, 165310 (2022)
B. Traore et al, Phys. Rev. Mat. 6, 014604 (2022)
B. Cucco et al, RRL Solar 6, 2200718 (2022)
H. Zhang et al, Nature Physics, 19, 545 (2023)
J. Hou et al, Nature Synth., DOI : 10.1038/s44160-023-00422-3
P. Tamarat et al, Nature Comm., 14, 229 (2023)
A. Fehr et al, Nature Comm., 14, 3797 (2023)
S. Liu et al, Sci. Adv., 9, eadh2255 (2023)
C. Zhu et al, Adv. Mat. 2208354 (2023)
A. Abhervé et al, Adv. Mat. 2305784 (2023)
I. Metcalf et al, Chem. Rev., 123, 9565 (2023)
D. Dirin et al, Nano Letters (2023)
M. Zacharias et al, Phys. Rev. B, 108, 035155 (2023)
M. Zacharias et al, npj Comp. Mat., 9, 153 (2023)
P. Fu et al, J. Am. Chem. Soc. 145, 15997 (2023)
Z.G. Li et al, ACS Ener.Lett., 8, 3016 (2023)
B. Cucco et al, ACS. Mat. Lett. 5, 52 (2023)
C. Quarti et al, Adv. Opt. Mat. 2202801 (2023)
Z. Tang et al, Adv. Opt. Mat. 2301282 (2023)
A. Matuhina et al, Nanoscale, 15, 14764 (2023)
P. Basera et al, Nanoscale, 15, 11884 (2023)
Book Chapters (J. Even et al) in :
"Unconventional Thin Film Photovoltaics", RCS Publishing (2016)
"Semiconductor Nanocrystals and Metal Nanoparticles: Physical Properties and Device Applications", CRC Press (2016)
"Theoretical Modeling of Organohalide Perovskites for Photovoltaic Appl.", CRC Press (2017)
"Halide Perovskites - Photovoltaics, Light Emitting Devices and Beyond", Wiley (2018)
Publications
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Hétéro-épitaxie III-V/Si : contrôle des propriétés des surfaces et interfaces pour la photo-électrochimie35èmes Journées Surfaces et Interfaces, Jan 2022, Dijon (virtual), France
Communication dans un congrès
hal-03588378v1
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Hybrid ambipolar 2D semimetal/semiconductor III-V/Si heterostructures: Promises for photonics, energy harvesting and electronicsWebinar on Materials science, engineering and technology - VEBLEO, VEBLEO international organization, Dec 2021, virtual, India
Communication dans un congrès
hal-03588366v1
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III-V/Si antiphase boundaries used as 2D-semimetallic topological vertical inclusions for solar hydrogen production21st International Conference on Molecular Beam Epitaxy (IC-MBE 2021), Sep 2021, Mexico (virtual), Mexico
Communication dans un congrès
hal-03392254v1
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Robust 2D semimetallic inclusions boost performances of III-V/Si heterostructures for water-splitting17è Journées de la Matière Condensée (JMC 17), Aug 2021, Rennes (virtual), France
Communication dans un congrès
hal-03402743v1
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III-V/Si photoelectrodes with ambipolar properties5èmes Journées des Carburants Solaires, Sep 2021, Saint Jacut de la Mer, France
Communication dans un congrès
hal-03408282v1
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Quantitative evaluation of microtwins and antiphase defects towards a GaP/Si platform for monolithic integrated photonicsEuropean Materials Research Society - Spring Meeting 2015 (E-MRS 2015 Spring Meeting), May 2015, Lille, France
Communication dans un congrès
hal-01497220v1
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Monolithic integration of GaAsPN dilute-nitride compounds on silicon substrates: toward the III-V/Si tandem solar cellSPIE Photonics West - OPTO 2015, Feb 2015, San Francisco, United States
Communication dans un congrès
hal-01497194v1
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Analyse quantitative des antiphases dans des nanocouches épitaxiales GaP/Si pour la photonique sur siliciumRayons X & Matière 2015, Dec 2015, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-01497228v1
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Analyse quantitative par diffraction des rayons X des défauts plans dans GaP/SI pour la photonique sur SiRéunion plénière du GDR Pulse (PULSE 2014), Oct 2014, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-01137337v1
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Thorough structural and optical analyses of GaP-based heterostructures monolithically grown on silicon substrates for photonics on Si applications: toward the laser on silicon and high efficiency photovoltaics on silicon6th International Workshop on "Advanced optical and X-ray characterization techniques of multifunctional materials for information and communication technologies, health and renewable energy applications", Sep 2014, Bucharest, Romania
Communication dans un congrès
hal-01114912v1
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Epitaxie cohérente de composés GaP et GaAsPN à azote dilué sur substrats de Si pour l’élaboration de cellules PV tandem III-V/SiMatériaux 2014, Nov 2014, Montpellier, France
Communication dans un congrès
hal-01115312v1
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Low cristalline defect density in GaP/Si nanolayersEuropean Materials Research Society 2014 Sptring Meeting (E-MRS 2014), May 2014, Lille, France
Communication dans un congrès
hal-01115024v1
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Composition dependent nature of the fundamental optical transition in (In,Ga)As/GaP quantum dots26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2014), May 2014, Montpellier, France. pp.Th-B1-2, ⟨10.1109/ICIPRM.2014.6880555⟩
Communication dans un congrès
hal-01114877v1
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Quantitative evaluation of microtwins and antiphase defects in GaP/Si nanolayers for III-V photonics platform on silicon12th Biennal Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, Sep 2014, Villard de Lans, France
Communication dans un congrès
hal-01115004v1
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Intégration optique par croissance directe de nanostructures III-V sur silicium14èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique (JNMO), May 2013, Evian, France
Communication dans un congrès
hal-00918745v1
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GaAsPN compounds for Si photonicsInternational Workshop "Silicon & Photonics", Jun 2013, Rennes, France
Communication dans un congrès
hal-00918743v1
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Analyse quantitative de la perfection cristalline de nanocouches épitaxiales GaP/SiXème colloque rayons X et matière, Nov 2013, Nantes, France
Communication dans un congrès
hal-00918790v1
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Nature of the optical transition in (In,Ga)As(N)/GaP quantum dots (QDs): effect of QD size, indium composition and nitrogen incorporationCompound semiconductors week, IPRM, 2013, May 2013, Kobe, Japan
Communication dans un congrès
hal-00918734v1
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Γ-X competition in (In,Ga)As/GaP quantum dots (QDs) : effect of QD size and Indium compositioneuro-MBE conference, Mar 2013, Levi, Finland
Communication dans un congrès
hal-00918669v1
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Analyse quantitative des micromacles dans des nanocouches épitaxiales GaP/Si pour la photonique sur siliciumXème colloque rayons X et matière, Nov 2013, Nantes, France
Communication dans un congrès
hal-00918791v1
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gamma-X competition for the optical transition of (In,Ga)As(N)/GaP quantum dots (QDs)European Materials research society meeting EMRS 2013, May 2013, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-00918730v1
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Monolithic integration of diluted-nitride III-V-N compounds on silicon substrates : toward the III-V/Si Concentrated PhotovoltaicsInternational Symposium on Inorganic and Environmental Materials, Oct 2013, Rennes, France
Communication dans un congrès
hal-00918754v1
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Boîtes quantiques semi-conductrices : relation entre morphologie, structure électronique et propriétés optiquesJournées Nanosciences et Nanotechnologies du Nord Ouest 2013 (J2NO 2013), Nov 2013, Rennes, France
Communication dans un congrès
hal-00918787v1
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Theoretical and experimental study of (In,Ga)As/GaP quantum dotsInternational Conference on Superlattices, Nanostructures, and Nanodevices (ICSNN 2012), Jul 2012, Dresden, Germany. pp.643, ⟨10.1186/1556-276X-7-643⟩
Communication dans un congrès
hal-00726861v1
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coherent integration of photonics on silicon through the growth of GaP/SiTechnical Meeting of Sandie European Network of Excellence, 2012, Berlin, Germany
Communication dans un congrès
hal-00788526v1
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Evaluation of InGaP(N) and GaAsP(N) materials lattice-matched to Si for multi-junction solar cellsinternational conference on MBE, 2012, Japan
Communication dans un congrès
hal-00726772v1
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Monolithic growth of III-V-N diluted nitride devices on Si substrate for solar cellsJournées nationales du photovoltaïque JNPV2012, 2012, Chantilly, France
Communication dans un congrès
hal-00788544v1
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Développement d'un laser sur silicium dans l'approche pseudomorphiqueJournées nationales de l'optique guidée, 2012, Lyon, France
Communication dans un congrès
hal-00788434v1
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Optical and structural properties of (In,Ga)As/GaP quantum dots : C2 to C2v symmetry transition during the ripening processinternational conference on MBE, 2012, Nara, Japan
Communication dans un congrès
hal-00726776v1
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(In,Ga)As/GaP quantum dots for monolithic integration on silicon31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012), Jul 2012, Zurich, Switzerland
Communication dans un congrès
hal-00726878v1
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Coherent integration of photonics on silicon through the growth of nanostructures on GaP/SiPhotonics west 2012, Jan 2012, San Fransisco, United States. pp.82681H, ⟨10.1117/12.910279⟩
Communication dans un congrès
hal-00654337v1
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Evaluation of InGaPN and GaAsPN materials lattice-matched to Si for multi-junction solar cellsJournées nationales du photovoltaïque (JNPV 2012), 2012, Chantilly, France
Communication dans un congrès
hal-00788478v1
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Carrier injection in GaAsP(N)/GaPN Quantum Wells on SiliconCompound Semiconductor Week 2011 - 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2011), May 2011, Berlin, Germany. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00654285v1
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Structural characterisation of GaP/Si nanolayersEuropean Materials Research Society 2011, May 2011, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-00654330v1
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Room temperature photoluminescence if InxGa1-xAs quantum dots on GaP substrateJournées Boîtes Quantiques 2011 (JBQ 2011), Jun 2011, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-00654317v1
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QD laser on InP substrate for 1.55 µm emission and beyondSPIE Photonics West - OPTO 2010, Jan 2010, San Francisco, United States. pp.76081B, ⟨10.1117/12.848398⟩
Communication dans un congrès
hal-00485660v1
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Lasers à boites quantiques sur InP pour les applications télécom à 1,55 µmSéminaire PONANT 2010, Jul 2010, Rennes, France
Communication dans un congrès
hal-00662947v1
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Croissance hétérogène de semi-conducteurs III-V sur silicium : vers l'optoélectronique sur siliciumSéminaire PONANT 2010, Jul 2010, Rennes, France. pp.9-11
Communication dans un congrès
hal-00504506v1
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Émission de boites quantiques au delà de 1.55 µmJournées Nano-Micro et Optoélectronique, Jun 2008, Oléron, France
Communication dans un congrès
hal-00489409v1
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InAs nanostructures on InP(100) for long wavelength (1.5-2.1µm) optoelectronic applicationsLong Wavelength Quantum Dots, Jul 2007, Rennes, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00496872v1
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Stransky-Krastanow Gas Source MBE growth and optical properties of InAs/GaP quantum dotseuro-MBE conference, Mar 2007, Sierra nevada, Granada, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00491810v1
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InAs(Sb)/InP(100) quantum dots for mid-infrared emitters: observation of 2.35 μm photoluminescence4th International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD 2006), May 2006, Chamonix, France. pp.3920, ⟨10.1002/pssc.200671622⟩
Communication dans un congrès
hal-00491729v1
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A theoretical and experimental study of lambda>2 µm luminescence of quantum dots on InP substrate28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006, Jul 2006, Vienne, Austria. pp.889, ⟨10.1063/1.2730177⟩
Communication dans un congrès
hal-00491466v1
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InAsSb/InP quantum dots for midwave infrared emitters : a theoretical studyMid Infrared Optoelectronics : Materials and Devices : MIOMD conference, 2005, Lancaster, United Kingdom. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504452v1
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InAsSb/InGaAs quantum nanostructures on InP (100)substrate: observation of 2.35 μm photoluminescence32nd International Symposium on Compound Semiconductors, Sep 2005, Rust, Germany. pp.524, ⟨10.1002/pssc.200564132⟩
Communication dans un congrès
hal-00491737v1
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First observation of wavelength greater than 2 microns photoluminescence of quantum dots on InP (100) substrate"Mid Infrared Optoelectronics : Materials and Devices" conference, Lancaster, UK, September (2005)., Sep 2005, Lancaster, United Kingdom. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504462v1
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Structures à îlots quantiques sur substrat InP(100)pour l'émission dans le moyen infrarouge (2−5 µm)9th Colloquium on Lasers and Quantum Optics (COLOQ 9), Sep 2005, Dijon, France. pp.283, ⟨10.1051/jp4:2006135090⟩
Communication dans un congrès
hal-00491724v1
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Carrier dynamics and saturation effect in (311)B InAs/InP quantum dot lasersPHASE 2005, international workshop on physics and applications of semiconductors lasers, 2005, Metz, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504411v1
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Mesure directe de l'absorption optique à 1.55 microns de boites quantiques InAs/InP (113)B et étude de l'influence du couplage boite/couche de mouillage sur les propriétés électroniquesjournée des doctorants de Rennes, Dec 2004, Rennes, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504407v1
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Fundamental emission of InAs/InP quantum dots laser at 1.52 µm26th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-26), Aug 2002, Edinburgh, United Kingdom
Communication dans un congrès
hal-00151203v1
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Growth and Optical Characterizations of InAs Quantum Dots on InP Substrate: Towards a 1.55 µm Quantum Dot Laser12th international conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2002), Sep 2002, San Francisco (CA), United States. pp.230-235, ⟨10.1016/S0022-0248(02)02473-9⟩
Communication dans un congrès
hal-00151117v1
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Lasers à îlots quantiques InAs/InP émettant à 1.53µm sur la transition fondamentale8èmes Journées de la Matière Condensée (JMC8), Sep 2002, Marseille, France
Communication dans un congrès
hal-00151208v1
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Lasers à base d'îlots quantiques InAs/Inp(100) et (311)B9èmes Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique (JNMO 2002), Oct 2002, Saint-Aygulf, France
Communication dans un congrès
hal-00148526v1
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Lattice-matched GaAsPN/GaP single junction solar cell for high-efficiency tandem solar cells on siliconEuro-MBE 2015, Mar 2015, Canazei, Italy. 2015
Poster de conférence
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Nature of the optical transition in (In,Ga)As(N)/GaP quantum dots (QDs): effect of QD size, indium composition and nitrogen incorporation25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013), May 2013, Kobe, Japan. IEEE (ISSN: 1092-8669 ; e-ISBN: 978-1-4673-6131-6 ; Print ISBN: 978-1-4673-6130-9), IEEE Xplore Digital Library, pp.1-2, 2013, International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), 2013. ⟨10.1109/ICIPRM.2013.6562587⟩
Poster de conférence
hal-00918662v1
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