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Hugues Granier
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Documents
Publications
Potential of BPN as a new negative photoresist for a very thick layer with high aspect ratioMicrosystem Technologies, 2014, 20 (10-11), pp.2089 - 2096. ⟨10.1007/s00542-014-2071-5⟩
Article dans une revue
hal-01873715v1
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BPN a new thick negative photoresist with high aspect ratio for MEMS applicationsMicrosystem Technologies, 2012, 19 (3), pp.419 - 423. ⟨10.1007/s00542-012-1648-0⟩
Article dans une revue
hal-01873690v1
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Micron-to-Submicron Cu electroplating in view of Agile-X LSI Chips Fabrication using Open FacilityENRIS 2023, Renatech Euronanolab, May 2023, Paris Saclay, France
Communication dans un congrès
hal-04131037v1
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Optimization of the energy consumption of the LAAS-CNRS micro and nanotechnologies platformENRIS 2023, C2N; Euronanolab; Renatech, May 2023, Saclay, France
Communication dans un congrès
hal-04104768v1
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Clean room engineers' exchanges: a win/win international collaborationENRIS, May 2023, Paris, Saclay, France
Communication dans un congrès
hal-04476508v1
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Technology transfer of supercritical fluid deposition technology from research group to use in open nanotechnology facilitiesENRIS 2023, Renatech Euronanolab, May 2023, Paris Saclay, France
Communication dans un congrès
hal-04131030v1
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Chip or Wafer -Small quantity fabrication3rd European Symposium on Nanofabrication Research Infrastructure - ENRIS 2023, Renatech Euronanolab, May 2023, Paris Saclay, France
Communication dans un congrès
hal-04131044v1
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Programme et Equipement Prioritaire de Recherche (PEPR) d’accélération électroniqueJournée Technique : Solutions Innovantes pour le Packaging Electronique, Dec 2022, Palaiseau, France
Communication dans un congrès
hal-04224432v1
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Auditable invoicing of audited rates: a methodology for funding of an academic platform operationsEuropean Nanofabrication Research Infrastrcutures Symposium, Jun 2019, Erschende, Netherlands
Communication dans un congrès
hal-02159848v1
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Presentation of “Renatech”, the French network of academic microfabrication clean-roomsENRIS (European Nanofabrication Research Infrastructure Symposium) 2017, Nordic Nanolab Network, May 2017, Trondheim, Norway
Communication dans un congrès
hal-01525171v1
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Les dépôts électrolytiques appliqués aux micro-dispositifs au LAASJournée Toulousaine d'Electrochimie (JTE 2016), Jul 2016, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-01873836v1
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Comparisons of the new thick negative resist to Su8 resistSPIE Advanced Lithography, Feb 2011, San Jose, United States. ⟨10.1117/12.870496⟩
Communication dans un congrès
hal-01873319v1
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Temporary adhesives for wafer bonding: deep reactive ion etching applicationEuropean Microelectronics and Packaging Conference (EMPC 2009), Jun 2009, Rimini, Italy
Communication dans un congrès
hal-03167904v1
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New lateral DMOS and IGBT structures realized on a partial SOI substrate based on LEGO processBipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM2005), Oct 2005, Santa Barbara, United States. pp.74-77
Communication dans un congrès
hal-00385958v1
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Moyens de lithographies de la plateforme de Micro et Nanotechnologies du LAAS-CNRSRenatech Litho Gravure, Jan 2023, Lille, France. 2023
Poster de conférence
hal-03976338v1
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Action concertée transverse PAC: PACkaging et interfaçage électroniqueLancement et première journée scientifique annuelle du PEPR Électronique, Mar 2023, Poitiers, France
Poster de conférence
hal-04389001v1
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AC PAC CR Workshop GREMAN décembre 2023LAAS - CNRS. 2024
Rapport
hal-04395335v1
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Mise au point d'un dépôt HMDS sur la plaque OBDUCAT QS V 200 BM[Rapport Technique] LAAS-CNRS. 2018
Rapport
hal-02572420v1
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Suivi de la réalisation du projet Thermie au 30 juin 2018Région Occitanie. 2018
Rapport
hal-02285816v1
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Notice Technique : Procédure de sortie de molybloc de la chambre d'introduction réacteurs MBE 32 et MBE 2300[Rapport Technique] Rapport LAAS n° 17207, LAAS-CNRS. 2017
Rapport
hal-01542655v2
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Notice Technique : Procédure d'entrée de molybloc dans la chambre d'introduction réacteurs MBE 32 et MBE 2300[Rapport Technique] Rapport LAAS n° 17205, LAAS-CNRS. 2017, 10p
Rapport
hal-01542690v2
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Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAsMicro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1995. Français. ⟨NNT : ⟩
Thèse
tel-00146678v1
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