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Hervé Folliot
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herve-folliot- IdRef : 13913266X
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0000-0002-1392-4865
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Composition dependent nature of the fundamental optical transition in (In,Ga)As/GaP quantum dots26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2014), May 2014, Montpellier, France. pp.Th-B1-2, ⟨10.1109/ICIPRM.2014.6880555⟩
Communication dans un congrès
hal-01114877v1
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gamma-X competition for the optical transition of (In,Ga)As(N)/GaP quantum dots (QDs)European Materials research society meeting EMRS 2013, May 2013, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-00918730v1
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Γ-X competition in (In,Ga)As/GaP quantum dots (QDs) : effect of QD size and Indium compositioneuro-MBE conference, Mar 2013, Levi, Finland
Communication dans un congrès
hal-00918669v1
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Nature of the optical transition in (In,Ga)As(N)/GaP quantum dots (QDs): effect of QD size, indium composition and nitrogen incorporationCompound semiconductors week, IPRM, 2013, May 2013, Kobe, Japan
Communication dans un congrès
hal-00918734v1
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Carrier lifetime and relaxation dynamics in (In)GaAs/GaP quantum dotsInternational Symposium on Physics and Applications of Laser Dynamics IS-PALD, Oct 2013, Paris, France
Communication dans un congrès
hal-00918752v1
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Boîtes quantiques semi-conductrices : relation entre morphologie, structure électronique et propriétés optiquesJournées Nanosciences et Nanotechnologies du Nord Ouest 2013 (J2NO 2013), Nov 2013, Rennes, France
Communication dans un congrès
hal-00918787v1
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Coherent integration of photonics on silicon through the growth of nanostructures on GaP/SiPhotonics west 2012, Jan 2012, San Fransisco, United States. pp.82681H, ⟨10.1117/12.910279⟩
Communication dans un congrès
hal-00654337v1
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Theoretical and experimental study of (In,Ga)As/GaP quantum dotsInternational Conference on Superlattices, Nanostructures, and Nanodevices (ICSNN 2012), Jul 2012, Dresden, Germany. pp.643, ⟨10.1186/1556-276X-7-643⟩
Communication dans un congrès
hal-00726861v1
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coherent integration of photonics on silicon through the growth of GaP/SiTechnical Meeting of Sandie European Network of Excellence, 2012, Berlin, Germany
Communication dans un congrès
hal-00788526v1
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Carrier injection in GaAsP(N)/GaPN Quantum Wells on SiliconCompound Semiconductor Week 2011 - 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2011), May 2011, Berlin, Germany. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00654285v1
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QD laser on InP substrate for 1.55 µm emission and beyondSPIE Photonics West - OPTO 2010, Jan 2010, San Francisco, United States. pp.76081B, ⟨10.1117/12.848398⟩
Communication dans un congrès
hal-00485660v1
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Réalisation d'une DEL à puits quantiques de GaAsP sur substrat GaPINNOV'INSA (Recherche, développement, innovation et transfert à l'INSA), May 2010, Rennes, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504484v1
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Croissance hétérogène de semi-conducteurs III-V sur silicium : vers l'optoélectronique sur siliciumSéminaire PONANT 2010, Jul 2010, Rennes, France. pp.9-11
Communication dans un congrès
hal-00504506v1
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Lasers à boites quantiques sur InP pour les applications télécom à 1,55 µmSéminaire PONANT 2010, Jul 2010, Rennes, France
Communication dans un congrès
hal-00662947v1
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Evidence of lateral coupling on the carrier dynamics in InAs/InP(311)B quantum dotsIndium Phosphide and Related Materials, May 2008, Versailles, France. pp.1-4, ⟨10.1109/ICIPRM.2008.4702968⟩
Communication dans un congrès
hal-00487204v1
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Croissance par MBE de Boites quantiques InP sur GaP/Sijournées nanoscience de Bretagne, Jun 2008, Nantes, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00491778v1
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Light emitting diodes on silicon substrates: preliminary resultsTNT (Trends in Nanotechnologies), Sep 2008, Oviedo, Spain. pp.2212-16, ⟨10.1002/pssc.200881728⟩
Communication dans un congrès
hal-00491905v1
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Toward a light-emitter on Si: Growth of InAs and InP nanostructure on GaP substrate(International Workshop on Semiconductor Quantum Dot Devices and Applications), Jul 2008, Rennes, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00491776v1
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Effect of lateral coupling on the carrier redistribution in InAs/InP(311)B high dots surface densityInternational Workshop on Semiconductor Quantum Dot Devices and Applications, Jul 2008, rennes, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00491786v1
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Photoluminescence de nanostructures sur substrat GaP/SiJournées Nanosciences de Bretagne (JNB2), May 2008, Rennes, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00489402v1
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First step to Si photonics: synthesis of quantum dot light-emitters on GaP substrate by MBE9th International Conference Trends in Nanotechnologies (TNT 2008), Sep 2008, Oviedo, Spain. pp.2207, ⟨10.1002/pssc.200881722⟩
Communication dans un congrès
hal-00491426v1
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Émission de boites quantiques au delà de 1.55 µmJournées Nano-Micro et Optoélectronique, Jun 2008, Oléron, France
Communication dans un congrès
hal-00489409v1
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Preliminary results for the realization of light emitters on silicon substrateSQDA (International Workshop on Semiconductor Quantum Dot Devices and Applications), Jul 2008, Rennes, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00491914v1
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Carrier relaxation dynamics of 1.55 µm InAs/InP quantum dots under high resonant excitation28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006, Jul 2006, Vienne, Austria. pp.991, ⟨10.1063/1.2730228⟩
Communication dans un congrès
hal-00491468v1
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Exciton and biexciton lifetimes in InAs/InP quantum dots emitting at 1.55 µm wavelength under high resonant excitationICSSN (International Conference on SuperLattices, Nano-structures and Nano-Devices), Jul 2006, Istanbul, Turkey. pp.454, ⟨10.1002/pssc.200673214⟩
Communication dans un congrès
hal-00491873v1
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A theoretical and experimental study of lambda>2 µm luminescence of quantum dots on InP substrate28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006, Jul 2006, Vienne, Austria. pp.889, ⟨10.1063/1.2730177⟩
Communication dans un congrès
hal-00491466v1
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Dynamics spectroscopy in 1.55 µm InAs/InP quantum dots under high resonant excitationIWSQDA (International Workshop on Semiconductor quantum dot based devices and applications), Mar 2006, Paris, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00491870v1
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Charge carrier redistribution in ordered Arrays of laterally coupled self-assembled quantum dotsUK Compound Semiconductors conference, Jul 2006, Sheffield, United Kingdom. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00491858v1
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InAs(Sb)/InP(100) quantum dots for mid-infrared emitters: observation of 2.35 μm photoluminescence4th International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD 2006), May 2006, Chamonix, France. pp.3920, ⟨10.1002/pssc.200671622⟩
Communication dans un congrès
hal-00491729v1
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Optical characterisation of InAs/InP self-assembled quantum dots for optimisation of lasing propertiesSandie Optics Task Force meeting, Technische Universitat Berlin, January 12-13 (2006), Jan 2006, Berlin, Germany. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504470v1
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InAsSb/InP quantum dots for midwave infrared emitters : a theoretical studyMid Infrared Optoelectronics : Materials and Devices : MIOMD conference, 2005, Lancaster, United Kingdom. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504452v1
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InAsSb/InGaAs quantum nanostructures on InP (100)substrate: observation of 2.35 μm photoluminescence32nd International Symposium on Compound Semiconductors, Sep 2005, Rust, Germany. pp.524, ⟨10.1002/pssc.200564132⟩
Communication dans un congrès
hal-00491737v1
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Réalisation d'un laser à faible courant de seuil, avec des boites quantiques InAs/InP organisées et couplées latéralement9th Colloquium on Lasers and Quantum Optics (COLOQ 9), Sep 2005, Dijon, France. pp.141, ⟨10.1051/jp4:2006135031⟩
Communication dans un congrès
hal-00491480v1
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First observation of 2.4 microns photoluminescence of InAsSb/InP quantum dots on (100) InP substrateNarrow Gap Semiconductors conference, Jul 2005, Toulouse, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504441v1
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First observation of wavelength greater than 2 microns photoluminescence of quantum dots on InP (100) substrate"Mid Infrared Optoelectronics : Materials and Devices" conference, Lancaster, UK, September (2005)., Sep 2005, Lancaster, United Kingdom. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504462v1
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Carrier dynamics and saturation effect in (311)B InAs/InP quantum dot lasersPHASE 2005, international workshop on physics and applications of semiconductors lasers, 2005, Metz, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504411v1
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Theoretical Description Of The Electronic Coupling Between A Wetting Layer And A QD Superlattice PlaneInternational Conference on Physics of Semiconductors (ICPS 27), Jul 2004, Flagstaff, United States. pp.787, ⟨10.1063/1.1994342⟩
Communication dans un congrès
hal-00504383v1
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Mesure directe de l'absorption optique à 1.55 microns de boites quantiques InAs/InP (113)B et étude de l'influence du couplage boite/couche de mouillage sur les propriétés électroniquesJournées de la matière condensée, 2004, Nancy, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504395v1
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Reciprocal space description of the electronic coupling between a wetting layer and a QD superlattice planeCECAM workshop on "modeling of self-assembled semi-conductors nanostructures", Jun 2004, Lyon, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504404v1
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Mesure directe de l'absorption optique à 1.55 microns de boites quantiques InAs/InP (113)B et étude de l'influence du couplage boite/couche de mouillage sur les propriétés électroniquesjournée des doctorants de Rennes, Dec 2004, Rennes, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504407v1
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Growth and Optical Characterizations of InAs Quantum Dots on InP Substrate: Towards a 1.55 µm Quantum Dot Laser12th international conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2002), Sep 2002, San Francisco (CA), United States. pp.230-235, ⟨10.1016/S0022-0248(02)02473-9⟩
Communication dans un congrès
hal-00151117v1
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Fundamental emission of InAs/InP quantum dots laser at 1.52 µm26th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-26), Aug 2002, Edinburgh, United Kingdom
Communication dans un congrès
hal-00151203v1
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Caractérisations optiques des boites quantiques InAs/InP émettant à 1.55 µm9èmes Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique (JNMO 2002), Oct 2002, Saint-Aygulf, France
Communication dans un congrès
hal-00148534v1
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Lasers à îlots quantiques InAs/InP émettant à 1.53µm sur la transition fondamentale8èmes Journées de la Matière Condensée (JMC8), Sep 2002, Marseille, France
Communication dans un congrès
hal-00151208v1
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Lasers à base d'îlots quantiques InAs/Inp(100) et (311)B9èmes Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique (JNMO 2002), Oct 2002, Saint-Aygulf, France
Communication dans un congrès
hal-00148526v1
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Nature of the optical transition in (In,Ga)As(N)/GaP quantum dots (QDs): effect of QD size, indium composition and nitrogen incorporation25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013), May 2013, Kobe, Japan. IEEE (ISSN: 1092-8669 ; e-ISBN: 978-1-4673-6131-6 ; Print ISBN: 978-1-4673-6130-9), IEEE Xplore Digital Library, pp.1-2, 2013, International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), 2013. ⟨10.1109/ICIPRM.2013.6562587⟩
Poster de conférence
hal-00918662v1
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