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Hervé Folliot
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herve-folliot- IdRef : 13913266X
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0000-0002-1392-4865
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Through investigation of mode-coupling in VECSELs: towards robust dual-frequency operation of a single-axis laserSPIE Photonics West - LASE 2020, Feb 2020, San Francisco, United States
Communication dans un congrès
hal-03019841v1
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Spectral Hole Burning Spectroscopy on Quantum Dashes and Quantum Dots for Dual-Frequency Laser EngineeringCompound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), May 2019, Nara, France. pp.1-2
Communication dans un congrès
hal-02290557v1
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Mode Coupling Measurement in Dual-Frequency Quantum Well-based VECSELCompound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), May 2019, Nara, Japan. pp.1-2
Communication dans un congrès
hal-02290594v1
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1545 nm Quantum Dot Vertical Cavity Surface Emitting Laser with low thresholdCompound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), May 2019, Nara, France
Communication dans un congrès
hal-02290603v1
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1.5 µm Quantum Dots Spectral Hole Burning experiments for dual frequency laser engineering34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2018), Jul 2018, Montpellier, France
Communication dans un congrès
hal-01859151v1
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Enhancement of VCSEL performances using a novel bonding process based on localized electroplating copper through Silicon vias9th European Workshop on VCSELs (VCSEL Day 2016), TU Darmstadt, Jun 2016, Darmstadt, Germany
Communication dans un congrès
hal-01328020v1
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Finely tunable 1.55 µm emitting VeCSELs for embedded and compact optical and microwave systems3rd European Workshop on VeCSELs (VeCSEL 2015), IES - Institut d’Electronique et des Systèmes (Université de Montpellier), Nov 2015, Montpellier, France. pp.23
Communication dans un congrès
hal-01245789v1
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Thermoelectric properties of InAs/InP nanostructuresMicrotechnology and Thermal Problems in Electronics (Microthem 2011), Jun 2011, Lodz, Poland
Communication dans un congrès
hal-00663179v1
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Thermoelectric properties of InAs/InP nanostructuresEuromat 2011, Sep 2011, Montpellier, France
Communication dans un congrès
hal-00663177v1
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Lasers devices based on nanostructures grown on InP substrate for 1.55 μm emissionWorkshop Frontier 2010, Dec 2010, Albi, France
Communication dans un congrès
hal-00589343v1
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Polarization controlled quantum dashes VCSELs15th European Conference on Integrated Optics (ECIO 2010), Apr 2010, Cambridge, United Kingdom
Communication dans un congrès
hal-00485721v1
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Caractérisation dynamique de la stabilité de polarisation des VCSELs a fils quantiques pour la réalisation de sources telecom accordablesSéminaire PONANT 2010, Jul 2010, Rennes, France. pp.15-17
Communication dans un congrès
hal-00589384v1
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QD laser on InP substrate for 1.55 µm emission and beyondSPIE Photonics West - OPTO 2010, Jan 2010, San Francisco, United States. pp.76081B, ⟨10.1117/12.848398⟩
Communication dans un congrès
hal-00485660v1
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Lasers à boites quantiques sur InP pour les applications télécom à 1,55 µmSéminaire PONANT 2010, Jul 2010, Rennes, France
Communication dans un congrès
hal-00662947v1
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Caractérisation dynamique de la stabilité de polarisation des VCSELs à fils quantiques pour les applications télécomJNOG 2010 : 29e journées nationales d'optique guidée, Oct 2010, Besançon, France
Communication dans un congrès
hal-00565930v1
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Evidence of lateral coupling on the carrier dynamics in InAs/InP(311)B quantum dotsIndium Phosphide and Related Materials, May 2008, Versailles, France. pp.1-4, ⟨10.1109/ICIPRM.2008.4702968⟩
Communication dans un congrès
hal-00487204v1
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Design of InGaAs/InP 1.55μm vertical cavity surface emitting lasersInternational Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD '08), Sep 2008, Nottingham, United Kingdom. p 1-2, ⟨10.1109/NUSOD.2008.4668208⟩
Communication dans un congrès
hal-00490938v1
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Effect of lateral coupling on the carrier redistribution in InAs/InP(311)B high dots surface densityInternational Workshop on Semiconductor Quantum Dot Devices and Applications, Jul 2008, rennes, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00491786v1
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Photocurrent study of InAs/GaInAsP(Q1.18) quantum dotsIndium Phosphide and Related Materials (IPRM), May 2008, Versailles, France. pp.309-11, ⟨10.1109/ICIPRM.2008.4702977⟩
Communication dans un congrès
hal-00501639v1
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Réalisation d'un VCSEL à pompage électrique, accordable en longueurd'onde pour la bande CJournées Nationales Optique Guidée JNOG, 2008, Lannion, France
Communication dans un congrès
hal-00485286v1
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InAs quantum wires on InP substrate for VCSEL applicationsIndium Phosphide & Related Materials IPRM, 2008, Versailles, France. pp.1, ⟨10.1109/ICIPRM.2008.4703028⟩
Communication dans un congrès
hal-00485271v1
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Growth of quantum wires for long-wavelength VCSEL with a polarized laser emissionInternational Workshop on Semiconductor Quantum Dot based Devices and Applications (IWSQDA), Mar 2006, Paris, France. p 1-2
Communication dans un congrès
hal-00491379v1
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Low threshold current density (311)B QD lasersSixth International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces, Apr 2006, Nottingham, United Kingdom
Communication dans un congrès
hal-00485670v1
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InAs self-assembled quantum dot and quantum dash lasers on InP for 1.55 µm optical telecommunicationsInternational Conference on Information & Communication Technologies: from Theory to Applications ((ICTTA), 2006, Damascus, Syria. pp.2085, ⟨10.1109/ICTTA.2006.1684723⟩
Communication dans un congrès
hal-00485709v1
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Étude de dispositifs optiques à microcavité verticale pour une émission laser polarisée9ème Colloque sur les Lasers et l'Optique Quantique, Sep 2005, Dijon, France. p. 125-126, ⟨10.1051/jp4:2006135025⟩
Communication dans un congrès
hal-00491469v1
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Réalisation d'un laser à faible courant de seuil, avec des boites quantiques InAs/InP organisées et couplées latéralement9th Colloquium on Lasers and Quantum Optics (COLOQ 9), Sep 2005, Dijon, France. pp.141, ⟨10.1051/jp4:2006135031⟩
Communication dans un congrès
hal-00491480v1
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Design and Fabrication of GaInAsP-InP VCSEL with two a-Si/a-SiNx Bragg ReflectorsInternational Workshop on PHysics & Applications of SEmiconductor LASERS, Mar 2005, Metz, France. p1
Communication dans un congrès
hal-00491400v1
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Carrier dynamics and saturation effect in (311)B InAs/InP quantum dot lasersPHASE 2005, international workshop on physics and applications of semiconductors lasers, 2005, Metz, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504411v1
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Lasers à îlots quantiques InAs/InP émettant à 1.55 µm pompés électriquement10èmes Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique (JNMO 2004), Jun 2004, La Grande Motte, France
Communication dans un congrès
hal-00149423v1
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Mesure directe de l'absorption optique à 1.55 microns de boites quantiques InAs/InP (113)B et étude de l'influence du couplage boite/couche de mouillage sur les propriétés électroniquesjournée des doctorants de Rennes, Dec 2004, Rennes, France. pp.1
Communication dans un congrès
hal-00504407v1
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Growth and Optical Characterizations of InAs Quantum Dots on InP Substrate: Towards a 1.55 µm Quantum Dot Laser12th international conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2002), Sep 2002, San Francisco (CA), United States. pp.230-235, ⟨10.1016/S0022-0248(02)02473-9⟩
Communication dans un congrès
hal-00151117v1
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Fundamental emission of InAs/InP quantum dots laser at 1.52 µm26th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-26), Aug 2002, Edinburgh, United Kingdom
Communication dans un congrès
hal-00151203v1
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Caractérisations optiques des boites quantiques InAs/InP émettant à 1.55 µm9èmes Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique (JNMO 2002), Oct 2002, Saint-Aygulf, France
Communication dans un congrès
hal-00148534v1
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Lasers à îlots quantiques InAs/InP émettant à 1.53µm sur la transition fondamentale8èmes Journées de la Matière Condensée (JMC8), Sep 2002, Marseille, France
Communication dans un congrès
hal-00151208v1
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Lasers à base d'îlots quantiques InAs/Inp(100) et (311)B9èmes Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique (JNMO 2002), Oct 2002, Saint-Aygulf, France
Communication dans un congrès
hal-00148526v1
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Structural & Spectroscopic Study of InAs/InP Quantum Dots for Dual-Frequency Laser Engineering16è Journées Nano, Micro et Optoélectronique (JNMO 2018), Jun 2018, Agay, France
Poster de conférence
hal-01859165v1
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Quantum Dash-based Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser on InPCompound Semiconductor Week 2017 (CSW 2017) - 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017), May 2017, Berlin, Germany.
Poster de conférence
hal-01532477v1
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Class-A Operation of InAs Quantum Dash-based Vertical-External-Cavity Surface-Emitting LaserConference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2017), May 2017, San Jose, United States. OSA (ISBN: 978-1-943580-27-9), OSA Publishing, Tuesday Posters Session (JTu5A), pp. JTu5A.109, 2017, CLEO: Applications and Technology 2017. ⟨10.1364/CLEO_AT.2017.JTu5A.109⟩
Poster de conférence
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Investigation of a Quantum Dot Vertical External-Cavity Surface-Emitting Laser: Towards THz Frequency Generation37è Journées Nationales d'Optique Guidée (JNOG 2017), Jul 2017, Limoges, France. 2017
Poster de conférence
hal-01693879v1
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Enhancement of VCSEL performances with a new bonding processPoster de conférence hal-01328013v1 |
Etudes et caractérisations de V(E)CSELs émettant à 1.55 µm sur InPOptique Bretagne 2015 - 35ème Journées Nationales d'Optique Guidée (JNOG'35), Jul 2015, Rennes, France
Poster de conférence
hal-01245753v1
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