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Dynamic RDS-on degradation analysis on power GaN HEMT by means of TCAD simulations and experimental measurement

 Gaëtan Toulon , Cristina Miccoli , David Trémouilles , Frédéric Morancho , Maria-Eloisa Castagna , et al.
WOCSDICE - EXMATEC 2023 6th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe 17th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies, May 2023, Palerme, Italy
Communication dans un congrès hal-04128305v1
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Mesure de résistance dynamique de HEMT en GaN à l'échelle de la centaine de nanosecondes

 Emmanuel Marcault , David Trémouilles , Karine Isoird , Gaëtan Toulon , Frédéric Morancho , et al.
Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-01361669v1
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Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée

 Audrey Chapelle , Éric Frayssinet , Yvon Cordier , Yohann Spiegel , Leïla Benmosfeta , et al.
Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5
Communication dans un congrès hal-02981903v2
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Hybrid normally-off AlGaN/GaN HEMT using GIT technique with a p-region below the channel

 Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
CSW 2014, May 2014, Montpellier, France
Communication dans un congrès hal-01054235v1
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Performances dynamiques des transistors FLYMOSTM 65 Volts à canal N

 Loïc Théolier , Karine Isoird , Henri Tranduc , Frédéric Morancho , Jaume Roig Guitart , et al.
Electronique de Puissance du Futur (EPF'2006), Jul 2006, GRENOBLE, France. 5 p
Communication dans un congrès hal-01002255v1
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Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V

 Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin , et al.
Symposium de Génie Electrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01102974v1
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Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaN

 Chaymaa Haloui , Gaëtan Toulon , Josiane Tasselli , Yvon Cordier , Éric Frayssinet , et al.
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France
Communication dans un congrès hal-02918372v2
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Conception et réalisation technologique de structures HEMTs AlGaN/GaN normally-off à grille P-GaN

 Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Karine Isoird , Frédéric Morancho , et al.
JEP 2022: Journées des Electroniques de Puissance, Mar 2022, Grenoble, France
Poster de conférence hal-03621863v1
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Étude de faisabilité d'une terminaison de jonction basée sur des tranchées profondes pour des composants haute tension (1200 V)

 Hicham Mahfoz-Kotb , Loïc Théolier , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Pascal Dubreuil , et al.
XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-01002269v1
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Conception de transistors MOS haute tension (1 200 volts) pour l'électronique de puissance

 Loïc Théolier , Hicham Mahfoz-Kotb , Karine Isoird , Frédéric Morancho
European Journal of Electrical Engineering, 2010, 13 (2), pp.227-252. ⟨10.3166/ejee.13.227-252⟩
Article dans une revue hal-00991584v1
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DC Gate Leakage Current Model Accounting for Trapping Effects in AlGaN/GaN HEMTs

 Raul Perez Rodriguez , Benito González , Javier Garcia , Gaëtan Toulon , Frédéric Morancho , et al.
Electronics, 2018, 7 (10), pp.210. ⟨10.3390/electronics7100210⟩
Article dans une revue hal-01955666v1

A new concept of enhanced-mode GaN HEMT using fluorine implantation in the GaN layer

 Saleem Hamady , Frederic Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
European conference on Power electronics and applications, 2013, pp.1-6. ⟨10.1109/EPE.2013.6631904⟩
Article dans une revue hal-04106650v1

A solution for channel electron migration in normally-off MIS-HEMT with buried fluorine ions

 Saleem Hamady , Bilal Beydoun , Frederic Morancho
ICM '11 International Conference on Microelectronics, 2017, pp.1-4. ⟨10.1109/ICM.2017.8268868⟩
Article dans une revue hal-04106678v1

Design and realisation of deep trench superjunction diode dor 600 V applications

 Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin , et al.
European Journal of Electrical Engineering, 2015, ⟨10.3166/EJEE.17.345-361⟩
Article dans une revue hal-01280199v1
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Recessed and P-GaN regrowth gate development for normally-off AlGaN/GaN HEMTs

 Chaymaa Haloui , Toulon Gaëtan , Josiane Tasselli , Yvon Cordier , Éric Frayssinet , et al.
28 International Conference MIXED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, Jun 2020, Wroclow, Poland
Communication dans un congrès hal-02922723v1
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Micro-Raman Spectroscopy Study of Vertical GaN Schottky Diode

 Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Soufiane Saidi , Thi Huong Ngo , Philippe de Mierry , et al.
Crystals, 2023, 13 (5), pp.713. ⟨10.3390/cryst13050713⟩
Article dans une revue hal-04099071v1

A New Junction Termination Using a Deep Trench Filled With BenzoCycloButene

 Loïc Théolier , Hicham Mahfoz-Kotb , Karine Isoird , Frédéric Morancho , Sandrine Assié-Souleille , et al.
IEEE Electron Device Letters, 2009, 30 (6), pp.687 - 689. ⟨10.1109/LED.2009.2020348⟩
Article dans une revue hal-00991660v1
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P-doped region below the AlGaN/GaN interface for normally-off HEMT

 Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
16th Conference on Power Electronics and Applications, EPE’14-ECCE Europe, Aug 2014, Lappeenranta, Finland. pp.1 - 8, ⟨10.1109/EPE.2014.6910769⟩
Communication dans un congrès hal-01108922v1
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AlGaN/GaN MIS-HEMT gate structure improvement using Al2O3 deposited by PEALD

 Richard Meunier , Alphonse Torres , Matthew Charles , Erwan Morvan , Marc Plissonnier , et al.
224th ECS Meeting, Oct 2013, San Francisco, United States. pp.269-277, ⟨10.1149/05804.0269ecst⟩
Communication dans un congrès hal-01054216v1
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Propriétés statiques et dynamiques du transistor MOS de puissance à tranchées (UMOS) “basse-tension”

 Frédéric Morancho , P. Rossel , Henri Tranduc
Journal de Physique III, 1996, 6 (2), pp.301-322. ⟨10.1051/jp3:1996124⟩
Article dans une revue jpa-00249456v1
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Le transistor MOS de puissance à tranchées : modélisation et limites de performances

 Frédéric Morancho
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1996. Français. ⟨NNT : ⟩
Thèse tel-00165581v1

Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs based on selective area regrowth of a P-GaN gate in nanostructured patterns

 Daniel Rouly , Patrick Austin , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , et al.
EMRS-2022 Fall Meeting European Materials Research Society, Sep 2022, Varsovie, Poland
Communication dans un congrès hal-03697766v1

Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of SiO(2)/GaN interfaces

 Elias Al Alam , I. Cortes , Marie-Paule Besland , Antoine Goullet , L. Lajaunie , et al.
Journal of Applied Physics, 2011, 109 (8), pp.084511. ⟨10.1063/1.3572236⟩
Article dans une revue hal-00849472v1
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HEMT with fluorine implanted below the AlGaN/GaN interface for normally-off operation

 Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
20th LAAS International Science Conference Advanced Research for Better Tomorrow, Mar 2014, Hadath, Lebanon
Communication dans un congrès hal-00994826v1
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Multiphysics Characterizations of Vertical GaN Schottky Diodes

 Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Soufiane Saidi , Thi Huong Ngo , P. de Mierry , et al.
2022 Compound Semiconductor Week (CSW), Jun 2022, Ann Arbor, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/CSW55288.2022.9930447⟩
Communication dans un congrès hal-03844585v1

Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs

 Loïc Théolier , Karine Isoird , Henri Tranduc , Frédéric Morancho , Jaume Roig Guitart , et al.
Microelectronics Journal, 2008, 39 (6), pp.914-921. ⟨10.1016/j.mejo.2007.11.009⟩
Article dans une revue istex hal-00991676v1
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Anisotropic Deep Reactive Ion Etching without Aspect Ratio Dependence Etching for silicon power devices

 Aurélie Lecestre , Pascal Dubreuil , Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Éric Imbernon , et al.
PESM 2014 (Plasma Etch and Strip in Microtechnology), May 2014, Grenoble, France. 2p
Communication dans un congrès hal-01054251v1
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Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices

 Zahraa Zaidan , Nedal Al Taradeh , Christophe Rodriguez , Abdelatif Jaouad , Ali Soltani , et al.
Conférence Euro-méditerranéenne Matériaux, Composants et Systèmes EMCM-DS, Oct 2022, Fes, Morocco
Communication dans un congrès hal-03946187v1
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Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes

 Loïc Théolier , Karine Isoird , Frédéric Morancho , Jaume Roig Guitart
ISP3D, Oct 2006, Montpellier, France
Communication dans un congrès hal-01005697v1
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Investigation of BV dss instability in trench power MOSFET through DLTS, electrical characterization and TCAD simulations

 Marina Ruggeri , Patrick Calenzo , Frédéric Morancho , Lia Masoero , Rosalia Germana , et al.
35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2023), May 2023, Hong Kong, China. pp.36-39, ⟨10.1109/ISPSD57135.2023.10147489⟩
Communication dans un congrès hal-04141241v1
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