Étude de faisabilité d'une terminaison de jonction basée sur des tranchées profondes pour des composants haute tension (1200 V)
Hicham Mahfoz-Kotb
,
Loïc Théolier
,
Frédéric Morancho
,
Karine Isoird
,
Pascal Dubreuil
,
et al.
XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008) , Jul 2008, TOURS, France. 4 p
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Conception de transistors MOS haute tension (1 200 volts) pour l'électronique de puissance
Loïc Théolier
,
Hicham Mahfoz-Kotb
,
Karine Isoird
,
Frédéric Morancho
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DC Gate Leakage Current Model Accounting for Trapping Effects in AlGaN/GaN HEMTs
Raul Perez Rodriguez
,
Benito González
,
Javier Garcia
,
Gaëtan Toulon
,
Frédéric Morancho
,
et al.
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Design and realisation of deep trench superjunction diode dor 600 V applications
Sylvain Noblecourt
,
Josiane Tasselli
,
Frédéric Morancho
,
Karine Isoird
,
Patrick Austin
,
et al.
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Recessed and P-GaN regrowth gate development for normally-off AlGaN/GaN HEMTs
Chaymaa Haloui
,
Toulon Gaëtan
,
Josiane Tasselli
,
Yvon Cordier
,
Éric Frayssinet
,
et al.
28 International Conference MIXED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS , Jun 2020, Wroclow, Poland
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Micro-Raman Spectroscopy Study of Vertical GaN Schottky Diode
Atse Julien Eric N’dohi
,
Camille Sonneville
,
Soufiane Saidi
,
Thi Huong Ngo
,
Philippe de Mierry
,
et al.
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A new concept of enhanced-mode GaN HEMT using fluorine implantation in the GaN layer
Saleem Hamady
,
Frederic Morancho
,
Bilal Beydoun
,
Patrick Austin
,
Mathieu Gavelle
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A solution for channel electron migration in normally-off MIS-HEMT with buried fluorine ions
Saleem Hamady
,
Bilal Beydoun
,
Frederic Morancho
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Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaN
Chaymaa Haloui
,
Josiane Tasselli
,
Karine Isoird
,
David Trémouilles
,
Patrick Austin
,
et al.
Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM) , Jun 2019, Montpellier, France
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Comparison of Electrical Behavior of GaN-Based MOS Structures Obtained by Different PECVD Process
Elias Al Alam
,
Ignasi Cortés
,
T. Begou
,
Antoine Goullet
,
Frédéric Morancho
,
et al.
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MULTIPHYSICS CHARACTERIZATIONS OF VERTICAL GaN SCHOTTKY DIODES
Atse Julien Eric N’dohi
,
Camille Sonneville
,
Soufiane Saidi
,
Thi Huong Ngo
,
P. de Mierry
,
et al.
POWER 2021 (IMAPS) , Nov 2021, Tours, France
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Characterization of m-GaN and a-GaN Crystallographic Planes after Being Chemically Etched in TMAH Solution
Nedal Al Taradeh
,
Eric Frayssinet
,
Christophe Rodriguez
,
Frédéric Morancho
,
Camille Sonneville
,
et al.
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AlGaN/GaN MIS-HEMT gate structure improvement using Al2O3 deposited by Plasma-Enhanced ALD
Richard Meunier
,
Alphonse Torres
,
Erwan Morvan
,
Matthew Charles
,
P. Gaud
,
et al.
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Perfectionnements apportés aux diodes Schottky
N. Cézac
,
Frédéric Morancho
,
Henri Tranduc
,
Pierre Rossel
France, N° de brevet: 00 401643.2-2203. Rapport LAAS n° 00219. 2000
Brevet
hal-01862318v1
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Switching Performance of 65 Volts Vertical N-Channel FLYMOSFETs
Loïc Théolier
,
Karine Isoird
,
Henri Tranduc
,
Frédéric Morancho
,
Jaume Roig Guitart
,
et al.
8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06 , Aug 2006, Pragues, Czech Republic. pp.117-122
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Scalable normally-off MIS-HEMT using Fluorine implantation below the channel
Saleem Hamady
,
Frédéric Morancho
,
Bilal Beydoun
,
Patrick Austin
,
Mathieu Gavelle
SPEEDAM 2014 , Jun 2014, Ischia, Italy
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Enhancement mode HEMT using fluorine implantation below the channel
Saleem Hamady
,
Frédéric Morancho
,
Bilal Beydoun
,
Patrick Austin
,
Mathieu Gavelle
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istex
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TCAD Simulation of the Single Event Effects in Normally-off GaN Transistors after Heavy Ion Radiation
Moustafa Zerarka
,
Patrick Austin
,
Alain Bensoussan
,
Frédéric Morancho
,
André Durier
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A new junction termination technique: The Deep Trench Termination (DT²)
Loïc Théolier
,
Hicham Mahfoz-Kotb
,
Karine Isoird
,
Frédéric Morancho
21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), 2009. , Jun 2009, Barcelona, Spain. pp.176-179,
⟨10.1109/ISPSD.2009.5158030⟩
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Analysis and optimization of lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) PMOS transistor with an NBL layer in the drift region
Ignasi Cortés
,
Gaëtan Toulon
,
Frédéric Morancho
,
David Flores
,
Elsa Hugonnard-Bruyère
,
et al.
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Étude paramétrique des performances statiques du transistor DT-SJMOS 1200 V
Loïc Théolier
,
Hicham Mahfoz-Kotb
,
Karine Isoird
,
Frédéric Morancho
XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008) , Jul 2008, TOURS, France. 4 p
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Experimental validation of the "FLoating Island" concept: A 95 Volts Vertical breakdown voltage FLIDiode
Stéphane Alves
,
Frédéric Morancho
,
Jean Michel Reynes
,
J. Margherita
,
I. Deram
,
et al.
7th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'04) , Aug 2004, Pragues, Czech Republic. pp.47-50
Communication dans un congrès
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Validation expérimentale du concept des "îlots flottants": réalisation d'une FLIdiodes verticale 95 volts
Stéphane Alves
,
Frédéric Morancho
,
Jean Michel Reynes
,
J. Margherita
,
I. Deram
,
et al.
Seminario Annual de Automática, Electronica Industrial e Instrumentación Electronique de Puissance du Futur , Sep 2004, TOULOUSE, France. pp.4 PAGES
Communication dans un congrès
hal-01002131v1
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Comprehensive characterization of vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes
P. Vigneshwara Raja
,
Christophe Raynaud
,
Camille Sonneville
,
Atse Julien Eric N’dohi
,
Hervé Morel
,
et al.
Article dans une revue
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Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices
Zahraa Zaidan
,
Nedal Al Taradeh
,
Christophe Rodriguez
,
Abdelatif Jaouad
,
Ali Soltani
,
et al.
Conférence Euro-méditerranéenne Organisé par Matériaux, Composants et Systèmes (EMCMDS) , Nov 2022, Fez, Morocco
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Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes
Loïc Théolier
,
Karine Isoird
,
Frédéric Morancho
,
Jaume Roig Guitart
ISP3D , Oct 2006, Montpellier, France
Communication dans un congrès
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Design Optimization of a New Nanostructured P-GaN Gate for Normally-off GaN HEMTs
Daniel Rouly
,
Josiane Tasselli
,
Patrick Austin
,
Chaymaa Haloui
,
Karine Isoird
,
et al.
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Investigation of BV dss instability in trench power MOSFET through DLTS, electrical characterization and TCAD simulations
Marina Ruggeri
,
Patrick Calenzo
,
Frédéric Morancho
,
Lia Masoero
,
Rosalia Germana
,
et al.
Communication dans un congrès
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Anisotropic Deep Reactive Ion Etching without Aspect Ratio Dependence Etching for silicon power devices
Aurélie Lecestre
,
Pascal Dubreuil
,
Sylvain Noblecourt
,
Josiane Tasselli
,
Éric Imbernon
,
et al.
PESM 2014 (Plasma Etch and Strip in Microtechnology) , May 2014, Grenoble, France. 2p
Communication dans un congrès
hal-01054251v1
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The DT-SJMOSFET : a new power MOSFET strucure for high-voltage applications
Loïc Théolier
,
Frédéric Morancho
,
Karine Isoird
,
Hicham Mahfoz-Kotb
,
Henri Tranduc
2nd International Conference on Automotive Power Electronics (APE 2007) , Sep 2007, PARIS, France. 8 p
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