Frédéric Houzé
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Electrical characterization of PA-MBE grown GaN nanowires via conductive probe AFM - Effect of load and generator resistancesSummer School of the GDR-PULSE network, Jul 2021, Porquerolles, France
Communication dans un congrès
hal-03844452v1
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GaN nanowires based piezoelectric generators13th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS13, Jul 2019, Bellevue, United States
Communication dans un congrès
hal-02154041v1
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Apport de l'AFM à pointe conductrice pour la caractérisation des performances de piézo-génération de nanofils GaN22ème Forum des Microscopies à Sondes Locales, Mar 2019, Carry-le-Rouet, France. pp.167
Communication dans un congrès
hal-02152858v1
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Piezoelectric properties of axial InGaN/GaN NanowiresJournées Nationales des Nanofils semiconducteurs - J2N 2019, Nov 2019, Lyon, France
Communication dans un congrès
hal-02337971v1
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Piezoelectric energy nanoharvester based on vertically-aligned GaN nanowiresNanowire Week 2019, Sep 2019, Pise, Italy
Communication dans un congrès
hal-02337899v1
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Piezoelectric properties of GaN Nanowires: Effect of their conductivityJournées Nationales des Nanofils semiconducteurs - J2N 2019, Nov 2019, Lyon, France
Communication dans un congrès
hal-02337953v1
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Energy harvesting efficiency in GaN nanowires based nanogenerators: the critical influence of the Schottky nanocontact4th International Conference on Nanogenerators and Piezotronics (NGPT2018), May 2018, Seoul, South Korea
Communication dans un congrès
hal-01798304v1
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Characterization of the piezoelectric-conversion properties of III-Nitride nanowires by conducting probe atomic force microscopy in intermittent contact mode4th International Conference on Nanogenerators and Piezotronics (NGPT2018), May 2018, Seoul, South Korea
Communication dans un congrès
hal-01798287v1
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Piezoelectric conversion with InGaN/GaN nanowire heterostructures12th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS 12, Jul 2017, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-01591417v1
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High Sensitivity Piezogenerator Based on GaN NanowiresEurosensors 2017, Sep 2017, Paris, France. pp.587, ⟨10.3390/proceedings1040587⟩
Communication dans un congrès
hal-01591362v1
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Piezo-Generator Integrating Vertical Array of GaN Nanowires: A new alternative energy source for nomad electronicsWTE 2016, Oct 2016, Paris-Saclay, France
Communication dans un congrès
hal-01631168v1
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GaN nanowires for piezoelectric energy harvesting : Towards wireless sensorsEnergy Materials Nanotechnology (EMN) Spring Meeting 2016, Mar 2016, Taipei, Taiwan
Communication dans un congrès
hal-01315747v1
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Nitride Nanowires: From Rigid to Flexible Piezo-generatorsPowerMEMS 2016, Dec 2016, Paris, France. ⟨10.1088/1742-6596/773/1/012010⟩
Communication dans un congrès
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GaN nanowires based piezogenerator - Investigation of the GaN nanowires potentiality for the development of piezogeneratorsCinquièmes Journées Nationales sur la Récupération et le Stockage d'Energie , May 2015, Orsay, France. pp.21-22
Communication dans un congrès
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Piezoelectric Potential of GaN Nanowires: Towards Efficient Output Piezo-generatorsAtelier Nucléation Croissance et Surfaces Hétérogènes du GDR PULSE (Processus ULtimes en épitaxie de SEmiconducteurs), Apr 2014, Valbonne, France
Communication dans un congrès
hal-01099228v1
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Formation de matière sur des surfaces imagées par AFM en mode intermittent : un artefact inattendu19e Forum des Microscopies à Sonde Locale, Mar 2016, Sochaux-Montbéliard, France. Actes du 19e Forum des Microscopies à Sonde Locale
Poster de conférence
hal-01317764v1
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GaN nanowires based piezogeneratorNanowires 2015, Oct 2015, Barcelone, Spain. pp.110, Nanowires 2015 - Book of Abstracts - Poster Sessions
Poster de conférence
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Effect of the AlN interfacial layer on the piezoelectric properties of GaN nanowiresRéunion plénière des GDR PULSE (Processus ULtimes en épitaxie de SEmiconducteurs) et NNS (NanoFils, Nanotubes, Semiconducteurs), Oct 2014, Toulouse, France
Poster de conférence
hal-01338879v1
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