Frédéric Genty
42
Documents
Identifiants chercheurs
- frederic-genty
- IdRef : 13776670X
Présentation
Professeur à CentraleSupélec
Délégué à la Recherche du campus de Metz
Membre permanent du Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS) - Axe "Matériaux fonctionnels"
Centres d'intérêts: Matériaux pour l'Optique et la la Photonique - Composants - Systèmes
Professeur à CentraleSupélec
Délégué à la Recherche du campus de Metz
Membre permanent du Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS) - Axe "Matériaux fonctionnels"
Centres d'intérêts: Matériaux pour l'Optique et la la Photonique - Composants - Systèmes
Publications
- 3
- 2
- 2
- 2
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 42
- 23
- 13
- 13
- 11
- 10
- 10
- 8
- 7
- 7
- 7
- 7
- 7
- 6
- 6
- 6
- 5
- 5
- 5
- 5
- 4
- 3
- 3
- 3
- 3
- 3
- 3
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 6
- 3
- 2
- 2
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 2
- 1
- 1
- 2
- 1
- 4
- 11
- 2
- 5
- 4
- 6
- 1
- 1
- 1
- 2
|
GaAs/AlOx high-contrast grating mirrors for mid-infrared VCSELsPhotonics West, SPIE, Feb 2015, San Francisco, United States. pp.93720S-93720S-9, ⟨10.1117/12.2084515⟩
Communication dans un congrès
hal-01132804v1
|
|
Parameter-tolerant design of high contrast gratingsPhotonics West, SPIE, Feb 2015, San Francisco, United States. pp.93720N-93720N-8, ⟨10.1117/12.2081595⟩
Communication dans un congrès
hal-01132683v1
|
Technologies of oxide confinement and high contrast grating mirrors for mid-infrared VCSELsICTON 2014, Jul 2014, Graz, Austria. pp.1-4, ⟨10.1109/ICTON.2014.6876343⟩
Communication dans un congrès
hal-01108786v1
|
|
AlOx/GaAs high contrast grating mirrors for mid infrared VCSELsICTON 2012, Jul 2012, Coventry, United Kingdom. pp.1-3, ⟨10.1109/ICTON.2012.6254396⟩
Communication dans un congrès
hal-00772551v1
|
|
GaAs-based monolithic high contrast gratings for mid-infrared VCSELsSemiconductor and Integrated OptoElectronics 2012 (SIOE), 2012, Cardiff, United Kingdom
Communication dans un congrès
hal-01862190v1
|
|
Optimized GaAs High Contrast Grating Design and Fabrication for Mid-infrared Application at 2.3 μmFrontiers in Optics 2011, Oct 2011, San Jose, United States. pp.CD-ROM Proceedings
Communication dans un congrès
hal-00642181v1
|
|
GaSb-based VCSELs emitting in the mid-infrared wavelength range (2-3 µm) grown by molecular beam epitaxy15th Int. Conf. on Molecular-Beam Epitaxy (MBE-15), 2009, Vancouver, Canada
Communication dans un congrès
hal-01826633v1
|
|
GaSb-based mid-IR electrically-pumped VCSELs covering the wavelength range from 2.3 to 2.7 µmCLEO Europe - EQEC 2009, Jun 2009, Munich, Germany. pp.1-1, ⟨10.1109/CLEOE-EQEC.2009.5192675⟩
Communication dans un congrès
hal-00429890v1
|
|
Monolithic, Sb-based Electrically pumped VCSELs emitting at 2.3µmIEEE IPRM 2008, 2008, Versailles, France
Communication dans un congrès
hal-01825799v1
|
|
Réalisation de lasers VCSELs pompés électriquement émettant au dessus de 2.2µm en régime continu à température ambiante12èmes Journées Nano et Micro-électronique et Optoélectronique, 2008, Oléron, France
Communication dans un congrès
hal-01826545v1
|
|
GaSb-based microcavity EP-VCSEL emitting above 2.2µm in CW at RTIEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC), 2008, Sorrento, Italy
Communication dans un congrès
hal-01825836v1
|
|
GaSb-based VCSELs emitting in the mid-infrared wavelength range (2-3 µm) grown by molecular beam epitaxyInternational Molecular Beam Epitaxy Conference (MBE international), 2008, Vancouver, Canada
Communication dans un congrès
hal-01785734v1
|
|
Room Temperature, Sb-Based Monolithic EP-VCSEL at 2.3 µm Including 2 N-Type DBRIEEE Conference on Laser and Electro-Optics,, 2008, San Jose, United States
Communication dans un congrès
hal-01825809v1
|
|
Recent progress on electrically-pumped GaSb-based VCSELs emittingabove 2 µm for sensing applicationsMIOMD IX, 2008, Freiburg, Germany
Communication dans un congrès
hal-01785770v1
|
|
2.3 um Single-mode tunable lasers in cw at RT: design and characterization8th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies (EXMATEC), 2006, Cadix, Spain
Communication dans un congrès
hal-01798501v1
|
|
2-2.7µm Single-frequency tunable Sb-based lasers operating in cw at RTPhotonics Europe (SPIE), 2006, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-01797236v1
|
|
2-2.7μm single frequency tunable Sb-based lasers operating in CW at RT: microcavity and external cavity VCSELs, DFBProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2006, Strasbourg, France. ⟨10.1117/12.663448⟩
Communication dans un congrès
hal-01793363v1
|
|
Overview of Laser diodes (FP, QCL, DFB, and VCSEL) for trace gas analysis grown by the University of Montpellier6th international conference Tunable Diode Laser Spectroscopy (TDLS), 2005, Florence, Italy
Communication dans un congrès
hal-01797293v1
|
|
2-3µm Single-frequency tunable Sb-based lasers operating in cw at RTInternational Conference on Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD), 2005, Lancaster, United Kingdom
Communication dans un congrès
hal-01797256v1
|
|
Single-frequency tunable Sb-based semiconductor lasers emitting in cw at 300K in the 2.3µm spectral rangeInternational Workshop on Stable Isotope Ratio Infrared Spectrometry (SIRIS), 2004, Vienne, Austria
Communication dans un congrès
hal-01797307v1
|
|
Recent progress on the heterostructures grown by MBE on GaSb and InAs. Overview of laser diodes (FP, QCL, DFB and VCSEL) and applications (trace gas analysis)IXèmes Journées Maghrébines sur les Sciences des Matériaux (JMSM), 2004, Oran, Algeria
Communication dans un congrès
hal-01797320v1
|