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MODELING OF BUNDLE WITH RADIATED LOSSES FOR BCI TESTING

Fabrice Duval , Bélhacène Mazari , Olivier Maurice , F. Fouquet , Anne Louis , et al.
3rd International Workshop on Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits, Nov 2002, Toulouse, France. pp. 27-30
Communication dans un congrès hal-00517762v1

Experimental study of 600V GaN transistor under the short-circuit aging tests

J-Z. Fu , F. Fouquet , M. Kadi , Pascal Dherbécourt
2018 19th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON), May 2018, Marrakech, France. pp.249-253, ⟨10.1109/MELCON.2018.8379102⟩
Communication dans un congrès hal-02181678v1

Gate Oxide Degradation of SiC MOSFET under Short-Circuit Aging Tests

S. Mbarek , F. Fouquet , Pascal Dherbécourt , Mohamed Lamine Masmoudi , O. Latry
Microelectronics Reliability, 2016, 64, pp.415-418. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.132⟩
Article dans une revue hal-01954256v1

Etude du fonctionnement d'une chamber réverbérante en presence d'objets absorbants

Habib Boulzazen , François Fouquet , Alain Reineix
16ème Colloque International et Exposition sur la Compatibilité Electromagnétique - CEM 2012, Apr 2012, Rouen, France. pp.Sessions 6B
Communication dans un congrès hal-00776204v1

Electrical predictive model of Zener diode under pulsed EOS

F. Zhu , M. Kadi , François Fouquet , B. Ravelo
Electronics Letters, 2015, 51 (4), pp.327-328. ⟨10.1049/el.2014.4311⟩
Article dans une revue hal-02407347v1

Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques

Mbarek Safa , Pascal Dherbécourt , François Fouquet , Olivier Latry
Télécom & JFMMA, 2015, Meknès, Maroc
Communication dans un congrès hal-02407378v1

Experimental investigation of Zener diode reliability under pulsed Electrical Overstress (EOS)

F. Zhu , F. Fouquet , B. Ravelo , A. Alaeddine , Moncef Kadi
Microelectronics Reliability, 2013, 53 (9-11), pp.1288-1292. ⟨10.1016/j.microrel.2013.07.077⟩
Article dans une revue hal-02306929v1

Evolution of C-V and I-V characteristics for a commercial 600 V GaN GIT power device under repetitive short-circuit tests

J.Z. Fu , F. Fouquet , M. Kadi , Pascal Dherbécourt
Microelectronics Reliability, 2018, 88-90, pp.652-655. ⟨10.1016/j.microrel.2018.06.034⟩
Article dans une revue hal-02181673v1

Le bruit en électronique radiofréquence et sa mesure

François Fouquet
ISTE Editions, 2019, 9781784056186
Ouvrages hal-02407366v1

Behavoir study of a 600v gan transistor under short-circuit experimental test

Jian Zhi Fu , Francois Fouquet , Moncef Kadi , Pascal Dherbécourt
TELECOM 2017 et 10ème JFMMA, May 2017, Rabat, Morocco
Communication dans un congrès hal-02310344v1

Short-circuit robustness test and in depth microstructural analysis study of SiC MOSFET

S. Mbarek , Pascal Dherbécourt , O. Latry , F. Fouquet
Microelectronics Reliability, 2017, 76-77, pp.527 - 531. ⟨10.1016/j.microrel.2017.07.002⟩
Article dans une revue hal-01766126v1

Robustness Study of SiC MOSFET Under Harsh Electrical and Thermal Constraints

Mbarek Safa , Pascal Dherbécourt , O. Latry , Francois Fouquet , Othman Dhouha , et al.
CENICS, 2014, Lisbonne, Portugal
Communication dans un congrès hal-01700474v1

Experimental and microscopic analysis of 600V GaN-GIT under the short-circuit aging tests

Jian Zhi Fu , François Fouquet , Moncef Kadi , Pascal Dherbécourt , Fabien Cuvilly
International Journal of Information Science & Technology, 2019
Article dans une revue hal-02295904v1

PHM method for detecting degradation of GaN HEMT ON resistance, application to power converter

H. Boulzazen , Chawki Douzi , Eric Joubert , Pascal Dherbécourt , Moncef Kadi , et al.
e-Prime – Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, 2022, 2, pp.100060. ⟨10.1016/j.prime.2022.100060⟩
Article dans une revue hal-03872112v1

Aging of GaN GIT under repetitive short-circuit tests

J-Z. Fu , F. Fouquet , Moncef Kadi , Pascal Dherbécourt
2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia), May 2018, Xi'an, China. pp.189-193, ⟨10.1109/WiPDAAsia.2018.8734539⟩
Communication dans un congrès hal-02306848v1