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Dynamics of Gold Droplet Formation on SiO 2 /Si(111) Surface
Hadi Hijazi
,
Frédéric Leroy
,
Guillaume Monier
,
Gabin Grégoire
,
Evelyne Gil
,
et al.
Article dans une revue
hal-02992036v1
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Anomalous ambipolar transport in depleted GaAs nanowires
H. Hijazi
,
D. Paget
,
A C H Rowe
,
G. Monier
,
K. Lahlil
,
et al.
Article dans une revue
hal-03716704v1
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Optical and structural analysis of ultra-long GaAs nanowires after nitrogen-plasma passivation
Yamina André
,
Nebile Isik Goktas
,
Guillaume Monier
,
Hadi Hijazi
,
Hussein Mehdi
,
et al.
Article dans une revue
hal-02997616v1
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Study of doping in GaAs layers by local probe techniques : micro-Raman, micro-photoluminescence and cathodoluminescence
B. Gerard
,
Évelyne Gil-Lafon
,
J. Napierala
,
A.M. Ardilla
,
O. Martinez
,
et al.
2003, pp.79
Communication dans un congrès
hal-00101887v1
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Growth of high aspect ratio semiconductor (nano)structures: back to basics of crystallogenesis
Evelyne Gil
NSP 2016 : Nanostructures for Photonics, Jun 2016, Saint Pétersbourg, Russia
Communication dans un congrès
hal-01656066v1
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Selective Area Growth of GaAs Nanowires and Microplatelet Arrays on Silicon by Hydride Vapor-Phase Epitaxy
Mohammed Zeghouane
,
Gabin Grégoire
,
Emmanuel Chereau
,
Geoffrey Avit
,
Philipp Staudinger
,
et al.
Article dans une revue
hal-04326767v1
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Submicrometer scale growth morphology control : a new route for the making of photonic crystral structures ?
Évelyne Gil-Lafon
,
Agnès Trassoudaine
,
D. Castelluci
,
A. Pimpinelli
,
R. Saoudi
,
et al.
Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, 2004, pp.5250. ⟨10.1117/12.513376⟩
Article dans une revue
hal-00272536v1
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Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-D microstructures in SAG-HVPE
Geoffrey Avit
,
Mohammed Zeghouane
,
Yamina André
,
Dominique Castelluci
,
Evelyne Gil
,
et al.
Article dans une revue
hal-03217102v1
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Long catalyst-free InAs nanowires grown on silicon by HVPE
Gabin Grégoire
,
Evelyne Gil
,
Mohammed Zeghouane
,
Catherine Bougerol
,
Hadi Hijazi
,
et al.
Article dans une revue
hal-04326984v1
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Selective Area Growth by Hydride Vapor Phase Epitaxy and Optical Properties of InAs Nanowire Arrays
Gabin Grégoire
,
Mohammed Zeghouane
,
Curtis Goosney
,
Nebile Isik Goktas
,
Philipp Staudinger
,
et al.
Article dans une revue
hal-03336861v1
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Submicrometer scale growth morphology control for the making of photonic crystal structures.
Évelyne Gil-Lafon
,
Agnès Trassoudaine
,
D. Castelluci
,
A. Pimpinelli
,
R. Saoudi
,
et al.
Mat. Res. Soc. Symp. Proceedings, 2004, pp.Z.2.3.1
Article dans une revue
hal-00272535v1
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Two-particle surface diffusion-reaction models of vapour-phase epitaxial growth on vicinal surfaces.
A. Pimpinelli
,
R. Cadoret
,
Évelyne Gil-Lafon
,
J. Napierala
,
Agnès Trassoudaine
Journal of Crystal Growth, 2003, pp.13
Article dans une revue
hal-00272617v1
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Morphological Control of InN Nanorods by Selective Area Growth–Hydride Vapor-Phase Epitaxy
Mohammed Zeghouane
,
Geoffrey Avit
,
Yamina Andre
,
Thierry Taliercio
,
Pierre Ferret
,
et al.
Article dans une revue
hal-02532717v1
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Spontaneously formation of GaN/AlN core-shell nanowires on sapphire by hydride vapor phase epitaxy
Agnès Trassoudaine
,
Geoffrey Avit
,
Yamina André
,
Mohammed Réda Ramdani
,
Elissa Roche
,
et al.
Article dans une revue
hal-01385444v1
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Direct condensation modelling for a two-particle growth system : application to GaAs grown by HVPE.
Évelyne Gil-Lafon
,
J. Napierala
,
A. Pimpinelli
,
R. Cadoret
,
Agnès Trassoudaine
Article dans une revue
istex
hal-00272616v1
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HVPE-based orientation-patterned GaAs : added-value for non-linear applications.
D. Faye
,
E. Lallier
,
A. Grisard
,
B. Gerard
,
Évelyne Gil-Lafon
Article dans une revue
hal-00272534v1
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Si Doping of Vapor–Liquid–Solid GaAs Nanowires: n-Type or p-Type?
Hadi Hijazi
,
Guillaume Monier
,
Evelyne Gil
,
Agnès Trassoudaine
,
Catherine Bougerol
,
et al.
Article dans une revue
hal-04327004v1
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Vapor liquid solid-hydride vapor phase epitaxy (VLS-HVPE) growth of ultra-long defect-free GaAs nanowires: Ab initio simulations supporting center nucleation
Yamina Andre
,
Kaddour Lekhal
,
Philip E. Hoggan
,
Geoffrey Avit
,
Fabian Cadiz
,
et al.
Article dans une revue
hal-01727422v1
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Self-catalyzed growth of GaAs nanowires on silicon by HVPE
Zhenning Dong
,
Yamina Andre
,
Vladimir Dubrovskii
,
Catherine Bougerol
,
Guillaume Monier
,
et al.
Communication dans un congrès
hal-01435124v1
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Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition
Mohammed Zeghouane
,
Elissa Roche
,
Geoffrey Avit
,
Yamina Andre
,
Catherine Bougerol
,
et al.
RÉUNION PLÉNIÈRE DU GDR PULSE 2017, Oct 2017, Paris, France
Poster de conférence
hal-01659715v1
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Optical characterization of GaAs/Si layers grown by the conformal method (confined lateral epitaxial growth)
A.M. Ardilla
,
O. Martinez
,
M. Avella
,
J. Jimenez
,
J. Napierala
,
et al.
Journal of Materials Research, 2002, 17(6), pp.1341
Article dans une revue
hal-00101875v1
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Formation of voids in selective area growth of InN nanorods in SiN x on GaN templates
Mohammed Zeghouane
,
Yamina Andre
,
Geoffrey Avit
,
Jihen Jridi
,
Catherine Bougerol
,
et al.
Article dans une revue
hal-02992214v1
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Selective growth of ordered hexagonal InN nanorods
Mohammed Zeghouane
,
Geoffrey Avit
,
Thomas W. Cornelius
,
Damien Salomon
,
Yamina Andre
,
et al.
Article dans une revue
hal-02107331v1
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Fabrication de cristaux photoniques par croissance cristalline anisotrope par la méthode aux hydrures
Rachida Saoudi
,
Évelyne Gil-Lafon
,
Agnès Trassoudaine
,
D. Castelluci
,
R.M Ramdani
,
et al.
Article dans une revue
istex
ujm-00351625v1
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Temperature influence on the growth of gallium by HVPE in a mixed h2/n2 carrier gas.
Agnès Trassoudaine
,
R. Cadoret
,
Évelyne Gil-Lafon
Journal of Crystal Growth, 2004, pp.12
Article dans une revue
hal-00272532v1
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Growth of long III-As NWs by hydride vapor phase epitaxy
Evelyne Gil
,
Yamina Andre
Article dans une revue
hal-03196224v1
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Mécanismes de croissance des faces {001} exactes et désorientées de GaAs par la méthode aux chlorures sous H2 : diffusion superficielle, croissance par spirale, mécanismes de désorption HCl et GaCl3
Robert Cadoret
,
Évelyne Gil-Lafon
Article dans une revue
jpa-00247372v1
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Importance of As and Ga Balance in Achieving Long GaAs Nanowires by Selective Area Epitaxy
Emmanuel Chereau
,
Vladimir Dubrovskii
,
Gabin Grégoire
,
Geoffrey Avit
,
Philipp Staudinger
,
et al.
Article dans une revue
hal-04326757v1
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Charge and spin transport over record distances in GaAs metallic n -type nanowires
H. Hijazi
,
D. Paget
,
G. Monier
,
G. Grégoire
,
J. Leymarie
,
et al.
Article dans une revue
hal-04326816v1
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Selective Area Growth by Hydride Vapor Phase Epitaxy and Optical Properties of InAs Nanowire Arrays
Gabin Grégoire
,
Mohammed Zeghouane
,
Curtis Goosney
,
Nebile Isik Goktas
,
Philipp Staudinger
,
et al.
Article dans une revue
hal-04326927v1
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