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17 résultats
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New self-controlled and self-protected integrated power switch9th International Seminar on Power Semiconductors, Prague, Czech Republic, Aug 2008, Prague, Czech Republic
Communication dans un congrès
hal-03937496v1
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New self-controlled and self-protected integrated power switchJournées Nationales du Réseau Doctotal de Recherche en Microélectronique, Bordeaux, France, May 2008, Bordeaux, France
Communication dans un congrès
hal-03937495v1
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Pixel device based on a quantum well: Preliminary results on gate dielectricsNuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2023, 1047, pp.167906. ⟨10.1016/j.nima.2022.167906⟩
Article dans une revue
hal-03909178v1
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Equipements en 2022 de dépôts de matériaux dans la plateforme de micro et nano technologies du LAAS-CNRSJournées RENATECH Dépôts, Oct 2022, RENNES, France. 2022
Poster de conférence
hal-03940369v1
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FLEXIBLE TECHNOLOGICAL PROCESS FOR FUNCTIONAL INTEGRATIONInternational Semiconductor Conference (CAS'2001), Oct 2001, Sinaia, Romania. pp.465-468
Communication dans un congrès
hal-01867591v1
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Thyristor dual intégré pour convertisseur à commutation automatiqueCongrés Electronique de Puissance du Futur, Tours, France, Jul 2008, Tours, France. 4p
Communication dans un congrès
hal-03937494v1
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ETUDE ET OPTIMISATION D'UNE FILIERE TECHNOLOGIQUE FLEXIBLE ADAPTEE AU MODE D'INTEGRATION FONCTIONNELLEMicro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2002. Français. ⟨NNT : ⟩
Thèse
tel-00131494v1
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RÉALISATION DE MURS P + TRAVERSANTS POUR DES FONCTIONS DE PUISSANCE INTÉGRÉESSeminario Annual de Automatica, Electronica Industrial e Instrumentacion. Electronique de Puissance du Futur (SAAEI-EPF'04), Sep 2004, Toulouse, France. 4p
Communication dans un congrès
hal-01867595v1
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A single-chip integration approach of switching cells suitable for medium power applications.International Journal of Microelectronics and Computer Science, 2014, 4 (2), pp.43-48
Article dans une revue
hal-03800117v1
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Anisotropic Deep Reactive Ion Etching without Aspect Ratio Dependence Etching for silicon power devicesPESM 2014 (Plasma Etch and Strip in Microtechnology), May 2014, Grenoble, France. 2p
Communication dans un congrès
hal-01054251v1
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Thyristor dual disjoncteur intégré pour convertisseur à commutation automatiqueEuropean Journal of Electrical Engineering, 2009, 12 (2), pp.137-148. ⟨10.3166/ejee.12.137-147⟩
Article dans une revue
istex
hal-03796628v1
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Lateral Porous Silicon Interferometric Transducer for Sensing Applications2018 IEEE SENSORS, Oct 2018, New Delhi, India. ⟨10.1109/ICSENS.2018.8589773⟩
Communication dans un congrès
hal-03212723v1
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Optical interferometry on lateral porous siliconPorous Semiconductors Science and Technology (PSST) Conference, Mar 2018, La Grande Motte, France
Communication dans un congrès
hal-03212768v2
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New self-controlled and self-protected IGBT based integrated switchISPSD 2009: 21th IEEE International Symposium on Power Semiconductor, Barcelone,SPAIN, Jun 2009, Barcelone, Spain
Communication dans un congrès
hal-03937497v1
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New lateral DMOS and IGBT structures realized on a partial SOI substrate based on LEGO processBipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM2005), Oct 2005, Santa Barbara, United States. pp.74-77
Communication dans un congrès
hal-00385958v1
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Fuse on PiN Silicon Diode Monolithic Integration for New Fail-Safe Power Converters TopologiesELECTRIMACS 2022, 993, Springer International Publishing, pp.289-303, 2023, Lecture Notes in Electrical Engineering, 978-3-031-24836-8. ⟨10.1007/978-3-031-24837-5_22⟩
Chapitre d'ouvrage
hal-04132175v2
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On-chip sample preparation and biosensing: Can porous silicon membranes do it all?2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2023, San Francisco, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/IEDM45741.2023.10413798⟩
Communication dans un congrès
hal-04473903v1
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