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Réactivation par injection électronique des donneurs Si dans le GaAs hydrogéné ou deutéré

 S. Silvestre , L. Kurowski , D. Bernard-Loridant , E. Constant , B. Grandidier , et al.
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
Communication dans un congrès hal-00152537v1

Etude par spectroscopie Raman de la décomplexation photoinduite du matériau GaAs hydrogéné

 Arnaud Beaurain , A. Lorriaux-Rubbens , M. Constant , S. Silvestre , D. Loridant-Bernard
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, Jan 2001, Aussois, France
Communication dans un congrès hal-00152510v1

Hydrogen passivation and local electron-beam reactivation of Silicon dopants in GaAs characterized by differential conductance and STM spectroscopy measurements

 Thierry Melin , S. Silvestre , J.P. Nys , B. Grandidier , D. Bernard-Loridant , et al.
11th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques, 2001, Vancouver, Canada
Communication dans un congrès hal-00152514v1

Electron-beam-induced reactivation of Si dopants in hydrogenated and deuterated 2D AlGaAs heterostructures. Application to the fabrication of nanostructures

 L. Kurowski , S. Silvestre , D. Loridant-Bernard , E. Constant , M. Barbe , et al.
Materials Research Society Symposia Proceedings, 2002, 719, pp.275-281
Article dans une revue hal-00278932v1

Hydrogen passivation and local electron-beam reactivation of silicon dopants in GaAs characterized by differential conductance and STM spectroscopy measurements

 Thierry Melin , S. Silvestre , J.P. Nys , B. Grandidier , D. Bernard-Loridant , et al.
11th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy, Spectroscopy and Related Techniques, STM 2001, 2001, Vancouver, Canada
Communication dans un congrès hal-00152579v1

Photo-dissociation of hydrogen passivated dopants in gallium arsenide

 L. Tong , J.A. Larsson , M. Nolan , M. Murtagh , J.C. Greer , et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2002, 186, pp.234-239
Article dans une revue hal-00149640v1

Optical nanowires for microwave applications

 Didier Decoster , Michel Carette , Marie Lesecq , D. Lauvernier , Malek Zegaoui , et al.
4th International Conference on Materials for Advanced Technologies, ICMAT 2007, Jul 2007, Singapore, Singapore. pp.230-235, ⟨10.4028/0-87849-471-5.230⟩
Communication dans un congrès hal-00367399v1

Photo-induced dissociation and optical cross section of Si-H and S-H complexes in GaAs and AlGaAs

 M. Barbe , F. Bailly , Jérome Chevalier , S. Silvestre , D. Loridant-Bernard , et al.
Materials Research Society Symposia Proceedings, 2002, 719, pp.289-294
Article dans une revue hal-00278933v1

Nouveau microcapteur de rayonnement ultraviolet à absorption différentielle

 Katir Ziouche , Mohamed Boutchich , D. Loridant-Bernard , Pascale Godts , Didier Leclercq
Journées Micro et Nano Technologies, 2000, Paris, France
Communication dans un congrès hal-00158491v1

A new ultra-violet microradiometer

 Katir Ziouche , Mohamed Boutchich , D. Loridant-Bernard , Pascale Godts , Didier Leclercq
Sensors 2001, 2001, Nuremberg, Germany. pp.221-226
Communication dans un congrès hal-00152186v1

Electron induced dissociation of SiH complexes in hydrogenated Si doped GaAs. Application to the fabrication of microstructures

 S. Silvestre , E. Constant , D. Bernard-Loridant , M. Constant , Jacques Chevallier
Superlattices and Microstructures, 2000, 5/6, pp.431-435
Article dans une revue hal-00158581v1

The electron beam induced reactivation of Si dopants in hydrogenated GaAs : a minority carrier generation effect or an energetic excitation effect ?

 S. Silvestre , D. Bernard-Loridant , E. Constant , M. Constant , Jacques Chevallier
Applied Physics Letters, 2000, 20, pp.3206-3208
Article dans une revue hal-00158582v1

Degradation of III-V based electronic and optoelectronic devices by reactivation of hydrogen or deuterium-impurity complexes

 S. Silvestre , E. Constant , D. Bernard-Loridant
5th International Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies, EXMATEC 2000, 2000, Heraklion, Crête, France
Communication dans un congrès hal-00158623v1

Strong isotope effects in the UV light-induced reactivation of dopants in hydrogenated or deuterated n-GaAs : Si

 Jacques Chevallier , M. Barbe , M. Constant , D. Bernard-Loridant , S. Silvestre , et al.
Superlattices and Microstructures, 2000, 27, pp.447-452
Article dans une revue hal-00158584v1

Electron induced dissociation of hydrogen or deuterium-silicon complexes in GaAs ; application to reliability of GaAs based electronic or optoelectronic devices

 S. Silvestre , D. Bernard-Loridant , S. Meziere , E. Constant
Materials Science and Engineering: B, 2001, B80, pp.270-273
Article dans une revue hal-00152489v1

Fabricating conductive microstructures by direct electron beam writing on hydrogenated n-type Si-doped GaAs

 S. Silvestre , E. Constant , D. Bernard-Loridant , B. Sieber
Applied Physics Letters, 2000, 19, pp.2731-2733
Article dans une revue hal-00158583v1

Etude par microscopie à effet tunnel de la passivation hydrogène des dopants silicium dans GaAs

 Thierry Melin , S. Silvestre , J.P. Nys , B. Grandidier , D. Bernard-Loridant , et al.
Forum des microscopies à sonde locale, 2001, Marseille, France
Communication dans un congrès hal-00152513v1

Photo-induced dissociation and optical cross section of Si-H and S-H complexes in GaAs and AlGaAs

 M. Barbe , F. Bailly , Jacques Chevallier , S. Silvestre , D. Bernard-Loridant , et al.
2002, pp.289-294
Communication dans un congrès hal-00149642v1

Electron-beam-induced reactivation of Si dopants in hydrogenated and deuterated 2D AlGaAs heterostructures. Application to the fabrication of nanostructures

 L. Kurowski , S. Silvestre , D. Bernard-Loridant , E. Constant , M. Barbe , et al.
2002, pp.275-281
Communication dans un congrès hal-00149643v1

Electron-beam-induced reactivation of Si dopants in hydrogenated 2D AlGaAs heterostructures : a possible new route of fabricating III-V nanostructures

 L. Kurowski , D. Bernard-Loridant , E. Constant , Didier Decoster
7th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors, 2003, Lille, France
Communication dans un congrès hal-00146558v1

H-Si doping profile in GaAs by scanning tunneling microscopy

 B. Grandidier , S. Silvestre , J.P. Nys , Thierry Melin , D. Bernard-Loridant , et al.
Applied Physics Letters, 2001, 79, pp.3278-3280
Article dans une revue hal-00152490v1

Premiers essais de réalisation de nanostructures sur épitaxies et hétérostructures GaAs hydrogénées par écriture directe au masqueur électronique

 L. Kurowski , S. Silvestre , D. Bernard-Loridant , E. Constant , B. Sieber
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
Communication dans un congrès hal-00152511v1

Electron-beam-induced reactivation of Si dopants in hydrogenated 2D AlGaAs heterostructures : a possible new route of fabricating III-V nanostructures

 L. Kurowski , D. Bernard-Loridant , E. Constant , Didier Decoster
2004, pp.S127-S132
Communication dans un congrès hal-00141184v1

Photonic integrated circuits for microwave applications

 Didier Decoster , Malek Zegaoui , D. Lauvernier , Joseph Harari , Jean-Pierre Vilcot , et al.
2nd France-Singapore Workshop on Optoelectronics and RF Photonics Technology, 2005, Singapore, Singapore
Communication dans un congrès hal-00138432v1

Photodissociation of hydrogen passivated dopants in gallium arsenide

 L. Tong , J.A. Larsson , M. Nolan , M. Murthag , J.C. Greer , et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2002, 186, pp.234-239. ⟨10.1016/S0168-583X(01)00949-1⟩
Article dans une revue istex hal-00278930v1
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