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193 résultats
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Operation of near-field scanning millimeter-wave microscopy up to 67 GHz under scanning electron microscopy visionIEEE MTT International Microwave Symposium, IMS 2020, Jun 2020, Los Angeles (On-line event), United States. pp.95-98, ⟨10.1109/IMS30576.2020.9224090⟩
Communication dans un congrès
hal-03022574v1
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Performance à 60 GHz de HEMTs métamorphiques sur GaAs utilisant une technologie à double recess9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint Aigulf, France
Communication dans un congrès
hal-00149738v1
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Kelvin force microscopy on GaN wide gap materialsMaterials Research Society Fall Meeting, Symposium B : Nanoscale Phenomena in Functional Materials by Scanning Probe Microscopy, Nov 2007, Boston, MA, United States
Communication dans un congrès
hal-00285289v1
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Multimodal imaging technology by integrated scanning electron, force, and microwave microscopy and its application to study microscaled capacitorsJournal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, 2018, 36 (2), pp.022901. ⟨10.1116/1.5006161⟩
Article dans une revue
hal-03022536v1
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Electromechanical transconductance properties of a GaN MEMS resonator with fully integrated HEMT transducersJournal of Microelectromechanical Systems, 2012, 21, pp.370-378. ⟨10.1109/JMEMS.2011.2179010⟩
Article dans une revue
hal-00787408v1
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Current instabilities in GaN-based devicesIEEE Electron Device Letters, 2001, 22, pp.62-64
Article dans une revue
hal-00152597v1
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Utilisation du GaAs épitaxié à basse température pour augmenter la densité de puissance des TECs6es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1997, Chantilly, France
Communication dans un congrès
hal-01654456v1
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Photolithography for recessed lift-off technology application to low temperature GaAs MISFET’s ohmic contacts4th European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH), 1994, Ulm, Germany
Communication dans un congrès
hal-01654282v1
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Mesures pulsées de TEC à grille isolée par du GaAs basse température9es Journées Nationales Microondes, 1995, Paris, France
Communication dans un congrès
hal-01654242v1
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LT GaAs HFET: a novel concept to overcome the breakdown limitation23rd Symposium on compound semiconductors, 1996, St Petersburg, Russia
Communication dans un congrès
hal-01648139v1
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Small- and large-signal measurements of low-temperature GaAs FETsMicrowave and Optical Technology Letters, 1996, 12 (2), pp.57 - 59. ⟨10.1002/(SICI)1098-2760(19960605)12:2<57::AID-MOP2>3.0.CO;2-M⟩
Article dans une revue
istex
hal-01647683v1
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RF power MISFET's using thin LT GaAs as a passivatorWorkshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2000, 2000, San Diego, CA, United States
Communication dans un congrès
hal-00159031v1
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Caractérisation et modélisation non linéaire de Transistors hyperfréquences à Effet de Champ à base de Nano tubes de Carbone (CNFETs) à l'aide d'un Analyseur de réseau Large Signal (LSNA)XVIèmes Journées Nationales Microondes, May 2007, Toulouse, France. pp.xx-xx
Communication dans un congrès
hal-00197497v1
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Amplification of nanoscale motion by piezoelectric transduction in GaN resonators18th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2009, 2009, Günzburg-Ulm, Germany
Communication dans un congrès
hal-00810577v1
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Scanning microwave microscopy for investigations of mechanical vibrations and mode couplingFrontiers of Nanomechanical Systems, Jun 2023, Delft, Netherlands
Communication dans un congrès
hal-04234474v1
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Non linear microwave characterization and modelization of carbon nanotube FETsWorkshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD'07, 2007, Savannah, GA, United States
Communication dans un congrès
hal-00285315v1
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Nonlinear Characterization and Modeling of Carbon Nanotube Field-Effect TransistorsIEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2008, 56 (7), pp.1505-1510. ⟨10.1109/TMTT.2008.925209⟩
Article dans une revue
hal-00315911v1
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A 17 GHz molecular rectifierNature Communications, 2016, 7 (1), pp.12850. ⟨10.1038/ncomms12850⟩
Article dans une revue
hal-03680763v1
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Amplified piezoelectric transduction of nanoscale motion in gallium nitride electromechanical resonatorsApplied Physics Letters, 2009, 94, pp.233506-1-3. ⟨10.1063/1.3153504⟩
Article dans une revue
hal-00472724v1
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Caractérisation et modélisation non linéaire de transistors hyperfréquences à effet de champ à base de nanotubes de carbone (CNFETs) à l'aide d'un analyseur de réseau large signal (LSNA)15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, May 2007, Toulouse, France. pp.3C4-1-4
Communication dans un congrès
hal-00370334v1
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The indium content in metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs substrate : a new structure parameterSolid-State Electronics, 2000, 44, pp.1021-1027
Article dans une revue
hal-00157879v1
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Nanoscale capacitors study with an interferometric scanning microwave microscopeMaterials Research Society Fall Meeting, MRS Fall 2013, Symposium LL : Advances in Scanning Probe Microscopy, 2013, Boston, MA, United States
Communication dans un congrès
hal-00944017v1
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Ka band power pHEMT technology for space power flip-chip assembly2001, pp.1895-1898
Communication dans un congrès
hal-00152621v1
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Large signal and pulse instabilities in GaN HFETs1st Gallium Nitride Electronic Device Workshop, 1999, Cornell, United States
Communication dans un congrès
hal-01654323v1
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Characterisation of LT GaAs FET’s as a function of the temperatureIEEE Workshop Experimentally based FET device modelling & Related nonlinear circuit design, 1997, Kassel, Germany
Communication dans un congrès
hal-01648141v1
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Corrélation entre l'état de surface et l'émissivité électronique du GaN par STM et KFMForum des Microscopies à Sonde Locale, Mar 2009, Hardelot, France
Communication dans un congrès
hal-00575394v1
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SubfemtoFarad MOS varactor characterization tools40th European Microwave Conference, EuMC 2010, 2010, France. pp.783-786
Communication dans un congrès
hal-00550021v1
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AlGaN/GaN HEMTs : technology and microwave performancesRF & Hyper Europe 2004, 2004, Paris, France
Communication dans un congrès
hal-00141961v1
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Electronic properties of deep defects in n-type GaNSuperlattices and Microstructures, 2004, 36, pp.435-443
Article dans une revue
hal-00141959v1
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Improvement of conductivity and breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMT structures in passivation experiments2003, pp.90-93
Communication dans un congrès
hal-00149939v1
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