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193 résultats
Scanning microwave microscopy for investigations of mechanical vibrations and mode couplingFrontiers of Nanomechanical Systems, Jun 2023, Delft, Netherlands
Communication dans un congrès
hal-04234474v1
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Electromechanical transconductance properties of a GaN MEMS resonator with fully integrated HEMT transducersJournal of Microelectromechanical Systems, 2012, 21, pp.370-378. ⟨10.1109/JMEMS.2011.2179010⟩
Article dans une revue
hal-00787408v1
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Current instabilities in GaN-based devicesIEEE Electron Device Letters, 2001, 22, pp.62-64
Article dans une revue
hal-00152597v1
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Utilisation du GaAs épitaxié à basse température pour augmenter la densité de puissance des TECs6es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1997, Chantilly, France
Communication dans un congrès
hal-01654456v1
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Photolithography for recessed lift-off technology application to low temperature GaAs MISFET’s ohmic contacts4th European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH), 1994, Ulm, Germany
Communication dans un congrès
hal-01654282v1
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Mesures pulsées de TEC à grille isolée par du GaAs basse température9es Journées Nationales Microondes, 1995, Paris, France
Communication dans un congrès
hal-01654242v1
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LT GaAs HFET: a novel concept to overcome the breakdown limitation23rd Symposium on compound semiconductors, 1996, St Petersburg, Russia
Communication dans un congrès
hal-01648139v1
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Small- and large-signal measurements of low-temperature GaAs FETsMicrowave and Optical Technology Letters, 1996, 12 (2), pp.57 - 59. ⟨10.1002/(SICI)1098-2760(19960605)12:2<57::AID-MOP2>3.0.CO;2-M⟩
Article dans une revue
istex
hal-01647683v1
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RF power MISFET's using thin LT GaAs as a passivatorWorkshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2000, 2000, San Diego, CA, United States
Communication dans un congrès
hal-00159031v1
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Caractérisation et modélisation non linéaire de Transistors hyperfréquences à Effet de Champ à base de Nano tubes de Carbone (CNFETs) à l'aide d'un Analyseur de réseau Large Signal (LSNA)XVIèmes Journées Nationales Microondes, May 2007, Toulouse, France. pp.xx-xx
Communication dans un congrès
hal-00197497v1
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Amplification of nanoscale motion by piezoelectric transduction in GaN resonators18th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2009, 2009, Günzburg-Ulm, Germany
Communication dans un congrès
hal-00810577v1
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Nonlinear Characterization and Modeling of Carbon Nanotube Field-Effect TransistorsIEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2008, 56 (7), pp.1505-1510. ⟨10.1109/TMTT.2008.925209⟩
Article dans une revue
hal-00315911v1
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Non linear microwave characterization and modelization of carbon nanotube FETsWorkshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD'07, 2007, Savannah, GA, United States
Communication dans un congrès
hal-00285315v1
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Operation of near-field scanning millimeter-wave microscopy up to 67 GHz under scanning electron microscopy visionIEEE MTT International Microwave Symposium, IMS 2020, Jun 2020, Los Angeles (On-line event), United States. pp.95-98, ⟨10.1109/IMS30576.2020.9224090⟩
Communication dans un congrès
hal-03022574v1
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Performance à 60 GHz de HEMTs métamorphiques sur GaAs utilisant une technologie à double recess9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint Aigulf, France
Communication dans un congrès
hal-00149738v1
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Amplified piezoelectric transduction of nanoscale motion in gallium nitride electromechanical resonatorsApplied Physics Letters, 2009, 94, pp.233506-1-3. ⟨10.1063/1.3153504⟩
Article dans une revue
hal-00472724v1
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Kelvin force microscopy on GaN wide gap materialsMaterials Research Society Fall Meeting, Symposium B : Nanoscale Phenomena in Functional Materials by Scanning Probe Microscopy, Nov 2007, Boston, MA, United States
Communication dans un congrès
hal-00285289v1
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Multimodal imaging technology by integrated scanning electron, force, and microwave microscopy and its application to study microscaled capacitorsJournal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, 2018, 36 (2), pp.022901. ⟨10.1116/1.5006161⟩
Article dans une revue
hal-03022536v1
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A 17 GHz molecular rectifierNature Communications, 2016, 7 (1), pp.12850. ⟨10.1038/ncomms12850⟩
Article dans une revue
hal-03680763v1
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Charge transfer from doped silicon nanocrystals12th International Conference on Noncontact Atomic Force Microscopy, NC-AFM 2009, Aug 2009, New Haven, CT, United States
Communication dans un congrès
hal-00575399v1
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Gallium nitride approach for MEMS resonators with highly tunable piezo-amplified transducers24th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, MEMS 2011, Jan 2011, Cancun, Mexico. pp.581-584, ⟨10.1109/MEMSYS.2011.5734491⟩
Communication dans un congrès
hal-00579046v1
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Influence du dopage dans les transistors HEMT à canal composite pour amplification de puissance en ondes millimétriquesActes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, May 2001, Poitiers, France
Communication dans un congrès
hal-00152653v1
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A 0.15µm 60GHz high-power composite channel GaInAs/InP HEMT with low gate currentIEEE Electron Device Letters, 2001, 22 (6), pp.257-259. ⟨10.1109/55.924834⟩
Article dans une revue
hal-00152592v1
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94 GHz high power performances of InAs0.4P0.6 channel HEMTs on InPElectronics Letters, 2005, 41, pp.63-64
Article dans une revue
hal-00126459v1
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High performances of InP channel power HEMT at 94 GHzElectronics Letters, 2005, 41, pp.1406-1408
Article dans une revue
hal-00154912v1
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Characterisation of GaN FETs under pulsed conditions : DC and RF measurements from room temperature up to 250°CWorkshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2001, 2001, New Orleans, LA, United States
Communication dans un congrès
hal-00152673v1
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Exploring the capabilities of scanning microwave microscopy to characterize semiconducting polymersApplied Sciences, 2020, 10 (22), 8234, 11 p. ⟨10.3390/app10228234⟩
Article dans une revue
hal-03022518v1
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Pulsed measurements of GaN MESFETGAAS 99, 1999, Munich, Germany
Communication dans un congrès
hal-01649413v1
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Terahertz detection by GaN/AlGaN transistorsElectronics Letters, 2006, 42, pp.1342-1344
Article dans une revue
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Kelvin force microscopy for n- and p-type GaN surface characterizationWorskhop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD'09, 2009, Fort Myers, FL, United States
Communication dans un congrès
hal-00575345v1
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