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Probing the carrier capture rate of a single quantum level

 Maxime Berthe , R. Stiufiuc , B. Grandidier , D. Deresmes , C. Delerue , et al.
Science, 2008, 319, pp.436-438. ⟨10.1126/science.1151186⟩
Article dans une revue hal-00357378v1

Gibbs-Thomson and diffusion-induced contributions to the growth rate of Si, InP, and GaAs nanowires

 V.G. Dubrovskii , N.V. Sibirev , G.E. Cirlin , I.P. Soshnikov , W.H. Chen , et al.
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2009, 79, pp.205316-1-7. ⟨10.1103/PhysRevB.79.205316⟩
Article dans une revue hal-00473095v1

Reversible defect engineering of single-walled carbon nanotubes using scanning tunneling microscopy

 Maxime Berthe , S. Yoshida , Y. Ebine , K. Kanazawa , A. Okada , et al.
Nano Letters, 2007, 7, pp.3623-3627. ⟨10.1021/nl071845c⟩
Article dans une revue hal-00283164v1

La spectroscopie STM : application à l'étude de molécules organiques sur silicium ou de défauts ponctuels dans les semi-conducteurs

 D. Stievenard
Journée Surfaces et Interfaces, JSI 2000, 2000, Paris, France
Communication dans un congrès hal-00158965v1

Low-cost sol-gel synthesis of Al-doped ZnO films : influence of operating parameters

 Di Zhou , A. Boé , Yannick Lambert , D. Stievenard , O. Cristini-Robbe , et al.
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2013, Symposium O - Synthesis, processing and characterization of nanoscale multi functional oxide films IV, May 2013, Strasbourg, France
Communication dans un congrès hal-00819696v1

Electric force microscopy of individually charged semiconductor nanoparticles on conductive substrates : an analytical model for quantitative charge imaging

 Thierry Melin , H. Diesinger , D. Deresmes , D. Stievenard
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2004, 69, pp.035321/1-8
Article dans une revue hal-00141248v1

Coulomb energy determination of a single Si dangling bond

 T.H. Nguyen , G. Mahieu , Maxime Berthe , B. Grandidier , C. Delerue , et al.
Workshop on Statistical Physics and Low Dimensional Systems, SPLDS 2011, 2011, Nancy, France
Communication dans un congrès hal-00807228v1

Nanofils de Si et sonde atomique tomographique

 J. Houard , R. Lardé , E. Cadel , P. Pareige , D. Hourlier , et al.
Journées du GDR Nanofils Nanotubes Semiconducteurs, 2006, Villeneuve d'Ascq, France
Communication dans un congrès hal-00243974v1

Dispositif miniature de détection électrique d'interactions de type ligand-récepteur, préparation et utilisations

 D. Stievenard , O. Melnyk , V. Haguet , C. Olivier , O. El Mahdi , et al.
N° de brevet: FR2847983 (A1). 2004
Brevet hal-00372448v1

Scanning tunneling microscopy based lithography in UHV

 J.P. Nys , Thierry Melin , B. Grandidier , D. Stievenard
5th MEL-ARI/NID Workshop, 2000, Pise, Italy
Communication dans un congrès hal-00158944v1

Electric force microscopy of individually charged semiconductor nanoparticles

 Thierry Melin , H. Diesinger , D. Deresmes , D. Stievenard
Materials Research Society Fall Meeting, 2003, Boston, MA, United States
Communication dans un congrès hal-00146615v1

Etude des mécanismes de la croissance et du dopage de nanofils de silicium

 W. M. Chen , P. Pareige , E. Cadel , R. Larde , T. Xu , et al.
1ères Journées Nanosciences Nord-Ouest, J2NO 2008, 2008, Poitiers, France
Communication dans un congrès hal-00361981v1

Characterization of nanogap chemical reactivity using peptide-capped gold nanoparticles and electrical detection

 L. Marcon , D. Stiévenard , O. Melnyk
30th European Peptide Symposium, 30EPS, 2008, Helsinki, Finland
Communication dans un congrès hal-00362013v1

L'interface physique biologie

 D. Stievenard
Journées Micro et Nanotechnologies, 2001, Paris, France
Communication dans un congrès hal-00152581v1

Atomic scale structure of Si nanowire

 T. Xu , J.P. Nys , Maxime Berthe , B. Grandidier , D. Stievenard , et al.
American Physical Society March Meeting, 2009 APS March Meeting, 2009, Pittsburgh, PA, United States
Communication dans un congrès hal-00575327v1

Thermally assisted formation of silicon islands on a silicon-on-insulator substrate

 Bernard Legrand , Vincent Agache , Jean-Philippe Nys , Thierry Melin , Vincent Senez , et al.
Journal of Applied Physics, 2002, 91, pp.106-111. ⟨10.1063/1.1420761⟩
Article dans une revue hal-00149668v1

Semiconductor nanoparticles for photovoltaics

 Justin Habinshuti , S. Turrell , C. Kinowski , D. Stievenard , T. Xu , et al.
XXII International Conference on Raman Spectroscopy, ICORS 2010, 2010, United States. pp.51-52, ⟨10.1063/1.3482650⟩
Communication dans un congrès hal-00568587v1

Atomic scale dopant metrology in an individual silicon nanowire by atom probe tomography

 W.H. Chen , Rodrigue Lardé , Emmanuel Cadel , T. Xu , J.P. Nys , et al.
Nanotechnology 2010 Advanced Materials, CNTs, Particles, Films and Composites - 2010 NSTI Nanotechnology Conference and Expo, NSTI-Nanotech 2010, Jun 2010, Anaheim, CA, United States. pp.29-32
Communication dans un congrès hal-01953261v1

Nanooxidation of Silicon Surfaces with a Scanning Probe Microscope: Application to the Conception of Nanodevices

 Didier Stiévenard , Paul-Aymeric Fontaine , Emmanuel Dubois , Bruno Grandidier
Proceed¬ings of the N2M’97 workshop, 1997, Tokyo, Japan
Communication dans un congrès hal-04249224v1

Adsorption behavior of conjugated (C)3-oligomers on Si(100) and HOPG surfaces

 G. Mahieu , B. Grandidier , D. Stievenard , Christophe Krzeminski , C. Delerue , et al.
Langmuir, 2003, 19, pp.3350-3356
Article dans une revue hal-00146588v1

Imaging the wave function amplitudes in cleaved semiconductor quantum boxes

 B. Grandidier , Y.M. Niquet , Bernard Legrand , J.P. Nys , C. Priester , et al.
Physical Review Letters, 2000, 85, pp.1068-1071
Article dans une revue hal-00158644v1

Comment on : Electrostatics of individual single-walled carbon nanotubes investigated by electrostatic force microscopy

 M. Zdrojek , Thierry Melin , H. Diesinger , D. Stievenard , W. Gebicki , et al.
Physical Review Letters, 2006, 96, pp.039703
Article dans une revue hal-00127821v1
Image document

Influence of doping level and surface states in tunneling spectroscopy of an In0.53Ga0.47As quantum well grown on p-type doped InP(001)

 Nathali Alexandra Franchina Vergel , A. Tadjine , V. Notot , M. Mohr , A. Kouassi N’guissan , et al.
Physical Review Materials, 2019, 3 (9), ⟨10.1103/PhysRevMaterials.3.094604⟩
Article dans une revue hal-02309916v1

Elaboration de nanofils de silicium sur pointes de tungstène pour caractérisation en sonde atomique et microscopie champ proche

 T. Xu , B. Grandidier , J.P. Nys , D. Stiévenard , E. Cadel , et al.
1ères Journées Nanosciences Nord-Ouest, J2NO 2008, 2008, Poitiers, France
Communication dans un congrès hal-00361980v1
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Evidence of electron-phonon interaction on transport in n- and p-type silicon nanowires

 Francois Vaurette , R. Leturcq , J.P. Nys , D. Deresmes , B. Grandidier , et al.
Applied Physics Letters, 2008, 92, pp.242109-1-3. ⟨10.1063/1.2949072⟩
Article dans une revue hal-00357349v1

Réactivation par injection électronique des donneurs Si dans le GaAs hydrogéné ou deutéré

 S. Silvestre , L. Kurowski , D. Bernard-Loridant , E. Constant , B. Grandidier , et al.
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
Communication dans un congrès hal-00152537v1

Atomic-scale observation of dopant atoms in GaAs

 G. Mahieu , D. Deresmes , B. Grandidier , J.P. Nys , D. Stievenard
PICO : The Omicron NanoTechnology Newsletter, 2004, 8, pp.6-7
Article dans une revue hal-00142060v1

Transport limitations and Schottky barrier height in titanium silicide nanowires grown on the Si(111) surface

 T. Soubiron , R. Stiufiuc , L. Patout , D. Deresmes , B. Grandidier , et al.
Applied Physics Letters, 2007, 90 (10), pp.102112-1-3. ⟨10.1063/1.2711378⟩
Article dans une revue hal-01790106v1

Molecular interactions of PTCDA on Si(100)

 T. Soubiron , Francois Vaurette , J.P. Nys , B. Grandidier , X. Wallart , et al.
Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces, 2005, 581, pp.178-188
Article dans une revue hal-00126421v1

Etude par EFM de la charge/décharge d'îlots semiconducteurs de taille nanométrique

 Thierry Melin , D. Deresmes , D. Stievenard
Journées d'utilisateurs nanoscope, 2001, Dijon, France
Communication dans un congrès hal-00152560v1
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