- 11
- 4
- 3
- 2
- 1
- 1
- 1
- 1
David Mele
24
Documents
Identifiants chercheurs
- david-mele
- 0000-0002-2250-9671
- Google Scholar : https://scholar.google.fr/citations?user=tMJF76UAAAAJ&hl=fr&oi=sra
- IdRef : 181291924
Présentation
Physicien expérimental et enseignant-chercheur au sein du groupe de Physique et Nanosciences de l'École d'Ingénieurs JUNIA (ISEN/IEMN-CNRS) à Lille, France.
• Depuis 2010, je travaille sur les micro et nanotechnologies émergentes et le développement dispositifs électroniques et photoniques novateurs à base d'hétérostructures bidimensionelles.
• Expertise en ingénierie micro et nano-électronique, graphène et électronique 2D, plasmonique, mesures cryogéniques et haute fréquence, ainsi que spectroscopie Raman.
Publications
- 3
- 2
- 2
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 14
- 10
- 8
- 7
- 7
- 7
- 6
- 6
- 5
- 5
- 4
- 4
- 4
- 4
- 4
- 3
- 3
- 3
- 3
- 3
- 3
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 2
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 15
- 4
- 2
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
Graphene field-effect transistors with velocity saturationGraphene2020, Oct 2020, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-03467761v1
|
|
The thermal effects of substrate removal on GaN HEMTs using Raman Thermometry2016 15th IEEE Intersociety Conference on Thermal and Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems (ITherm), May 2016, Las Vegas, Nevada, United States. pp.1255-1260, ⟨10.1109/ITHERM.2016.7517691⟩
Communication dans un congrès
hal-03028471v1
|
|
[Invited] High frequency electronic devices : impact of beyond graphene materials62nd IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2014, Workshop WFK - Beyond Graphene Electronic Devices and their Potential for High-Frequency Applications, 2014, Tampa, FL, United States
Communication dans un congrès
hal-01044773v1
|
|
Key parameters of CVD-grown graphene on copper foil and its transfer for radio-frequency applications17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, May 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p
Communication dans un congrès
hal-01018384v1
|
|
Back-gated microwave field-effect transistors based on transferred CVD-grown graphene4th Graphene Conference, Graphene 2014, May 2014, Toulouse, France. 2 p
Communication dans un congrès
hal-00962381v1
|
|
Fabrication and characterization of CVD grown graphene based field-effect transistor44th European Microwave Conference and 9th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMC/EuMIC 2014, Oct 2014, Rome, Italy. pp.367-370, ⟨10.1109/EuMC.2014.6986446⟩
Communication dans un congrès
hal-03335830v1
|
|
High Frequency Characterization and Compact Electrical Modelling of Graphene Field Effect Transistors44th European Microwave Conference, Oct 2014, Rome, Italy. pp.1452-1455, ⟨10.1109/EuMC.2014.6986720⟩
Communication dans un congrès
hal-01136463v1
|
|
Qualitative Assessment of Epitaxial Graphene FETs on SiC Substrates via Pulsed Measurements and Temperature VariationSolid State Device Research Conference (ESSDERC), 2014, 44th European, Sep 2014, Venise, Italy. ⟨10.1109/ESSDERC.2014.6948821⟩
Communication dans un congrès
hal-01090864v1
|
|
Graphene field effect transistors on SiC with T-shaped gate : homogeneity and RF performance4th Graphene Conference, Graphene 2014, May 2014, Toulouse, France. 2 p
Communication dans un congrès
hal-00962375v1
|
|
Transistors à effet de champ à base du graphène sur SiC avec grille en T : homogénéité et performances17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p
Communication dans un congrès
hal-01018370v1
|
|
[Invited] Graphene : what challenges for RF applications ?TELECOM'2013 and 8èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2013, Marrakech, Morocco. papier 324, 1-4
Communication dans un congrès
hal-00804733v1
|
|
High frequency noise characterisation of graphene FET Device61st IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2013, 2013, Seattle, WA, United States. paper TU3C-1, 4 p., ⟨10.1109/MWSYM.2013.6697561⟩
Communication dans un congrès
hal-00944030v1
|
|
High frequency epitaxial graphene fields effect transistors (GFET) on SiC13th Trends in Nanotechnology International Conference, TNT2012, 2012, Madrid, Spain. pp.1-2
Communication dans un congrès
hal-00801050v1
|
|
Improvement in graphene nanoribbons process for field effet transistors20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2
Communication dans un congrès
hal-00799794v1
|
Développement de dispositifs à base de graphène pour des applications hautes fréquences2014
Autre publication scientifique
hal-00994831v1
|