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Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée

 Audrey Chapelle , Éric Frayssinet , Yvon Cordier , Yohann Spiegel , Leïla Benmosfeta , et al.
Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5
Communication dans un congrès hal-02981903v2
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Méthodes et analyses physico-expérimentales des mécanismes liés à la résistance dynamique dans les composants HEMT GaN de puissance

 Dany Hachem
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2020. Français. ⟨NNT : 2020TOU30035⟩
Thèse tel-02907971v2
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A new electro-optical transmission-line measurement-method revealing a possible contribution of source and drain contact resistances to GaN HEMT dynamic on-resistance

 Dany Hachem , David Trémouilles , Frédéric Morancho , Gaëtan Toulon
Microelectronics Reliability, 2018, 88-90, pp.406-410. ⟨10.1016/j.microrel.2018.07.119⟩
Article dans une revue hal-01893190v1
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Variation de la résistance de contact métal/semi-conducteur dans une structure HEMT GaN sous illumination UV

 Dany Hachem , David Trémouilles , Frédéric Morancho , Gaëtan Toulon
Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. 4p
Communication dans un congrès hal-02981923v2
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