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Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée
Audrey Chapelle
,
Éric Frayssinet
,
Yvon Cordier
,
Yohann Spiegel
,
Leïla Benmosfeta
,
et al.
Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5
Communication dans un congrès
hal-02981903v2
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Méthodes et analyses physico-expérimentales des mécanismes liés à la résistance dynamique dans les composants HEMT GaN de puissance
Dany Hachem
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2020. Français. ⟨NNT : 2020TOU30035⟩
Thèse
tel-02907971v2
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A new electro-optical transmission-line measurement-method revealing a possible contribution of source and drain contact resistances to GaN HEMT dynamic on-resistance
Dany Hachem
,
David Trémouilles
,
Frédéric Morancho
,
Gaëtan Toulon
Article dans une revue
hal-01893190v1
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Variation de la résistance de contact métal/semi-conducteur dans une structure HEMT GaN sous illumination UV
Dany Hachem
,
David Trémouilles
,
Frédéric Morancho
,
Gaëtan Toulon
Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. 4p
Communication dans un congrès
hal-02981923v2
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