- 18
- 2
Corinne Champeaux
20
Documents
Identifiants chercheurs
- corinnechampeaux
- IdRef : 078012260
- 0000-0003-0953-2591
- ISNI : 0000000046384688
Présentation
Publications
- 2
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 20
- 20
- 18
- 17
- 15
- 8
- 7
- 3
- 3
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 20
- 1
- 1
- 1
- 1
- 4
- 5
- 6
- 4
Generation of electrical self-oscillations in two-terminal switching devices based on the insulator-to-metal phase transition of V02 thin filmsInternational Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2012, 4 (01), pp.101-107. ⟨10.1017/S175907871100095X⟩
Article dans une revue
hal-00682641v1
|
|
Microwave Power Limiting Devices Based on the Semiconductor-Metal Transition in Vanadium-Dioxide Thin FilmsIEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2010, 58, pp.2352-2361. ⟨10.1109/TMTT.2010.2057172⟩
Article dans une revue
hal-00567204v1
|
|
Voltage and current-activated metal-insulator transition in VO2-based electrical switches : a lifetime operation analysisScience and Technology of Advanced Materials, 2010, 11 (6), pp.065002-1-065002-6. ⟨10.1088/1468-6996/11/6/065002⟩
Article dans une revue
hal-00584162v1
|
Génération d'auto-oscillations électriques dans des dispositifs à base de films de VO2 présentant une transition de phase isolant-métal17èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2011, May 2011, Brest, France. Presentation orale - 2B-1 - Papier n°24
Communication dans un congrès
hal-00684939v1
|
|
Analyse de la durée de vie de commutateurs électriques basés sur la transition isolant-métal du dioxyde de vanadium17èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2011, May 2011, Brest, France. Présentation poster - Session 1E-1 - Papier n°26
Communication dans un congrès
hal-00685994v1
|
|
Dispositifs et systèmes accordables pour la microélectronique et l'optique en exploitant les propriétés fortement non-linéaires des matériaux à transition de phase isolant-métaldeuxième colloque francophone PLUridisciplinaire sur les Matériaux, l'Environnement et l'Electronique (PLUMEE 2011), May 2011, Limoges, France
Communication dans un congrès
hal-00682983v1
|
|
Propriétés non-linéaires des dispositifs électriques à deux terminaux basées sur la transition isolant-métal du dioxyde de vanadiumDeuxième colloque francophone PLUridisciplinaire sur les Matériaux, l'Environnement et l'Electronique (PLUMEE 2011), May 2011, Limoges, France. Présentation poster- 1A-59-Plumee2011
Communication dans un congrès
hal-00686490v1
|
|
Current-Induced oscillations in two-terminals electrical switches based on Metal-Insulator Transition of VO2French Symposium on Emerging Technologies for Micro-nanofabrication, JNTE 10 - Ecole politechnique, Nov 2010, Palaiseau, France
Communication dans un congrès
hal-00619959v1
|
|
Vis-IR Optical switching modulation based on the electrically activated phase transition of VO2 thin filmsConference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) and the Quantum Electronics and Laser Science Conference (QELS) (Optical Society of America, Washington DC, 2010), May 2010, San José - CALIFORNIE, United States. 3 p
Communication dans un congrès
hal-00620645v1
|
|
CPW self-resetting power limiting devices based on microwave power induced semiconductor-metal transition in vanadium dioxideIEEE MTT-S Int. Microwave Symposium 2009, Jun 2009, Boston, United States. pp.109-112, ⟨10.1109/MWSYM.2009.5165644⟩
Communication dans un congrès
hal-00437606v1
|
|
Dispositifs limiteurs de puissance RF/microonde basés sur la transition semi-conducteur-métal du dioxyde de vanadium16èmes Journées Nationales Microondes (JNM 2009), May 2009, Grenoble, France. pp.1B-5 Session Orale
Communication dans un congrès
hal-00437197v1
|
|
Clusters and nanostructured thin films by laser ablation for telecom or optic applicationsE-MRS Spring Meeting 2009, Symposium Q : Laser and plasma processing for advanced materials, Jun 2009, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-00437694v1
|
|
Propriétés électriques des films minces de carbone amorphe dopé au nickel déposés par ablation laser : intégration dans des composants RF et microonde16èmes Journées Nationales Microondes (JNM 2009), May 2009, Grenoble, France. pp.1B-1 Session Orale
Communication dans un congrès
hal-00437196v1
|
|
The effect of thermal annealing on the electrical and structural properties of pure and nickel-doped amprphous carbon thin films deposited by PLDE-MRS Spring Meeting 2009, Symposium Q : Laser and plasma processing for advanced materials, Jun 2009, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-00437747v1
|
|
Vanadium dioxide thin films showing a semiconductor-metal transition and their integration in advanced filtering devices in the RF/microwave domainE-MRS Spring Meeting 2009, Jun 2009, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-00437618v1
|
|
Synthesis of reversible metal-insulator VO2 thin films by PLD for application to RF microwave devices.The 3rd International Workshop on Advanced Ceramics (IWAC03), Nov 2008, Limoges, France
Communication dans un congrès
hal-00358593v1
|
|
Tunable band stop filters based on metal-insulator transition in vanadium dioxide thin filmIEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, IMS 2008, Jun 2008, Atlanta, United States. pp.1103-1106, ⟨10.1109/MWSYM.2008.4633249⟩
Communication dans un congrès
hal-00358377v1
|
|
Integration of VO2 thin films presenting a semiconductor to metal phase transition for fabrication of microwave switches and tunable filtersJNTE'08 French Symposium on Emerging Technologies for Micro-Nanofabrication, Nov 2008, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-00367419v1
|
|
RF microwave switches based on reversible metal semiconductor transition properties of VO2 thin films : an attractive way to realise simple RF microelectronic devicesMRS Fall Meeting : Symposium V on Materials, Devices and Characterization for Smart Systems, Dec 2008, Boston, United States. pp.275-286, ⟨10.1557/PROC-1129-V14-01⟩
Communication dans un congrès
hal-00414040v1
|
Exploiting the semiconductor-metal phase transition of V02 materials : a novel direction towards tuneable devices and systmes for RF-microwave applicationsMoumita Mukherjee. Advanced Microwave and Millimeter Wave Technologies Semiconductor Devices Circuits and Systems, INTECH - ISBN 978-953-307-031-5, 22 p., 2010
Chapitre d'ouvrage
hal-00620195v1
|