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About 250/285 GHz push–push oscillator using differential gate equalisation in digital 65‐nm CMOS

 Bassem Fahs , Kefei Wu , Walid Aouimeur , Muhammad Waleed Mansha , Christophe Gaquière , et al.
IET Microwaves Antennas and Propagation, 2019, 13 (12), pp.2073-2080. ⟨10.1049/iet-map.2018.5308⟩
Article dans une revue hal-03133845v1

Accuracy measurements of an original active loadpull based on large signal network analyzer

 D. Ducatteau , M. Werquin , E. Delos , E. Morvan , D. Theron , et al.
Proceedings of the 2007 European Microwave Week, 2007, Munich, Germany
Communication dans un congrès hal-00367699v1

Plasma excitations in field effect transistors for terahertz detection and emission

 W. Knap , D. Coquillat , N. Dyakonova , F. Teppe , O. Klimenko , et al.
Comptes Rendus. Physique, 2010, 11, pp.433-443. ⟨10.1016/j.crhy.2010.06.010⟩
Article dans une revue hal-00549459v1

Monte Carlo analysis of thermal effects in self-switching diodes

 J.F. Millithaler , I. Iniguez-De-La-Torre , T. Gonzalez , J. Mateos , P. Sangare , et al.
9th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2013, 2013, Valladolid, Spain. pp.45-48, ⟨10.1109/CDE.2013.6481338⟩
Communication dans un congrès hal-00806588v1

SubfemtoFarad MOS varactor characterization tools

 R. Debroucke , J. Larchanche , D. Theron , D. Ducatteau , H. Tanbakuchi , et al.
40th European Microwave Conference, EuMC 2010, 2010, France. pp.783-786
Communication dans un congrès hal-00550021v1

Device and method for mixing electromagnetic waves with frequencies up to the THz range

 Luca Varani , Philippe Nouvel , Alexandre Penot , Javier Mateos , Jan Vilhelm Grahn , et al.
France, Patent n° : EP2731263 (A1). Brevet [#620]. 2014
Brevet hal-00998981v1

AlGaN/GaN HEMTs : technology and microwave performances

 Jean-Claude de Jaeger , N. Caillas , E. Chartier , Gilles Dambrine , S. Delage , et al.
RF & Hyper Europe 2004, 2004, Paris, France
Communication dans un congrès hal-00141961v1

Electronic properties of deep defects in n-type GaN

 P. Muret , C. Ulzhöfer , J. Pernot , Y. Cordier , F. Semond , et al.
Superlattices and Microstructures, 2004, 36, pp.435-443
Article dans une revue hal-00141959v1

[Invité] Caractérisation des composants silicium en gamme de fréquence millimétrique

 Christophe Gaquière
Journées Thématiques du GdR Ondes, RF/millimétrique et optique intégrée, 2013, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-00811822v1

160W InAlN/GaN HEMTs amplifier at 2 GHz with optimized thermal management

 Stéphane Piotrowicz , Olivier Jardel , Jean-Claude Jacquet , D. Lancereau , Raphaël Aubry , et al.
34th IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, CSICS 2012, Oct 2012, La Jolla, CA, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/CSICS.2012.6340059⟩
Communication dans un congrès hal-00801142v1

Caractérisation de transistors à effet de champ à base de GaN

 Christophe Gaquière , Raphaël Aubry , Yannick Guhel , A. Minko , Nicolas Vellas , et al.
3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, 2002, La Plagne, France
Communication dans un congrès hal-00149714v1

Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors

 Nina Diakonova , A. El Fatimy , Y. Meziani , T. Otsuji , Dominique Coquillat , et al.
35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, Sep 2010, Rome, Italy. pp.1
Communication dans un congrès hal-00636136v1

Current instabilities and deep level investigation on AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates

 N. Sghaier , N. Yacoubi , J.M. Bluet , A. Souifi , G. Guillot , et al.
2004, pp.672-675
Communication dans un congrès hal-00154889v1

Impact of BEOL stress on BiCMOS9MW HBTs

 Elodie Canderle , P. Chevalier , G. Avenier , N. Derrier , D. Céli , et al.
27th IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2013, 2013, Bordeaux, France. session 13 : Advanced SiGe BiCMOS Processes, paper 13.1, 223-226, ⟨10.1109/BCTM.2013.6798181⟩
Communication dans un congrès hal-00996056v1

GaAlN/GaN HEMT heterostructures grown on ‘SiCopSiC' composite substrates for HEMT application

 M.A. Di Forte-Poisson , N. Sarazin , M. Magis , M. Tordjman , J. Di Persio , et al.
14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, ICMOVPE-XIV, 2008, Metz, France
Communication dans un congrès hal-00362031v1

Low frequency and linear high frequency noise performances of AlGaN/GaN grown on SiC substrate

 Jean-Guy Tartarin , Geoffroy Soubercaze-Pun , Laurent Bary , C. Chambon , Sébastien Gribaldo , et al.
2005, pp.277-280
Communication dans un congrès hal-00154917v1

Characterization on AlGaN/GaN/Si HEMTs devices passivated with SiN/SiO2

 H. Mosbahi , M. Gassoumi , M.A. Zaidi , Vanessa Avramovic , Christophe Gaquière , et al.
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
Communication dans un congrès hal-00801155v1

State of the art 200 GHz power measurements on SiGe:C HBT using an innovative load pull measurement setup

 A. Pottrain , T. Lacave , D. Gloria , P. Chevalier , Christophe Gaquière
60th IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2012, 2012, Montréal, Canada. pp.1-3, ⟨10.1109/MWSYM.2012.6259409⟩
Communication dans un congrès hal-00801191v1

Integrated Characterization Solutions for ICs and Devices Beyond 100 GHz

 Marc Margalef-Rovira , Issa Alaji , Haitham Ghanem , Guillaume Ducournau , Christophe Gaquière
27th European Test Symposium, ETS 2022, May 2022, Barcelone, Spain. Special Session 1 - RF 5G Test
Communication dans un congrès hal-03796736v1
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Temperature-sensitivity of two microwave HEMT devices: AlGaAs/GaAs vs. AlGaN/GaN heterostructures

 Mohammad Abdul Alim , Abu Zahed Chowdhury , Shariful Islam , Christophe Gaquière , Giovanni Crupi
Electronics, 2021, 10 (9), pp.1115. ⟨10.3390/electronics10091115⟩
Article dans une revue hal-03278479v1
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Monte Carlo analysis of the influence of surface charges on GaN asymmetric nanochannels: bias and temperature dependence

 E. Pérez-Martín , I. Íñiguez-De-La-Torre , Christophe Gaquière , T. González , J. Mateos
Journal of Applied Physics, 2021, 130 (10), pp.104501. ⟨10.1063/5.0061905⟩
Article dans une revue hal-03501372v1

Power results at 4 GHz of AlGaN/GaN HEMTs on high resistive silicon (111) substrate

 N. Vellas , Christophe Gaquière , A. Minko , Virginie Hoel , Jean-Claude de Jaeger , et al.
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2003, 13, pp.255-257
Article dans une revue hal-00146662v1

Thermal response for intermodulation distortion components of GaN HEMT for low and high frequency applications

 Mohammad A. Alim , Mayahsa M. Ali , Ali A. Rezazadeh , Christophe Gaquière
Microelectronic Engineering, 2019, 209, pp.53-59. ⟨10.1016/j.mee.2019.03.011⟩
Article dans une revue hal-03143596v1

Composants plasmoniques à base d'hétérojonction AlGaN/GaN pour les applications terahertz

 S. Vandenbrouck , Didier Theron , Jean-Francois Lampin , L. Desplanque , Z. Bougrioua , et al.
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.8B3-1-4
Communication dans un congrès hal-00370333v1

Large signal and pulse instabilities in GaN HFETs

 Erhard Kohn , E Strobel , I. Daumiller , Christophe Gaquière , B. Boudart , et al.
1st Gallium Nitride Electronic Device Workshop, 1999, Cornell, United States
Communication dans un congrès hal-01654323v1

Amélioration des performances électriques en régime statique et hyperfréquence de transistors HEMTs pseudomorphiques de la filière GaAs en utilisant des rayonnements ionisants

 F. Berthet , Y. Guhel , H. Galous , B. Boudart , J.L. Trolet , et al.
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. pp.6E9, 1-4
Communication dans un congrès hal-00603138v1

Caractérisation et analyse des effets de pièges électriques sur la fiabilité de HEMTS AlGaN/GaN

 F. Berthet , Y. Guhel , H. Galous , B. Boudart , J.L. Trolet , et al.
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. pp.4C3, 1-4
Communication dans un congrès hal-00603136v1

Développement d'un banc de caractérisation non linéaire dans le domaine fréquentiel pour la caractérisation et la modélisation de transistors de puissance

 R. Ouhachi , A. Pottrain , T. Lacave , D. Ducatteau , P. Chevalier , et al.
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. papier 118, 2F6, 1-4
Communication dans un congrès hal-00603134v1

Characterisation of LT GaAs FET’s as a function of the temperature

 Didier Theron , B. Boudart , Christophe Gaquière , Georges Salmer , M. Lipka , et al.
IEEE Workshop Experimentally based FET device modelling & Related nonlinear circuit design, 1997, Kassel, Germany
Communication dans un congrès hal-01648141v1

Spatial mapping of electroluminescence due to impact ionization effect in high electron mobility transistors

 Christophe Gaquière , B. Boudart , P.A. Dhamlincourt
Applied Spectroscopy, 2000, 54, pp.1423-1428
Article dans une revue hal-00158981v1
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