Marc Bocquet
Enseignant Chercheur (Professeur des universités) à l'université d'Aix-Marseille.
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Documents
Présentation
Professeur des Universités - 63ème section CNU
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Unités de rattachement actuelles
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### Laboratoire de recherche :
Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (Im2np)
Im2np, UMR CNRS 7334 et Université d'Aix-Marseille <http://www.im2np.fr>
Equipe Mémoires - Département ASCE
### Composante d'enseignement :
IUT dpt GEII de Marseille
<https://iut.univ-amu.fr/departements/geii-marseille>
Responsabilités Administratives
### Laboratoire
- Depuis 2017 : Co-responsable de l'équipe Mémoires de l'IM2NP
- Depuis 2017 : Membre du conseil scientifique de l'IM2NP
### Unité de Formation
- 2019-2020 : Co-responsable de la 2ème année du cycle préparatoire intégrée de Polytech Marseille
- 2014-2019 : Responsable d'année du département MT de Polytech Marseille
- 2012-2014 : Responsable d'un parcours d'enseignement au département MT de Polytech Marseille
Diplômes
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- Juin 2017 : Habilitation à diriger les recherches (HDR), Université d’Aix-Marseille.
- Novembre 2009 : Thèse de doctorat en Micro&NanoElectronique de l'INPG, Grenoble.
- 2005-2006 : Master NanoTechnologies Université Joseph Fourier, Grenoble, mention bien
- 2003-2006 : Diplôme d'ingénieur ENSERG - INPG, Grenoble, mention très bien
Activité d'enseignement
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Volume : Environ 2500 HETD enseignées depuis 2006
Niveaux : Cycle préparatoire (2A), école d'ingénieur (3A-4A-5A), formation continue
Matières enseignés : Base de l'électronique numérique, microcontrôleur, électrotechnique, physique et technologie des composants à semi-conducteur, mémoires non-volatiles
Thématiques de recherche
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### Mots-clefs thématiques :
Technologies mémoires émergentes, micro-nanoélectronique, électronique flexible, mémoires non-volatiles, mémoires résistives, RRAM, CBRAM, PCM, FRAM
### Compétences :
Microscopie champ proche (AFM, EFM, KPFM, C-AFM), caractérisation électrique sous pointes, modélisation physique, modélisation compacte
### Thèmes :
- Modélisation et caractérisation des mémoires innovantes : RRAM, PCRAM, FRAM
- Développement technologique de dispositifs mémoires sur support souple\\\\
- Optimisation de nouvelles architectures mémoires de type EEPROM/Flash
Projets de recherche
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Implication en tant que participant (P) ou coordinateur (C) :
- ANR Neuronic (2019-2023) (C)
- IPCEI Nano2022 (2019-2022) (C)
- UNICO Chist-ERA (2019-2022) (P)
- ANR Reflex (2012-2015) (P)
- ANR Dipmem (2012-2015) (P)
- Carnot POLYMEM (2014) (P)
Expertises Nationales
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- Participation à des jurys de thèse : 2 en tant que président, 4 en tant que rapporteur et 1 en tant que Examinateur
- Depuis 2016 : Expertise de dossiers AGIR-PEPS, ANR, IRS, projet region.
- 2013 : Membre de la commission de Spécialité de la 63ème section collège B
Encadrement doctoral
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- 4 thèses en co-encadrement soutenues
- 2 thèses en co-encadrement en cours.
- Co-encadrement de thèses sous contrat CIFRE et CTBU CEA.
Dissémination scientifique
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- 105 publications
- 25 revues internationales à comité de lecture.
- 54 proceedings de conférences internationales à comité de lecture.
- 2 articles de vulgarisation scientifiques.
- 7 conférences invitées
- 1 brevet.
Publications
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Binary ReRAM-based BNN first-layer implementation2023 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE), Apr 2023, Antwerp, Belgium. pp.1-6, ⟨10.23919/DATE56975.2023.10137057⟩
Communication dans un congrès
hal-04270562v1
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Experimental Demonstration of Memristor Delay-Based Logic In-Memory Ternary Neural Network2023 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), Jun 2023, Kyoto, Japan. pp.43-44, ⟨10.23919/SNW57900.2023.10183957⟩
Communication dans un congrès
hal-04270396v1
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A Multimode Hybrid Memristor-CMOS Prototyping Platform Supporting Digital and Analog Projects2023 28th Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC), Jan 2023, Tokyo (Japan), France. pp.184-185, ⟨10.1145/3566097.3567944⟩
Communication dans un congrès
hal-04270420v1
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Low-Overhead Implementation of Binarized Neural Networks Employing Robust 2T2R Resistive RAM BridgesESSCIRC 2021 - IEEE 47th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), Sep 2021, Grenoble, France. pp.83-86, ⟨10.1109/ESSCIRC53450.2021.9567742⟩
Communication dans un congrès
hal-03597353v1
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CAPC: A Configurable Analog Pop-Count Circuit for Near-Memory Binary Neural Networks2021 IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS), Aug 2021, Lansing, France. pp.158-161, ⟨10.1109/MWSCAS47672.2021.9531919⟩
Communication dans un congrès
hal-03624922v1
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High-Density 3D Monolithically Integrated Multiple 1T1R Multi-Level-Cell for Neural Networks2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2020, San Francisco (virtual), United States. pp.36.5.1-36.5.4, ⟨10.1109/IEDM13553.2020.9372019⟩
Communication dans un congrès
hal-03218937v1
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In-Memory Resistive RAM Implementation of Binarized Neural Networks for Medical Applications2020 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE), Mar 2020, Grenoble, France. pp.690-695, ⟨10.23919/DATE48585.2020.9116439⟩
Communication dans un congrès
hal-03218970v1
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Low Power In-Memory Implementation of Ternary Neural Networks with Resistive RAM-Based Synapse2nd IEEE International Conference on Artificial Intelligence Circuits and Systems (AICAS), 2020, Genova (virtual), Italy. ⟨10.1109/AICAS48895.2020.9073877⟩
Communication dans un congrès
hal-02403984v1
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Embracing the unreliability of memory devices for neuromorphic computingIRPS 2020 - IEEE International Reliability Physics Symposium, IEEE, Apr 2020, Dallas (Texas), United States. pp.1-5, ⟨10.1109/IRPS45951.2020.9128346⟩
Communication dans un congrès
hal-04019222v1
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Hybrid Analog-Digital Learning with Differential RRAM Synapses2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, United States. ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993555⟩
Communication dans un congrès
hal-02399624v1
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Implementing Binarized Neural Networks with Magnetoresistive RAM without Error Correction15th IEEE / ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Jul 2019, Qingdao, China
Communication dans un congrès
hal-02399718v1
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Outstanding Bit Error Tolerance of Resistive RAM-Based Binarized Neural NetworksIEEE International Conference on Artificial Intellignence Circuits and Systems (AICAS), Mar 2019, Hsinshu, Taiwan. ⟨10.1109/AICAS.2019.8771544⟩
Communication dans un congrès
hal-02159142v1
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Memory-Centric Neuromorphic Computing With NanodevicesBiomedical Circuits and Systems Conference (BiOCAS), Oct 2019, Nara, Japan. ⟨10.1109/BIOCAS.2019.8919010⟩
Communication dans un congrès
hal-02399731v1
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In-Memory and Error-Immune Differential RRAM Implementation of Binarized Deep Neural Networks2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2018, San Francisco, United States. pp.20.6.1-20.6.4, ⟨10.1109/IEDM.2018.8614639⟩
Communication dans un congrès
hal-02011124v1
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Analytical study of complementary memristive synchronous logic gates2013 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Jul 2013, Brooklyn, United States. ⟨10.1109/NanoArch.2013.6623047⟩
Communication dans un congrès
hal-01745759v1
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Synchronous Full-Adder based on Complementary Resistive Switching Memory Cells11th International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), Jun 2013, Paris, France. ⟨10.1109/NEWCAS.2013.6573578⟩
Communication dans un congrès
hal-01840795v1
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Crossbar architecture based on 2R complementary resistive switching memory cell 2012 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures , Jul 2012, Amsterdam, Netherlands. ⟨10.1145/2765491.2765508⟩
Communication dans un congrès
hal-01745351v1
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