Marc Bocquet
Enseignant Chercheur (Professeur des universités) à l'université d'Aix-Marseille.
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Documents
Présentation
Professeur des Universités - 63ème section CNU
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Unités de rattachement actuelles
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### Laboratoire de recherche :
Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (Im2np)
Im2np, UMR CNRS 7334 et Université d'Aix-Marseille <http://www.im2np.fr>
Equipe Mémoires - Département ASCE
### Composante d'enseignement :
IUT dpt GEII de Marseille
<https://iut.univ-amu.fr/departements/geii-marseille>
Responsabilités Administratives
### Laboratoire
- Depuis 2017 : Co-responsable de l'équipe Mémoires de l'IM2NP
- Depuis 2017 : Membre du conseil scientifique de l'IM2NP
### Unité de Formation
- 2019-2020 : Co-responsable de la 2ème année du cycle préparatoire intégrée de Polytech Marseille
- 2014-2019 : Responsable d'année du département MT de Polytech Marseille
- 2012-2014 : Responsable d'un parcours d'enseignement au département MT de Polytech Marseille
Diplômes
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- Juin 2017 : Habilitation à diriger les recherches (HDR), Université d’Aix-Marseille.
- Novembre 2009 : Thèse de doctorat en Micro&NanoElectronique de l'INPG, Grenoble.
- 2005-2006 : Master NanoTechnologies Université Joseph Fourier, Grenoble, mention bien
- 2003-2006 : Diplôme d'ingénieur ENSERG - INPG, Grenoble, mention très bien
Activité d'enseignement
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Volume : Environ 2500 HETD enseignées depuis 2006
Niveaux : Cycle préparatoire (2A), école d'ingénieur (3A-4A-5A), formation continue
Matières enseignés : Base de l'électronique numérique, microcontrôleur, électrotechnique, physique et technologie des composants à semi-conducteur, mémoires non-volatiles
Thématiques de recherche
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### Mots-clefs thématiques :
Technologies mémoires émergentes, micro-nanoélectronique, électronique flexible, mémoires non-volatiles, mémoires résistives, RRAM, CBRAM, PCM, FRAM
### Compétences :
Microscopie champ proche (AFM, EFM, KPFM, C-AFM), caractérisation électrique sous pointes, modélisation physique, modélisation compacte
### Thèmes :
- Modélisation et caractérisation des mémoires innovantes : RRAM, PCRAM, FRAM
- Développement technologique de dispositifs mémoires sur support souple\\\\
- Optimisation de nouvelles architectures mémoires de type EEPROM/Flash
Projets de recherche
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Implication en tant que participant (P) ou coordinateur (C) :
- ANR Neuronic (2019-2023) (C)
- IPCEI Nano2022 (2019-2022) (C)
- UNICO Chist-ERA (2019-2022) (P)
- ANR Reflex (2012-2015) (P)
- ANR Dipmem (2012-2015) (P)
- Carnot POLYMEM (2014) (P)
Expertises Nationales
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- Participation à des jurys de thèse : 2 en tant que président, 4 en tant que rapporteur et 1 en tant que Examinateur
- Depuis 2016 : Expertise de dossiers AGIR-PEPS, ANR, IRS, projet region.
- 2013 : Membre de la commission de Spécialité de la 63ème section collège B
Encadrement doctoral
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- 4 thèses en co-encadrement soutenues
- 2 thèses en co-encadrement en cours.
- Co-encadrement de thèses sous contrat CIFRE et CTBU CEA.
Dissémination scientifique
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- 105 publications
- 25 revues internationales à comité de lecture.
- 54 proceedings de conférences internationales à comité de lecture.
- 2 articles de vulgarisation scientifiques.
- 7 conférences invitées
- 1 brevet.
Publications
- 3
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- 1
ReRAM ON/OFF resistance ratio degradation due to line resistance combined with device variability in 28nm FDSOI technology2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Apr 2017, Athens, Greece. ⟨10.1109/ULIS.2017.7962594⟩
Communication dans un congrès
hal-01745666v1
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Multilevel Operation in Oxide Based Resistive RAM with SET voltage modulation2016 11TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON DESIGN & TECHNOLOGY OF INTEGRATED SYSTEMS IN NANOSCALE ERA (DTIS), Apr 2016, Istanbul, Turkey. pp.1-5, ⟨10.1109/DTIS.2016.7483892⟩
Communication dans un congrès
hal-01434981v1
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Oxide based resistive RAM: ON/OFF resistance analysis versus circuit variability2014 IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems (DFT), Oct 2014, Amsterdam, Netherlands. ⟨10.1109/DFT.2014.6962107⟩
Communication dans un congrès
hal-01745718v1
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Synchronous Full-Adder based on Complementary Resistive Switching Memory Cells11th International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), Jun 2013, Paris, France. ⟨10.1109/NEWCAS.2013.6573578⟩
Communication dans un congrès
hal-01840795v1
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SPICE level analysis of Single Event Effects in an OxRRAM cell2013 14th Latin American Test Workshop - LATW, Apr 2013, Cordoba, France. ⟨10.1109/LATW.2013.6562684⟩
Communication dans un congrès
hal-01804661v1
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Single-ended sense amplifier robustness evaluation for OxRRAM technology2013 IEEE Design and Test Symposium (IDT), Dec 2013, Marrakesh, Morocco. ⟨10.1109/IDT.2013.6727097⟩
Communication dans un congrès
hal-01745737v1
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Analytical study of complementary memristive synchronous logic gates2013 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Jul 2013, Brooklyn, United States. ⟨10.1109/NanoArch.2013.6623047⟩
Communication dans un congrès
hal-01745759v1
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A Built-In Self-Test Structure (BIST) for Resistive RAMs Characterization: Application to Bipolar OxRRAMsInternational Semiconductor Device Research Symposium, Dec 2013, Bethesda, United States
Communication dans un congrès
hal-01745729v1
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Crossbar architecture based on 2R complementary resistive switching memory cell 2012 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures , Jul 2012, Amsterdam, Netherlands. ⟨10.1145/2765491.2765508⟩
Communication dans un congrès
hal-01745351v1
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