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Effect of lithium fluoride addition on the sintering and dielectric properties of cerium oxide
T. Toloshniak
,
Jérôme Bernard
,
Yannick Guhel
,
Anthony Besq
,
B. Boudart
14th International Conference European Ceramic Society, ECerS, Jun 2015, Toledo, Spain
Communication dans un congrès
hal-01654183v1
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Protection of InP EPI-ready wafers by controlled oxide growth
D. Gallet
,
M. Gendry
,
G. Hollinger
,
A. Overs
,
G. Jacob
,
et al.
Article dans une revue
istex
hal-01646866v1
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State creation under gate-bias stress in polysilicon TFTs studied from the temperature-transfer characteristics behavior
H. Toutah
,
Jean-François Llibre
,
B. Tala-Ighil
,
B. Boudart
,
T. Mohammed-Brahim
Article dans une revue
istex
hal-01647833v1
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Total ionising dose effects on punch-through insulated gate bipolar transistors turn-on switching behaviour
B. Tala-Ighil
,
A. Oukaour
,
H. Gualous
,
B. Boudart
,
B. Pouderoux
,
et al.
Article dans une revue
hal-01647883v1
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Free carrier concentration in n-doped InP crystals determined by Raman scattering measurements
B. Boudart
,
B. Prévot
,
Claude Schwab
European Materials Research Society, 1990, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-01648095v1
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Influence d'une passivation précédée d'un traitement de surface sur le comportement électrique en régime statique d'un HEMT AlGaN/GaN
Y. Guhel
,
B. Boudart
,
N. Vellas
,
Christophe Gaquière
,
E. Delos
,
et al.
2003, pp.1D-11
Communication dans un congrès
hal-00146690v1
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Réalisation technologique de HEMTs sur GaN
Y. Guhel
,
B. Boudart
Ecole Thématique sur les Nitrures d'Eléments III, 2000, Orcières-Merlette, France
Communication dans un congrès
hal-00159033v1
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Measurement of Self-Heating Temperature in AlGaN/GaN HEMTs by Using Cerium Oxide Micro-Raman Thermometers
G. Brocero
,
Y. Guhel
,
P. Eudeline
,
J. Sipma
,
C. Gaquiere
,
et al.
Article dans une revue
hal-04408061v1
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Reanalyse of an analytical model for one tidal turbine wake prediction
O Lo Brutto
,
V T Nguyen
,
Sylvain Guillou
,
Hamid Gualous
,
B. Boudart
11th European Wave and Tidal Energy Conference, 2015, Nantes, France
Communication dans un congrès
hal-01654186v1
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Impact of low gamma radiation dose on electrical trap related effects in AlGaN/GaN HEMTs
F. Berthet
,
Y. Guhel
,
B. Boudart
,
H. Gualous
,
J.L. Trolet
,
et al.
Article dans une revue
hal-00788173v1
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DC electrical performances improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low thermal neutron radiation dose
Y. Guhel
,
B. Boudart
,
Christophe Gaquière
,
N. Vellas
,
J.L. Trolet
,
et al.
Article dans une revue
hal-00549454v1
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Développement d’une attaque chimique sélective entre GaAs et Al0.22Ga0.78As et application au creusement du fossé de grille d’un TEC de puissance
X. Hue
,
B. Boudart
,
Y. Crosnier
7es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1999, Egat, France
Communication dans un congrès
hal-01654470v1
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Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures
B. Boudart
,
Jean-François Llibre
,
D. Briand
,
Boubekeur Tala-Ighil
,
H. Toutah
,
et al.
13es Journées Nationales Microondes, 2003, Lille, France
Communication dans un congrès
hal-01654259v1
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Trap effects studies in GaN MESFETs by pulsed measurements
S. Trassaert
,
B. Boudart
,
Christophe Gaquière
,
Didier Theron
,
Y. Crosnier
,
et al.
Article dans une revue
hal-01647642v1
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Self-heating temperature measurement in AlInN/GaN HEMTs by using CeO2 and TiO2 micro-raman thermometers
R. Strenaer
,
Y. Guhel
,
G. Brocero
,
C. Gaquiere
,
B. Boudart
Article dans une revue
hal-03842886v1
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Parasitic channel induced by an on-state stress in AlInN/GaN HEMTs
S. Petitdidier
,
Y. Guhel
,
J. L. Trolet
,
P. Mary
,
Christophe Gaquière
,
et al.
Article dans une revue
hal-01646149v1
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Investigation Properties of Pervious and Water-Retaining Recycled Concrete to Mitigate Urban Heat Island Phenomena
Bechara Haddad
,
Hamzé Karaky
,
Mohamed Boutouil
,
Bertrand Boudart
,
Nassim Sebaibi
Article dans une revue
hal-04035103v1
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Ageing defect detection on IGBT power modules by artificial training methods based on pattern recognition
Amrane Oukaour
,
B. Tala-Ighil
,
B. Pouderoux
,
M. Tounsi
,
Mounira Bouarroudj-Berkani
,
et al.
Microelectronics Reliability, 2011, 51, pp.386-391
Article dans une revue
hal-00869410v1
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Properties of concretes incorporating crushed queen scallops for artificial reefs
Héctor Cuadrado-Rica
,
Nassim Sebaibi
,
Mohamed Boutouil
,
B. Boudart
RECIF conference on artificial reefs: from materials to ecosystems, 2015, Caen, France
Communication dans un congrès
hal-01653305v1
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Examination of punch-through insulated gate bipolar transistors under high temperature gate bias and high temperature reverse bias stresses
C.O. Maïga
,
Boubekeur Tala-Ighil
,
H. Toutah
,
B. Boudart
PCIM Europe 2005, 2005, Nuremberg, Germany
Communication dans un congrès
hal-01651274v1
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Determination of AlGaN/GaN power transistor junction temperature for radar applications
Guillaume Brocero
,
Jean Pierre Sipma
,
Philippe Eudeline
,
Yannick Guhel
,
B. Boudart
21st International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications (MIKON), 2016, Cracovie, Poland
Communication dans un congrès
hal-01654235v1
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Mesure de charges d’espace par la méthode de l’onde thermique alternative dans le polycarbonate après implantation ionique
Laurent Salles
,
J M Reboul
,
B. Boudart
,
Denis Busardo
10e Conférence de la Société Française d’Electrostatique, 2014, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-01654274v1
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PWM power cycling test for IGBT modules operating at ambient temperature
Mohamed Tounsi
,
Amrane Oukaour
,
Boubekeur Tala-Ighil
,
B. Pouderoux
,
B. Boudart
,
et al.
4th International Conference on Accelerated Life Testing and Degradation Models: Industry, Medicine, and Social Science, 2012, Rennes, France
Communication dans un congrès
hal-01653101v1
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Compensation uniformity of InP:Fe as probed by electron paramagnetic resonance
B. Boudart
,
Bernard Meyer
,
Claude Schwab
,
R. Coquille
,
M. Gauneau
European Materials Research Society, 1990, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-01648085v1
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Utilisation de micro-thermomètres Raman pour la mesure de la température d’échauffement de transistors de la filière GaN
Guillaume Brocero
,
Yannick Guhel
,
Philippe Eudeline
,
Jean Pierre Sipma
,
Christophe Gaquière
,
et al.
21e JNM, May 2019, Caen, France
Communication dans un congrès
hal-02117236v1
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Innovative submicron thermal characterization method for AlGaN/GaN power HEMTs with hyperspectral thermoreflectance imaging
Guillaume Brocero
,
D Kendig
,
Ali Shakouri
,
Yannick Guhel
,
Philippe Eudeline
,
et al.
Compound Semiconductor IC Symposium (CSICS), 2017, Miami, United States
Communication dans un congrès
hal-01652197v1
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Influence d’un stress à canal ouvert sur les signaux d’électroluminescence émis par des transistors AlInN/GaN
Fanny Berthet
,
Guillaume Brocero
,
Sebastien Petitdidier
,
Yannick Guhel
,
Philippe Eudeline
,
et al.
20es Journées Nationales Microondes, 2017, Saint Malo, France
Communication dans un congrès
hal-01652207v1
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Utilisations possibles d’un spectromètre Raman pour la caractérisation de HEMTs à base de GaN
Guillaume Brocero
,
Fanny Berthet
,
Yannick Guhel
,
Philippe Eudeline
,
B. Boudart
Telecom’2017 & 10es JFMMA, 2017, Rabat, Maroc
Communication dans un congrès
hal-01652209v1
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Resonant Raman scatterring study of Ar+ ion-implanted AlGaN
B. Boudart
,
Y. Guhel
,
J.C. Pesant
,
P. Dhamelincourt
,
M.A. Poisson
Article dans une revue
hal-00268693v1
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Premiers résultats de MESFET's GaN réalisés sur substrat slicium (111)
Virginie Hoel
,
Y. Guhel
,
B. Boudart
,
Christophe Gaquière
,
Jean-Claude de Jaeger
,
et al.
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
Communication dans un congrès
hal-00152908v1
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