Development and evaluation of a flexible instrumentation layer for system-level testing of radiation effects
Israel C Lopes
,
Vincent Pouget
,
Frédéric Wrobel
,
Frédéric Saigné
,
Antoine Touboul
,
et al.
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Atmospheric radiation effects on power devices
Antoine Touboul
Short Course IEEE RADECS “atmospheric radiation effects on power devices” , 2012, Biarritz, France
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Swift heavy ion-induced silicon dioxide nanostructuration: experimental observation of velocity effect
Antoine Touboul
,
A. Privat
,
R. Arinero
,
Frédéric Wrobel
,
E. Lorfèvre
,
et al.
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A calculation method to estimate single event upset cross section
Frédéric Wrobel
,
Antoine Touboul
,
Vincent Pouget
,
Luigi Dilillo
,
Jérôme Boch
,
et al.
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Gate voltage contribution to neutron-induced SEB of Trench Gate Fieldstop IGBT
Lionel Foro
,
Antoine Touboul
,
Frédéric Wrobel
,
Paolo Rech
,
Luigi Dilillo
,
et al.
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On the Use of Post-Irradiation-Gate-Stress Results to Refine Sensitive operating area determination
A. Privat
,
Antoine Touboul
,
A. Michez
,
S. Bourdarie
,
J.-R. Vaillé
,
et al.
50th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference , 2014, Paris, France
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Tests de circuits intégrés au MEB à travers les couches isolantes : correction des erreurs par simulation numérique
H. Frémont
,
A. Touboul
,
Y. Danto
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Etude de la capacité de stockage maxima dans un dispositif à transfert de charges en volume
D. Rigaud
,
D. Sodini
,
A. Touboul
,
K. Torbati
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Monte Carlo simulation of particle-induced bit upsets
Frédéric Wrobel
,
Antoine Touboul
,
Jean-Roch Vaillé
,
Jérôme Boch
,
Frédéric Saigné
13th International Conference on Radiation Shielding (ICRS-13) & 19th Topical Meeting of the Radiation Protection & Shielding Division of the American Nuclear Society -2016 (RPSD-2016) , Oct 2016, Paris, France. pp.06033,
⟨10.1051/epjconf/201715306033⟩
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Off-state and on-state breakdown in GaAs MESFET, PHEMT and power PHEMT
N. Ismaïl
,
N. Malbert
,
N. Labat
,
A. Touboul
,
J.L. Muraro
physica status solidi (c) , 2006, 49 (3), pp.499-503
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Contribution of Latent Defects Induced by High-Energy Heavy Ion Irradiation on the Gate Oxide Breakdown
Mathias Marinoni
,
Antoine Touboul
,
Aminata M. J. F. Carvalho
,
Frédéric Saigné
,
Frédéric Wrobel
,
et al.
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Impact of Complex-Logic Cell Layout on the Single-Event Transient Sensitivity
Ygor Quadros de Aguiar
,
Frédéric Wrobel
,
Jean-Luc Autran
,
Paul Leroux
,
Frédéric Saigné
,
et al.
IEEE RADECS2018 , Sep 2018, Goteborg, Sweden
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Effect of Temperature on Single Event Latchup Sensitivity
S. Guagliardo
,
Frédéric Wrobel
,
Ygor Quadros de Aguiar
,
Jean-Luc Autran
,
P. Leroux
,
et al.
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Determining Realistic Parameters for the Double Exponential Law that Models Transient Current Pulses
Frédéric Wrobel
,
Luigi Dilillo
,
Antoine Touboul
,
Vincent Pouget
,
Frédéric Saigné
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On the Use of Post-Irradiation-Gate-Stress Results to Refine Sensitive Operating Area Determination
A. Privat
,
Antoine Touboul
,
A. Michez
,
S. Bourdarie
,
J.-R. Vaillé
,
et al.
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Effect of Ion Energy on Power MOSFET's Oxide Reliability
M. Naceur
,
Antoine Touboul
,
J.-R. Vaillé
,
E. Lorfèvre
,
F. Bezerra
,
et al.
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Défaillances induites par le rayonnement sur les composants de puissance
Antoine Touboul
RADSOL GDR ERRATA , 2010, Paris, France
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Comparaison des lieux de claquage BV on-state des différentes technologies à substrat GaAs
N. Ismail
,
N. Malbert
,
N. Labat
,
A. Touboul
,
B. Lambert
,
et al.
Xème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique , Jun 2004, France. pp. 127-128
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LF Excess Noise of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs
N. Saysset
,
C. Maneux
,
N. Labat
,
A. Touboul
,
Y. Danto
,
et al.
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Oxide thickness dependence of swift heavy ion-induced surface tracks formation in silicon dioxide on silicon structures at grazing incidence
A.M.J.F. Carvalho
,
Antoine Touboul
,
M. Marinoni
,
M. Ramonda
,
C. Guasch
,
et al.
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Neutron-Induced Failures of Trench Gate Fieldstop IGBT
L. Foro
,
Antoine Touboul
,
Frédéric Wrobel
,
Frédéric Saigné
IEEE NSREC , 2011, Las Végas, United States
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Banc de test de transistors MOSFET de puissance sous irradiation par ions lourds
Jean-Jacques Huselstein
,
François Forest
,
Mickaël Petit
,
Aymeric Privat
,
Antoine Touboul
Symposium de Génie Électrique 2014 , Jul 2014, Cachan, France
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Kink effect in HEMT structures: A trap-related semi-quantitative model and an empirical approach for spice simulation
T. Zimmer
,
D. Ouro Bodi
,
J.M. Dumas
,
N. Labat
,
A. Touboul
,
et al.
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A Simple Method for Assessing Power Devices Sensitivity to SEEs in Atmospheric Environment
L. Foro
,
Antoine Touboul
,
Frédéric Wrobel
,
F. Saigné
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Development of Monte Carlo Modeling for Neutron-Induced Failures of Trench FieldStop IGBT
Frédéric Saigné
,
L. Foro
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Frédéric Wrobel
,
Antoine Touboul
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Heavy Ion SEU Cross Section Calculation Based on Proton Experimental Data, and Vice Versa
Frédéric Wrobel
,
Antoine Touboul
,
Vincent Pouget
,
Luigi Dilillo
,
Robert Ecoffet
,
et al.
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The Power Law Shape of Heavy Ions Experimental Cross Section
Frédéric Wrobel
,
Antoine Touboul
,
Vincent Pouget
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Luigi Dilillo
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Eric Lorfèvre
,
et al.
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Conductive atomic force microscopy as a tool to reveal high ionising dose effects on ultra thin SiO2/Si structures
Richard Arinero
,
Antoine Touboul
,
M. Ramonda
,
C. Guasch
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Y. Gonzalez-Velo
,
et al.
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SiO2–Si under swift heavy ion irradiation: A comparison between normal and grazing incidence features
Aminata M.J.F. Carvalho
,
Antoine Touboul
,
Mathias Marinoni
,
Jean-François Carlotti
,
Cathy Guasch
,
et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms , 2008, 266, pp.2981-2985.
⟨10.1016/j.nimb.2008.03.206⟩
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Growth of silicon bump induced by swift heavy ion at the silicon oxide-silicon interface
J.-F. Carlotti
,
Antoine Touboul
,
M. Ramonda
,
M. Caussanel
,
C. Guasch
,
et al.
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