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Development and evaluation of a flexible instrumentation layer for system-level testing of radiation effects

 Israel C Lopes , Vincent Pouget , Frédéric Wrobel , Frédéric Saigné , Antoine Touboul , et al.
IEEE Latin American Test Symposium (LATS) 2020, Mar 2020, Maceio, Brazil. pp.1-6, ⟨10.1109/LATS49555.2020.9093681⟩
Communication dans un congrès hal-03251533v1

Atmospheric radiation effects on power devices

 Antoine Touboul
Short Course IEEE RADECS “atmospheric radiation effects on power devices”, 2012, Biarritz, France
Communication dans un congrès hal-01935755v1

Swift heavy ion-induced silicon dioxide nanostructuration: experimental observation of velocity effect

 Antoine Touboul , A. Privat , R. Arinero , Frédéric Wrobel , E. Lorfèvre , et al.
European Physical Journal: Applied Physics, 2012, 60 (1), ⟨10.1051/epjap/2012120349⟩
Article dans une revue istex hal-01633533v1

A calculation method to estimate single event upset cross section

 Frédéric Wrobel , Antoine Touboul , Vincent Pouget , Luigi Dilillo , Jérôme Boch , et al.
Microelectronics Reliability, 2017, 76-77, pp.644-649. ⟨10.1016/j.microrel.2017.07.056⟩
Article dans une revue hal-01636059v1

Gate voltage contribution to neutron-induced SEB of Trench Gate Fieldstop IGBT

 Lionel Foro , Antoine Touboul , Frédéric Wrobel , Paolo Rech , Luigi Dilillo , et al.
RADECS: Radiation and Its Effects on Components and Systems, Sep 2013, Oxford, United Kingdom. ⟨10.1109/RADECS.2013.6937428⟩
Communication dans un congrès lirmm-01237617v1

On the Use of Post-Irradiation-Gate-Stress Results to Refine Sensitive operating area determination

 A. Privat , Antoine Touboul , A. Michez , S. Bourdarie , J.-R. Vaillé , et al.
50th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference, 2014, Paris, France
Communication dans un congrès hal-01824688v1
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Tests de circuits intégrés au MEB à travers les couches isolantes : correction des erreurs par simulation numérique

 H. Frémont , A. Touboul , Y. Danto
Revue de Physique Appliquée, 1990, 25 (6), pp.499-507. ⟨10.1051/rphysap:01990002506049900⟩
Article dans une revue istex jpa-00246212v1
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Etude de la capacité de stockage maxima dans un dispositif à transfert de charges en volume

 D. Rigaud , D. Sodini , A. Touboul , K. Torbati
Revue de Physique Appliquée, 1984, 19 (11), pp.945-950. ⟨10.1051/rphysap:019840019011094500⟩
Article dans une revue istex jpa-00245288v1

Monte Carlo simulation of particle-induced bit upsets

 Frédéric Wrobel , Antoine Touboul , Jean-Roch Vaillé , Jérôme Boch , Frédéric Saigné
13th International Conference on Radiation Shielding (ICRS-13) & 19th Topical Meeting of the Radiation Protection & Shielding Division of the American Nuclear Society -2016 (RPSD-2016), Oct 2016, Paris, France. pp.06033, ⟨10.1051/epjconf/201715306033⟩
Communication dans un congrès hal-01645320v1

Off-state and on-state breakdown in GaAs MESFET, PHEMT and power PHEMT

 N. Ismaïl , N. Malbert , N. Labat , A. Touboul , J.L. Muraro
physica status solidi (c), 2006, 49 (3), pp.499-503
Article dans une revue hal-00185717v1

Contribution of Latent Defects Induced by High-Energy Heavy Ion Irradiation on the Gate Oxide Breakdown

 Mathias Marinoni , Antoine Touboul , Aminata M. J. F. Carvalho , Frédéric Saigné , Frédéric Wrobel , et al.
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2009, 56 (4), pp.2213 - 2217. ⟨10.1109/TNS.2008.2010258⟩
Article dans une revue hal-01631574v1
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Impact of Complex-Logic Cell Layout on the Single-Event Transient Sensitivity

 Ygor Quadros de Aguiar , Frédéric Wrobel , Jean-Luc Autran , Paul Leroux , Frédéric Saigné , et al.
IEEE RADECS2018, Sep 2018, Goteborg, Sweden
Communication dans un congrès hal-02086422v1
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Effect of Temperature on Single Event Latchup Sensitivity

 S. Guagliardo , Frédéric Wrobel , Ygor Quadros de Aguiar , Jean-Luc Autran , P. Leroux , et al.
International Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (DTIS), Apr 2020, Marrakech, Morocco. ⟨10.1109/dtis48698.2020.9081275⟩
Communication dans un congrès hal-03187841v1

Determining Realistic Parameters for the Double Exponential Law that Models Transient Current Pulses

 Frédéric Wrobel , Luigi Dilillo , Antoine Touboul , Vincent Pouget , Frédéric Saigné
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2014, 61 (4), pp.1813-1818. ⟨10.1109/TNS.2014.2299762⟩
Article dans une revue lirmm-01234429v1

On the Use of Post-Irradiation-Gate-Stress Results to Refine Sensitive Operating Area Determination

 A. Privat , Antoine Touboul , A. Michez , S. Bourdarie , J.-R. Vaillé , et al.
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2014, 61 (6), pp.2930 - 2935. ⟨10.1109/TNS.2014.2365041⟩
Article dans une revue hal-01635347v1

Effect of Ion Energy on Power MOSFET's Oxide Reliability

 M. Naceur , Antoine Touboul , J.-R. Vaillé , E. Lorfèvre , F. Bezerra , et al.
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2012, 59 (4), pp.786 - 791. ⟨10.1109/TNS.2012.2192751⟩
Article dans une revue hal-01633505v1

Défaillances induites par le rayonnement sur les composants de puissance

 Antoine Touboul
RADSOL GDR ERRATA, 2010, Paris, France
Communication dans un congrès hal-01937473v1

Comparaison des lieux de claquage BV on-state des différentes technologies à substrat GaAs

 N. Ismail , N. Malbert , N. Labat , A. Touboul , B. Lambert , et al.
Xème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, Jun 2004, France. pp. 127-128
Communication dans un congrès hal-00401360v1

Oxide thickness dependence of swift heavy ion-induced surface tracks formation in silicon dioxide on silicon structures at grazing incidence

 A.M.J.F. Carvalho , Antoine Touboul , M. Marinoni , M. Ramonda , C. Guasch , et al.
Journal of Applied Physics, 2007, 102 (12), pp.124306. ⟨10.1063/1.2826708⟩
Article dans une revue hal-00323504v1

Neutron-Induced Failures of Trench Gate Fieldstop IGBT

 L. Foro , Antoine Touboul , Frédéric Wrobel , Frédéric Saigné
IEEE NSREC, 2011, Las Végas, United States
Communication dans un congrès hal-01824305v1
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Banc de test de transistors MOSFET de puissance sous irradiation par ions lourds

 Jean-Jacques Huselstein , François Forest , Mickaël Petit , Aymeric Privat , Antoine Touboul
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01065186v1
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LF Excess Noise of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs

 N. Saysset , C. Maneux , N. Labat , A. Touboul , Y. Danto , et al.
Journal de Physique III, 1995, 5 (5), pp.509-517. ⟨10.1051/jp3:1995134⟩
Article dans une revue istex jpa-00249327v1

Kink effect in HEMT structures: A trap-related semi-quantitative model and an empirical approach for spice simulation

 T. Zimmer , D. Ouro Bodi , J.M. Dumas , N. Labat , A. Touboul , et al.
Solid-State Electronics, 1992, 35 (10), pp.1543 - 1548. ⟨10.1016/0038-1101(92)90096-U⟩
Article dans une revue istex hal-01721397v1

Heavy Ion SEU Cross Section Calculation Based on Proton Experimental Data, and Vice Versa

 Frédéric Wrobel , Antoine Touboul , Vincent Pouget , Luigi Dilillo , Robert Ecoffet , et al.
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2014, 61 (6), pp.3564-3571. ⟨10.1109/TNS.2014.2368613⟩
Article dans une revue lirmm-01234461v1

The Power Law Shape of Heavy Ions Experimental Cross Section

 Frédéric Wrobel , Antoine Touboul , Vincent Pouget , Luigi Dilillo , Eric Lorfèvre , et al.
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2016, 64 (1), pp.427-433. ⟨10.1109/TNS.2016.2608004⟩
Article dans une revue lirmm-01382480v1

A Simple Method for Assessing Power Devices Sensitivity to SEEs in Atmospheric Environment

 L. Foro , Antoine Touboul , Frédéric Wrobel , F. Saigné
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2013, 60 (4), pp.2559 - 2566. ⟨10.1109/TNS.2013.2259639⟩
Article dans une revue hal-01634484v1

Development of Monte Carlo Modeling for Neutron-Induced Failures of Trench FieldStop IGBT

 Frédéric Saigné , L. Foro , Frédéric Wrobel , Antoine Touboul
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2011, 58 (6), pp.2748 - 2754. ⟨10.1109/TNS.2011.2172631⟩
Article dans une revue hal-01632696v1

Conductive atomic force microscopy as a tool to reveal high ionising dose effects on ultra thin SiO2/Si structures

 Richard Arinero , Antoine Touboul , M. Ramonda , C. Guasch , Y. Gonzalez-Velo , et al.
Applied Nanoscience, 2013, 3 (3), pp.235 - 240. ⟨10.1007/s13204-012-0126-4⟩
Article dans une revue hal-01633528v1

SiO2–Si under swift heavy ion irradiation: A comparison between normal and grazing incidence features

 Aminata M.J.F. Carvalho , Antoine Touboul , Mathias Marinoni , Jean-François Carlotti , Cathy Guasch , et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2008, 266, pp.2981-2985. ⟨10.1016/j.nimb.2008.03.206⟩
Article dans une revue istex cea-00305690v1

Growth of silicon bump induced by swift heavy ion at the silicon oxide-silicon interface

 J.-F. Carlotti , Antoine Touboul , M. Ramonda , M. Caussanel , C. Guasch , et al.
Applied Physics Letters, 2006, 88 (4), pp.041906. ⟨10.1063/1.2166476⟩
Article dans une revue hal-00323478v1
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