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6 résultats
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A New High Speed and High Efficiency GaN HEMT Switching Cell for Envelope Tracking ModulatorsEuropen Microwave Week, Oct 2016, Londres, United Kingdom
Communication dans un congrès
hal-01432407v1
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Cellule de commutation à haut rendement et haute vitesse en technologie GaN pour la gestion dynamique de polarisation.19ème Journées Nationales Micoroondes, IMS laboratory, Jun 2015, Bordeaux, France
Communication dans un congrès
hal-01243144v1
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DC/DC converters in normally-ON GaN HEMT technology for the design of RF Power Amplifiers in MMIC technologyWide gap power components in energy conversion , CNES, Apr 2016, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-01309093v1
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High Switching Speed DC-DC Architecture Based on Normally-On Wide Bandgap HEMT Devices8th Wide Bandgap Semiconductors and Components Workshop, ESA-ECSAT, Sep 2016, Harwell, United Kingdom
Communication dans un congrès
hal-01432516v1
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High Speed and Highly Efficient S-Band 20 W Mixerless Vector Power ModulatorInternational Microwave Symposium (IMS 2017), IEEE-MTT(S), Jun 2017, Honolulu, HI, United States
Communication dans un congrès
hal-01541018v1
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Conception d'un modulateur de puissance large-bande à deux étages en technologie GaNXXèmes Journées Nationales Microondes, May 2017, Saint-Malo, France
Communication dans un congrès
hal-01525476v1
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