Né le 20 juillet 1959 à Fès (Maroc)
Laboratoire des Sciences de l’Ingénieur, de l’Informatique et de l’Imagerie : ICUBE
UMR 7357 (CNRS/Univ Strasbourg/INSA/ENGEES)
23 rue du Loess
67037 Strasbourg cedex
Tel. Bureau 03 88 106328 , Tel. Portable 0662334781
Email: Abdelilah.Slaoui@unistra.fr
Cursus Universitaire
29/02/ 1996 : Habilitation à Diriger des Recherches (ULP, Strasbourg)
Jury : Pr. Gautier (ULP), Pr. Pinard (INSA-Lyon), Pr. Martinez (INSA-Toulouse), Pr. Laude (Univ. Mons, Belgique), Pr. Balladore (ENSPS, Strasbourg)
06/09/ 1984 : Doctorat de 3ème cycle (ULP , Strasbourg),
sujet : "Contribution à l’étude des propriétés structurales et électriques du Silicium hyperdopé obtenu par implantation et recuit laser pulsé" ;
Prix de l'Association ADRERUS
Jury : Pr. Baruch (Paris IV), Pr. Daniel (ULP), Dr. Siffert et J.C. Muller
06/ 1982 : Diplôme d'Etudes Approfondies en Physique de la Matière Condensée
(ULP , Strasbourg), Mention Bien
Stage : " Etude de la recombinaison des porteurs dans les photopiles au silicium"
06/ 1981 : Maîtrise ès-Sciences Physiques , ULP , Strasbourg, Mention A. Bien
06/ 1979 : DEUG A à l'Université Louis Pasteur (ULP), Strasbourg
06/ 1977 : Baccalaureat série Mathématiques (Meknès, Maroc)
Expérience professionnelle
1 Janv. 2017 : Directeur Adjoint Scientifique INSIS-CNRS ; Resp. Cellule Energie du CNRS
1 Sept. 2009 : Directeur de recherche CNRS, 1ere classe, Laboratoire InESS puis ICUBE
1 Sept. 2004 : Directeur de recherche CNRS, 2ere classe, Laboratoire PHASE
1 Sept. 1990 : Chargé de recherche CNRS, 1ere classe, Laboratoire PHASE
06-12 / 1992 : Séjour 7 mois (an_92) à Stanford/USA et Oregon Graduate Inst. of Sci. & Tech. Portland/Oregon/USA
1 Sept. 1986 : Chargé de recherche CNRS , 2ème classe, Laboratoire PHASE
04-05 / 1987 : Séjour à LAMEL, CNR, Bologne, Italie, 1 mois (Avril 87)
01/85 – 09/86: Chercheur contractuel ,
Lab. PHysique et Application des Semi-conducteurs (PHASE), Strasbourg
Fonctions
Directeur Adjoint Scientifique INSIS (Janv. >2017)
Responsable de la Cellule Energie du CNRS (Janv. >2017)
Directeur de la fédération de Recherche sur l’Energie Solaire (FeDESOL) (2015-2017)
Responsable de l’Equipe “Matériaux et Composants pour l’Electronique et le Photovoltaïques: MaCEPV” du laboratoire ICUBE (2009-2017)
Directeur de Recherche CNRS (2Cl. > 2004; 1Cl. > 2008)
Responsable de l’Equipe “Photovoltaïques » des laboratoires PHASE et InESS (1998-2009)
Chercheur associé à Oregon Grad. Inst. of Sci. & Tech. (OGIST), Portland, Oregon, (1992)
Visiting scientist à LAMEL, CNR, Bologne, Italie (1987)
Chargé de Recherche CNRS (>1986)
ACTIVITÉS DE RECHERCHE
a) Synthèse de matériaux à base de silicium et développement de procédés pour l’élaboration de cellules photovoltaïques à haut rendement
· Procédés innovants (émetteurs sélectifs, hétérojonctions, cellules à contacts arrières) pour cellules photovoltaïques sur silicium en plaque très mince (~100µm)
· Cellules ultraminces à base de ruban (ANR Ruban solaire) ou de feuilles (foils) de silicium ; Corrélation entre propriétés structurales et optoélectroniques.
· Cellules photovoltaïque tandem à base de InGaN/GaN ou CIGS sur silicium
· Synthèse de chlatrates de silicium pour l’optoélectronique
b) Synthèse de silicium cristallin en couches mince (<5µm) sur substrats céramiques ou verre, et leurs caractérisations opto-électronique et application comme cellules photovoltaïques
· Si polycristallin par Cristallisation induite par métaux, en particulier d’aluminium
· Si polycristallin par cristallisation induite par laser pulsé et continu
· Management optique (effet plasmonique, reflecteur…)
c) Nanomatériaux semi-conducteurs (Si, Ge) dans des matrices d’oxyde (SiOx, SiOxNy, HfOx) pour le photovoltaique ou les mémoires non-volatiles.
· Elaboration de nanoparticules de silicium ou germanium dans des matrices d’oxyde ou nitrure pour la conversion photonique
· Synthèse de nanocristaux de germanium dans des matrices diélectriques à faible (oxyde de silicium) et forte (nitrure de silicium, oxyde de hafnium) permittivité, par implantation ionique et recuit pour la rétention de charges dans les mémoires non-volatiles.
d) Matériaux a base d’oxydes pour le photovoltaîque
· Conversion photonique / Films d’oxydes transparents conducteurs (ZnO, SnO2, SrTiO3) par voies chimiques (sol-gel, précipitation, spray) ou physiques (PVD, PLD) et dopées aux terres rares Nd, Yt,
· Conversion photovoltaïque à base d’Oxyde Perovskite et multiferroique