Cursus Universitaire

29/02/ 1996   :    Habilitation à Diriger des Recherches (ULP, Strasbourg)

Jury : Pr. Gautier (ULP), Pr. Pinard (INSA-Lyon), Pr. Martinez (INSA-Toulouse), Pr. Laude (Univ. Mons, Belgique), Pr. Balladore (ENSPS, Strasbourg)          

06/09/ 1984   :   Doctorat de 3ème cycle (ULP , Strasbourg),

sujet : "Contribution à l’étude des propriétés structurales et électriques du Silicium hyperdopé obtenu par implantation et recuit laser pulsé" ;

Prix de l'Association ADRERUS

Jury : Pr. Baruch (Paris IV), Pr. Daniel (ULP), Dr. Siffert et J.C. Muller

06/ 1982         :   Diplôme d'Etudes Approfondies en Physique de la Matière Condensée

                           (ULP , Strasbourg), Mention  Bien

Stage : " Etude de la recombinaison des porteurs dans les photopiles au silicium"

06/ 1981         :   Maîtrise ès-Sciences Physiques , ULP , Strasbourg, Mention A. Bien

06/ 1979         :   DEUG A à l'Université Louis Pasteur (ULP),  Strasbourg

06/ 1977         :   Baccalaureat série Mathématiques (Meknès, Maroc)

Expérience professionnelle

1 Janv. 2017   :   Directeur Adjoint Scientifique INSIS-CNRS ; Resp. Cellule Energie du CNRS

1 Sept. 2009   :   Directeur de recherche CNRS, 1^ere classe, Laboratoire InESS puis ICUBE

1 Sept. 2004   :   Directeur de recherche CNRS, 2^ere classe, Laboratoire PHASE

1 Sept. 1990   :   Chargé de recherche CNRS, 1^ere classe, Laboratoire PHASE

06-12 / 1992   : Séjour 7 mois (an_92) à Stanford/USA et Oregon Graduate Inst. of Sci. & Tech. Portland/Oregon/USA

1 Sept. 1986   :   Chargé de recherche CNRS ,  2^ème classe, Laboratoire PHASE

04-05 / 1987   :  Séjour à LAMEL, CNR, Bologne, Italie, 1 mois (Avril 87)

01/85 – 09/86:   Chercheur contractuel ,

Lab.  PHysique et Application des Semi-conducteurs (PHASE), Strasbourg

Fonctions

Directeur Adjoint Scientifique INSIS  (Janv. >2017)

Responsable de la Cellule Energie du CNRS (Janv. >2017)

Directeur de la fédération de Recherche sur l’Energie Solaire (FeDESOL) (2015-2017)

Responsable de l’Equipe “Matériaux et Composants pour l’Electronique et le Photovoltaïques: MaCEPV” du laboratoire ICUBE (2009-2017)

Directeur de Recherche CNRS (2Cl. > 2004; 1Cl. > 2008)

Responsable de l’Equipe “Photovoltaïques » des laboratoires PHASE et InESS (1998-2009)

Chercheur associé à Oregon Grad. Inst. of Sci. & Tech. (OGIST), Portland, Oregon, (1992)

Visiting scientist à LAMEL, CNR, Bologne, Italie (1987)

Chargé de Recherche CNRS (>1986)

ACTIVITÉS DE RECHERCHE

a)  Synthèse de matériaux à base de silicium et développement de procédés pour l’élaboration de cellules photovoltaïques à haut rendement

·     Procédés innovants (émetteurs sélectifs, hétérojonctions, cellules  à contacts arrières) pour cellules photovoltaïques sur silicium en plaque très mince (~100µm) 

·     Cellules ultraminces à base de ruban (ANR Ruban solaire) ou de feuilles (foils) de silicium ; Corrélation entre propriétés structurales et optoélectroniques.

·     Cellules photovoltaïque tandem à base de InGaN/GaN ou CIGS sur silicium

·     Synthèse de chlatrates de silicium pour l’optoélectronique

b)   Synthèse de silicium cristallin en couches mince (<5µm) sur substrats céramiques ou verre, et leurs caractérisations opto-électronique et application comme cellules photovoltaïques

·     Si polycristallin par Cristallisation induite par métaux, en particulier d’aluminium

·     Si polycristallin par cristallisation induite par laser pulsé et continu

·     Management optique (effet plasmonique, reflecteur…)

c)   Nanomatériaux semi-conducteurs (Si, Ge) dans des matrices d’oxyde (SiO_x, SiO_xN_y, HfO_x) pour le photovoltaique ou les mémoires non-volatiles.

·     Elaboration de nanoparticules de silicium ou germanium dans des matrices d’oxyde ou nitrure pour la conversion photonique

·     Synthèse de nanocristaux de germanium dans des matrices diélectriques à faible (oxyde de silicium) et forte (nitrure de silicium, oxyde de hafnium) permittivité,  par implantation ionique et recuit pour la rétention de charges dans les mémoires non-volatiles.

d)  Matériaux a base d’oxydes pour le photovoltaîque

·     Conversion photonique / Films d’oxydes transparents conducteurs (ZnO, SnO2, SrTiO3) par voies chimiques (sol-gel, précipitation, spray) ou physiques (PVD, PLD) et dopées aux terres rares  Nd, Yt,

·     Conversion photovoltaïque à base d’Oxyde Perovskite et multiferroique