Vincent Paillard

Né le 15 janvier 1966 (56 ans), marié, deux enfants Carrière : 2003- : Professeur des Universités (UT3) 2021 : promotion PR EX2 2016 : promotion à la classe exceptionnelle (PR EX1) 2011 : promotion à la première classe (PR1) Depuis 2007 : affectation au CEMES 2003-2007 : affectation au laboratoire de physique des solides de Toulouse 1995-2003 : Maître de Conférences (UT3, laboratoire de physique des solides) 2001 : habilitation à diriger des recherches 2000 : promotion à la première classe des MdC 1995 : recrutement MdC 1994-95 : ATER (Ecole Centrale de Lyon, LEOM) 1993-94 : ATER (UCB - Lyon I, DPM) 1990-93 : Doctorant-Moniteur (UCB - Lyon I, DPM) Diplômes : Doctorat (1993, Lyon, sous la direction de P. Mélinon, prix 1994 de l’ED matériaux), DEA de sciences des matériaux et surfaces (1990, Lyon), Maîtrise de physique (1989, Lyon), Licence de physique (1988, Dijon). Responsabilités récentes : Coordinateur du projet ANR HiLight (2020-23) Responsable de la L3 physique (2016-21) Responsable du comité sciences de la matière (SDM) de l'UT3 (2020-21), responsable adjoint du comité SDM (2016-2020), et délégué du pôle de coordination de la recherche SDM à l'Université Fédérale de Toulouse (comue) (2016-21) Membre du bureau du collège scientifique Physique-SDU de l'UT3 et du groupe d'avancement PR (GAEC) (2022-). Membre du collège scientifique Physique-SDU de l'UT3 et du groupe d'avancement MCF (GAEC) (2018-21). Membre élu au département de physique de la FSI (2021-). Membre nommé au département de physique de la FSI (2012-), en qualité de resp. de formation (2012-20). Membre du comité exécutif de l’EUR NanoX (2019-). Membre de la commission recherche de l'UT3 (2016-2021), en qualité de resp. comité SDM. Membre de la commission scientifique de la Faculté des Sciences et Ingénierie (FSI) (2016-2021), en qualité de resp. comité SDM. Membre nommé au conseil de laboratoire (CEMES, 2007-2010 et 2016-2020) Encadrements doctoraux et post-doctoraux : cinq thèses (dont une en cours, une co-tutelle et une cifre), 6 post-doctorants (dont une bourse Marie Curie).

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Identifiants chercheurs

vincentpaillard
ResearcherId : A-9069-2010
Google Scholar : https://scholar.google.fr/citations?user=hYRnXIsAAAAJ&hl=fr
IdRef : 160845742
0000-0002-9085-0396
ResearcherId : http://www.researcherid.com/rid/A-9069-2010

	Effect of the order of He+ and H+ ion co-implantation on damage generation and thermal evolution of complexes, platelets, and blisters in silicon Nabil Daghbouj , Nikolay Cherkashin , François-Xavier Darras , Vincent Paillard , M. Fnaiech Journal of Applied Physics, 2016, 119 (13), pp.135308 - 245301. ⟨10.1063/1.4945032⟩ Article dans une revue hal-01719485v1
	Cyclic Deposition / Etch processes for the formation of Si raised sources and drains in advanced MOSFETs J.M. Hartmann , M. Py , P.H. Morel , T. Ernst , B. Prévitali ECS Transactions, 2010, 33 (6), pp.391-407. ⟨10.1149/1.3487570⟩ Article dans une revue hal-01736046v1
	On the influence of elastic strain on the accommodation of carbon atoms into substitutional sites in strained Si:C layers grown on Si substrates Nikolay Cherkashin , Martin Hÿtch , Florent Houdellier , Florian Hüe , Vincent Paillard Applied Physics Letters, 2009, 94 (14), pp.141910. ⟨10.1063/1.3116648⟩ Article dans une revue hal-00417300v1
	Materials science issues for the fabrication of nanocrystal memory devices by ultra low energy ion implantation Alain Claverie , Caroline Bonafos , Gérard Benassayag , Sylvie Schamm-Chardon , Nikolay Cherkashin Defect Diffus. Forum, 2006, 258-260, pp.531-541 Article dans une revue hal-00204809v1
	Si nanocrystals by ultra-low-energy ion beam-synthesis for non-volatile memory applications Caroline Bonafos , H. Coffin , Sylvie Schamm-Chardon , Nikolay Cherkashin , Gérard Benassayag Solid-State Electronics, 2005, 49 (11), pp.1734--1744. ⟨10.1016/j.sse.2005.10.001⟩ Article dans une revue hal-01736088v1
	Resonant Raman scattering of a single layer of Si nanocrystals on a silicon substrate A. Wellner , Vincent Paillard , H. Coffin , Nikolay Cherkashin , Caroline Bonafos Journal of Applied Physics, 2004, 96 (4), pp.2403-2405. ⟨10.1063/1.1765853⟩ Article dans une revue hal-01736095v1

Vincent Paillard

Publications

Effect of the order of He+ and H+ ion co-implantation on damage generation and thermal evolution of complexes, platelets, and blisters in silicon

Cyclic Deposition / Etch processes for the formation of Si raised sources and drains in advanced MOSFETs

On the influence of elastic strain on the accommodation of carbon atoms into substitutional sites in strained Si:C layers grown on Si substrates

Materials science issues for the fabrication of nanocrystal memory devices by ultra low energy ion implantation

Si nanocrystals by ultra-low-energy ion beam-synthesis for non-volatile memory applications

Resonant Raman scattering of a single layer of Si nanocrystals on a silicon substrate

Determination of strain within Si1-yCy layers grown by CVD on a Si substrate

Materials science issues for the fabrication of naocrystal memory devices by ultra low energy ion implantation