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227 résultats
nano-piezo-composites: from simulation to devices (invited)PiezoNEMS Workshop, Dec 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-02070450v1
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Semiconductor piezoelectric nanowires for mechanical energy harvesters and sensors (invited)Joint Workshop GDRi CNRS MECANO and GDR CNRS OXYFUN, Apr 2015, Louvain-La-Neuve, Belgium
Communication dans un congrès
hal-02071110v1
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Less mobility degradation induced by transverse electric-field in junctionless transistorsApplied Physics Letters, 2014, 105 (21), pp.213504. ⟨10.1063/1.4902549⟩
Article dans une revue
hal-01947627v1
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Full split C–V method for parameter extraction in ultra thin BOX FDSOI MOS devicesSolid-State Electronics, 2014, 99, pp.104-107. ⟨10.1016/j.sse.2014.04.039⟩
Article dans une revue
hal-01947620v1
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A demonstration of the mechanical sensing capability of individually contacted vertical piezoelectric nanowires arranged in matricesNano Energy, 2019, 56, pp.859-867. ⟨10.1016/j.nanoen.2018.11.088⟩
Article dans une revue
hal-02016438v1
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Nanowire-based piezoelectric transducers2014 MRS Spring Meeting, Symposium R : Materials Challenges and Integration Strategies foor Flexible Energy Devices ans Systems, L. Hu, G. Yu, L. Nyholm, H.D. Espinosa, R.Yang, Apr 2014, San Francisco, United States
Communication dans un congrès
hal-02016685v1
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PiezoNEMS pour les systèmes autonomes : des capteurs aux nanogénérateurs2014
Autre publication scientifique
hal-01078441v1
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Semiconductor nanowire based devices for energy and sensor applications2013 SPIE Microtechnologies: Technical Summaries, Apr 2013, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-01181259v1
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Finite element simulation of 2D percolating silicon-nanonet field-effect transistor2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Mar 2018, Granada, Spain. pp.165-168, ⟨10.1109/ULIS.2018.8354760⟩
Communication dans un congrès
hal-02016613v1
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Low-temperature electrical characterization of junctionless transistorsSolid-State Electronics, 2013, 80, pp.135-141
Article dans une revue
hal-02016366v1
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A Comparative Study of Surface-Roughness-Induced Variability in Silicon Nanowire and Double-Gate FETsIEEE Transactions on Electron Devices, 2011, 58 (8), pp.2274-2281. ⟨10.1109/TED.2011.2147318⟩
Article dans une revue
hal-02419609v1
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Nano-Newton Transverse Force Sensor Using a Vertical GaN Nanowire Based on Piezotronic Effect2013 Material Research Society Spring Meeting and exhibit, book of abstracts (2013 MRS Spring Meeting), Apr 2013, San Francisco, CA, United States. pp.TT4.10
Communication dans un congrès
hal-01078864v1
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Challenges in suspending CVD graphene: More than capillary effects2014 15th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), Apr 2014, Stockholm, Sweden. pp.33-36, ⟨10.1109/ULIS.2014.6813899⟩
Communication dans un congrès
hal-01182155v1
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Simulation TCAD du transis-tor Tri-Gate sur SOIJNRDM 16èmes Journées du Reseau Doctoral en Micro Nanoélectronique, Jun 2013, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-01024623v1
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Integrated Micro & Nano Devices for Energy Harvesting & ControlJournées NanoMicroTechnologies au service de l'Energie, Nov 2012, Lyon, France
Communication dans un congrès
hal-01060949v1
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Robust fabrication of suspended structures from CVD graphene (Oral Plenary)Graphene 2015, Mar 2015, Bilbao, Spain
Communication dans un congrès
hal-02067786v1
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Monte Carlo study of apparent magnetoresistance mobility in nanometer scale metal oxyde semiconductor field effect transistorsJournal of Applied Physics, 2008, 104 (4), pp.044504-1-7
Article dans une revue
hal-00391733v1
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FMNT - Federation on Micro Nano Technologies Grenoble Exposé invitéLETI Annual Review, Workshop Seeding Research, Jun 2009, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-00604963v1
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Simulation full-3D real-space NEGF du transport et du magnétotransport dans le FET à nanofil de SiliciumJNRDM 2009,, May 2009, Lyon, France
Communication dans un congrès
hal-00604958v1
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Electron mobility increase in submicronic transistors integrated on ultra thin membranes subjected to high mechanical stressApplied Physics Letters, 2010, 96, pp.092107:1-3
Article dans une revue
hal-00596190v1
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Experimental evidence and extraction of the electron mass variation in [110] uniaxially strained MOSFETsSolid-State Electronics, 2007, 51 (11-12), pp.1458-1465
Article dans une revue
hal-00393711v1
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High mechanical stress applied to FD-SOI transistors using ultra thin Silicon membranesInternational Semiconductor Conference, Oct 2009, Sinaia, Romania. pp.93-96
Communication dans un congrès
hal-00602999v1
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Evaluation of Vertical Integrated Nanogenerator Performances in FlexionJournal of Physics: Conference Series, 2013, 476 (1), pp.012006. ⟨10.1088/1742-6596/476/1/012006⟩
Article dans une revue
hal-01020861v1
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Ultrathin Nanogenerators as Self-Powered/Active Skin Sensors for Tracking Eye Ball MotionAdvanced Functional Materials, 2014, 24 (8), pp.1163-1168. ⟨10.1002/adfm.201301971⟩
Article dans une revue
istex
hal-01002242v1
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Electrical Transport characterization of nano CMOS devices with ultra-thin silicon film.to be published, IEEE Conference Proceedings (2009), 2009, kyoto, Japan
Communication dans un congrès
hal-00603879v1
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Full-3D real-space simulation of surface-roughness effects in double gate MOSFETsProceedings of IWCE 2009, IEEE Conference Proceedings CFP09462-PRT, ISBN 978-1-4244-3926-3, May 2009, Beijing, China. pp.309-312
Communication dans un congrès
hal-00603871v1
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AFM measurement of Young modulus and piezoelectricity on individual nanostructuresWorkshop on ``New trends in Electrical Scanning Probe Microscopies'', Oct 2010, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-00604966v1
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Nanonets semiconducteurs: de la conception à l'intégration en dispositifs électroniques pour la détection de biomoléculesJournées Nationales des Nanofils Semiconducteurs (J2N 2017), Nov 2017, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-02016901v1
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Simulations multi-échelles du transport quantique dans les DGMOS et dans les dispositifs résonnantsJournées "Simulation et caractérisation des nanocomposants" du GDR Nanoélectronique, 2006, GRENOBLE, France. pp.XX
Communication dans un congrès
hal-00148283v1
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Impact of WSix Metal Gate Stoichiometry on Fully Depleted SOI MOSFETs Electrical PropertiesInternational Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications (VLSI-TSA), 2006, Taiwan, Taiwan. pp.117-118
Communication dans un congrès
hal-00147166v1
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