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Advanced results on nitride-based HEMTs for microwave power amplification
Jean-Claude de Jaeger
,
Brahim Benbakhti
,
S. Boulay
,
N. Defrance
,
Christophe Gaquière
,
et al.
11th International Symposium on Microwave and Optical Technology, ISMOT-2007, Dec 2007, Monte Porzio Catone, Italy
Communication dans un congrès
hal-00367426v1
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Analysis of thermal effect influence in gallium-nitride-based TLM structures by means of a transport-thermal modeling
Brahim Benbakhti
,
Michel Rousseau
,
Ali Soltani
,
Jean-Claude de Jaeger
Article dans une revue
hal-00127943v1
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Efficient physical-thermal model for thermal effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Michel Rousseau
,
A. Soltani
,
Jean-Claude de Jaeger
Article dans une revue
hal-00787873v1
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Physical thermal investigation of GaN Gunn diode for THz wave source
Xing Tang
,
Michel Rousseau
,
Christophe Dalle
,
Jean-Claude de Jaeger
5èmes Journées Térahertz, 2009, Villeneuve d'Ascq, France
Communication dans un congrès
hal-00575449v1
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Conception et réalisation de transistors de type FP-HEMT AlGaN/GaN
J.C. Gerbedoen
,
A. Soltani
,
Michel Rousseau
,
N. Defrance
,
Y. Cordier
,
et al.
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.1D10-1-4
Communication dans un congrès
hal-00370331v1
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Mise en œuvre d'un modèle physique électrothermique pour la simulation de transistors à effet de champ de puissance
Brahim Benbakhti
,
Michel Rousseau
,
Matthieu Werquin
,
Jean-Claude de Jaeger
Actes des 14èmes Journées Nationales Microndes, May 2005, Nantes, France
Communication dans un congrès
hal-00126750v1
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Récents résultats et perspectives du laboratoire TIGER dans le domaine des composants HEMT AlGaN/GaN
Sylvain Laurent Delage
,
Marie-Antoinette Di Forte-Poisson
,
M. Magis
,
J. Di Persio
,
Didier Theron
,
et al.
14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France
Communication dans un congrès
hal-00126466v1
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2D-hydrodynamic energy model including breakdown phenomenon for power field effect transistor
Michel Rousseau
,
Jean-Claude de Jaeger
VLSI Systems Design, 2001, 13, pp.323-328
Article dans une revue
hal-00152593v1
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Two-dimensional hydrodynamic model including inertia effects in carrier momentum for power millimeter-wave semiconductor devices
Michel Rousseau
,
J.D. Delemer
,
Jean-Claude de Jaeger
,
F. Dessenne
Solid-State Electronics, 2003, 47, pp.1297-1309
Article dans une revue
hal-00146093v1
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Analytical transport model of AlGaN/GaN HEMT based on electrical and thermal measurement
Jean-Claude Jacquet
,
Raphaël Aubry
,
H. Gerard
,
E. Delos
,
Nathalie Rolland
,
et al.
12th European Gallium Arsenide and other compound semiconductors application symposium, Oct 2004, Amsterdam, Netherlands. pp.235-238
Communication dans un congrès
hal-00142308v1
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Investigation of the mechanism for TiN Schottky formation in AlGaN/GaN HEMTs
J.C. Gerbedoen
,
A. Soltani
,
H. Lahreche
,
M. Mattalah
,
Michel Rousseau
,
et al.
17th European Heterostructure Technology Workshop, HeTech'08, 2008, Venice, Italy
Communication dans un congrès
hal-00811733v1
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Modelling, fabrication and measurement of AlN based photodetectors
Hassan Ali Barkad
,
Ali Soltani
,
Michel Rousseau
,
Jean-Claude de Jaeger
19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide, Diamond 2008, Sep 2008, Sitges, Spain
Communication dans un congrès
hal-00811738v1
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Thermal behaviour of gate-less AlGaN/GaN heterostructures
Brahim Benbakhti
,
Michel Rousseau
,
Ali Soltani
,
Jacky Laureyns
,
Jean-Claude de Jaeger
Communication dans un congrès
hal-00284419v1
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Physical analysis of thermal effects on the optimization of GaN Gunn diodes
Xing Tang
,
Michel Rousseau
,
Christophe Dalle
,
Jean-Claude de Jaeger
Article dans une revue
hal-00473636v1
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Power performance of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on (110) silicon substrate at 40 GHz
A. Soltani
,
J.C. Gerbedoen
,
Y. Cordier
,
D. Ducatteau
,
Michel Rousseau
,
et al.
Article dans une revue
hal-00809856v1
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Physical-thermal modelling of GaN Gunn oscillations
Xing Tang
,
Michel Rousseau
,
Jean-Claude de Jaeger
4th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2009, 2009, Italy. pp.168-171
Communication dans un congrès
hal-00474493v1
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AlGaN/GaN HEMTs : technology and microwave performances
Jean-Claude de Jaeger
,
N. Caillas
,
E. Chartier
,
Gilles Dambrine
,
S. Delage
,
et al.
RF & Hyper Europe 2004, 2004, Paris, France
Communication dans un congrès
hal-00141961v1
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Implementation of a 2D electron-thermal model for power semiconductor devices simulation : application on gallium nitride
Brahim Benbakhti
,
Michel Rousseau
,
Jean-Claude de Jaeger
Comsol Multiphysics Conference, 2005, Paris, France
Communication dans un congrès
hal-00126464v1
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Analyse physique de transistors à effet de champ pour applications hyperfréquences, à l'aide de modèles macroscopiques bidimensionnels
Michel Rousseau
2007
Autre publication scientifique
hal-00285774v1
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Caractérisation en hyperfréquences et modélisation de Vias Traversant le Silicium pour l'intégration de puces tridimensionnelles
L. Cadix
,
A. Farcy
,
C. Bermond
,
C. Fuchs
,
F. Lorut
,
et al.
16èmes Journées Nationales Microondes, May 2009, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-00399927v1
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RF characterization and modeling of high density Through Silicon Vias for 3D chip stacking
L. Cadix
,
A. Farcy
,
C. Bermond
,
C. Fuchs
,
F. Lorut
,
et al.
18th Materials for Advanced Metallization Conf, Mar 2009, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-00399042v1
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AlGaN/GaN : processing and characterisation at TIGER laboratory
Raphaël Aubry
,
Damien Ducatteau
,
Erwan Morvan
,
B. Grimbert
,
Thierry Dean
,
et al.
13th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Applications Symposium, GAAS 2005, 2005, Paris, France
Communication dans un congrès
hal-00126465v1
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Analyse physique de transistors HEMTs AlGaN/GaN élaborés avec la technologie field plate
Brahim Benbakhti
,
Michel Rousseau
,
J-C Gerbedoen
,
Jean-Claude de Jaeger
10èmes Journées de la Matière Condensée, Aug 2006, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-00128165v1
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Etude physique des HEMTs à base de nitrure de gallium
M. Elkhou
,
Michel Rousseau
,
Jean-Claude de Jaeger
2003, pp.6A-1
Communication dans un congrès
hal-00146667v1
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Analyse physique et thermique des structures TLM AlGaN/GaN
Brahim Benbakhti
,
Michel Rousseau
,
Ali Soltani
,
Jean-Claude de Jaeger
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, May 2007, Toulouse, France. pp.9B3-1-4
Communication dans un congrès
hal-00370328v1
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Investigation of the negative differential resistance reproducibility in AlN/GaN double-barrier resonant tunnelling diodes
Mohamed Boucherit
,
Ali Soltani
,
Eva Monroy
,
Michel Rousseau
,
D. Deresmes
,
et al.
Article dans une revue
hal-00783409v1
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AlGaN/GaN high electron mobility transistors on diamond substrate obtained through aluminum nitride bonding technology
Mahmoud Abou Daher
,
Marie Lesecq
,
Pascal Tilmant
,
N. Defrance
,
Michel Rousseau
,
et al.
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, 2020, 38 (3), pp.033201. ⟨10.1116/1.5143418⟩
Article dans une revue
hal-02929037v1
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Dispersion properties and low infrared optical losses in epitaxial AlN on sapphire substrate in the visible and infrared range
Ali Soltani
,
Arnaud Stolz
,
Joël Charrier
,
Maghnia Mattalah
,
Jean-Claude Gerbedoen
,
et al.
Article dans une revue
hal-00987345v1
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Two-dimensional hydrodynamic model including inertia effects in carrier momentum for power millimetre-wave semi-conductor devices
Michel Rousseau
,
J.D. Delemer
,
Jean-Claude de Jaeger
,
F. Dessenne
Solid-State Electronics, 2003, 47, pp.1297-1309
Article dans une revue
hal-00146666v1
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Etude physique du phénomène de claquage dans les transistors à effet de champ à hétérojonctions
Michel Rousseau
,
M. Elkhou
,
Jean-Claude de Jaeger
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France
Communication dans un congrès
hal-00152652v1
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