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Effect of lithium fluoride addition on the sintering and dielectric properties of cerium oxide

 T. Toloshniak , Jérôme Bernard , Yannick Guhel , Anthony Besq , B. Boudart
14th International Conference European Ceramic Society, ECerS, Jun 2015, Toledo, Spain
Communication dans un congrès hal-01654183v1

Protection of InP EPI-ready wafers by controlled oxide growth

 D. Gallet , M. Gendry , G. Hollinger , A. Overs , G. Jacob , et al.
Journal of Electronic Materials, 1991, 20 (12), pp.963 - 965. ⟨10.1007/BF03030189⟩
Article dans une revue istex hal-01646866v1

State creation under gate-bias stress in polysilicon TFTs studied from the temperature-transfer characteristics behavior

 H. Toutah , Jean-François Llibre , B. Tala-Ighil , B. Boudart , T. Mohammed-Brahim
Thin Solid Films, 2003, 427 (1-2), pp.340 - 344. ⟨10.1016/S0040-6090(02)01209-9⟩
Article dans une revue istex hal-01647833v1

Total ionising dose effects on punch-through insulated gate bipolar transistors turn-on switching behaviour

 B. Tala-Ighil , A. Oukaour , H. Gualous , B. Boudart , B. Pouderoux , et al.
Microelectronics Reliability, 2011, 51 (9-11), pp.2010 - 2014. ⟨10.1016/j.microrel.2011.06.049⟩
Article dans une revue hal-01647883v1

Free carrier concentration in n-doped InP crystals determined by Raman scattering measurements

 B. Boudart , B. Prévot , Claude Schwab
European Materials Research Society, 1990, Strasbourg, France
Communication dans un congrès hal-01648095v1

Influence d'une passivation précédée d'un traitement de surface sur le comportement électrique en régime statique d'un HEMT AlGaN/GaN

 Y. Guhel , B. Boudart , N. Vellas , Christophe Gaquière , E. Delos , et al.
2003, pp.1D-11
Communication dans un congrès hal-00146690v1

Réalisation technologique de HEMTs sur GaN

 Y. Guhel , B. Boudart
Ecole Thématique sur les Nitrures d'Eléments III, 2000, Orcières-Merlette, France
Communication dans un congrès hal-00159033v1

Measurement of Self-Heating Temperature in AlGaN/GaN HEMTs by Using Cerium Oxide Micro-Raman Thermometers

 G. Brocero , Y. Guhel , P. Eudeline , J. Sipma , C. Gaquiere , et al.
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66 (10), pp.4156-4163. ⟨10.1109/TED.2019.2935335⟩
Article dans une revue hal-04408061v1

Reanalyse of an analytical model for one tidal turbine wake prediction

 O Lo Brutto , V T Nguyen , Sylvain Guillou , Hamid Gualous , B. Boudart
11th European Wave and Tidal Energy Conference, 2015, Nantes, France
Communication dans un congrès hal-01654186v1

Impact of low gamma radiation dose on electrical trap related effects in AlGaN/GaN HEMTs

 F. Berthet , Y. Guhel , B. Boudart , H. Gualous , J.L. Trolet , et al.
Electronics Letters, 2012, 48, pp.1078-1079. ⟨10.1049/el.2012.1966⟩
Article dans une revue hal-00788173v1

DC electrical performances improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low thermal neutron radiation dose

 Y. Guhel , B. Boudart , Christophe Gaquière , N. Vellas , J.L. Trolet , et al.
Electronics Letters, 2010, 46, pp.650-652. ⟨10.1049/el.2010.0070⟩
Article dans une revue hal-00549454v1

Développement d’une attaque chimique sélective entre GaAs et Al0.22Ga0.78As et application au creusement du fossé de grille d’un TEC de puissance

 X. Hue , B. Boudart , Y. Crosnier
7es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1999, Egat, France
Communication dans un congrès hal-01654470v1

Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures

 B. Boudart , Jean-François Llibre , D. Briand , Boubekeur Tala-Ighil , H. Toutah , et al.
13es Journées Nationales Microondes, 2003, Lille, France
Communication dans un congrès hal-01654259v1

Trap effects studies in GaN MESFETs by pulsed measurements

 S. Trassaert , B. Boudart , Christophe Gaquière , Didier Theron , Y. Crosnier , et al.
Electronics Letters, 1999, 35 (16), ⟨10.1049/el:19990887⟩
Article dans une revue hal-01647642v1

Self-heating temperature measurement in AlInN/GaN HEMTs by using CeO2 and TiO2 micro-raman thermometers

 R. Strenaer , Y. Guhel , G. Brocero , C. Gaquiere , B. Boudart
Microelectronics Reliability, 2022, 138, pp.114693. ⟨10.1016/j.microrel.2022.114693⟩
Article dans une revue hal-03842886v1
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Parasitic channel induced by an on-state stress in AlInN/GaN HEMTs

 S. Petitdidier , Y. Guhel , J. L. Trolet , P. Mary , Christophe Gaquière , et al.
Applied Physics Letters, 2017, 110 (16), ⟨10.1063/1.4980114⟩
Article dans une revue hal-01646149v1
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Investigation Properties of Pervious and Water-Retaining Recycled Concrete to Mitigate Urban Heat Island Phenomena

 Bechara Haddad , Hamzé Karaky , Mohamed Boutouil , Bertrand Boudart , Nassim Sebaibi
Sustainability, 2023, 15 (6), ⟨10.3390/su15065384⟩
Article dans une revue hal-04035103v1

Ageing defect detection on IGBT power modules by artificial training methods based on pattern recognition

 Amrane Oukaour , B. Tala-Ighil , B. Pouderoux , M. Tounsi , Mounira Bouarroudj-Berkani , et al.
Microelectronics Reliability, 2011, 51, pp.386-391
Article dans une revue hal-00869410v1

Properties of concretes incorporating crushed queen scallops for artificial reefs

 Héctor Cuadrado-Rica , Nassim Sebaibi , Mohamed Boutouil , B. Boudart
RECIF conference on artificial reefs: from materials to ecosystems, 2015, Caen, France
Communication dans un congrès hal-01653305v1

Examination of punch-through insulated gate bipolar transistors under high temperature gate bias and high temperature reverse bias stresses

 C.O. Maïga , Boubekeur Tala-Ighil , H. Toutah , B. Boudart
PCIM Europe 2005, 2005, Nuremberg, Germany
Communication dans un congrès hal-01651274v1

Determination of AlGaN/GaN power transistor junction temperature for radar applications

 Guillaume Brocero , Jean Pierre Sipma , Philippe Eudeline , Yannick Guhel , B. Boudart
21st International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications (MIKON), 2016, Cracovie, Poland
Communication dans un congrès hal-01654235v1

Mesure de charges d’espace par la méthode de l’onde thermique alternative dans le polycarbonate après implantation ionique

 Laurent Salles , J M Reboul , B. Boudart , Denis Busardo
10e Conférence de la Société Française d’Electrostatique, 2014, Toulouse, France
Communication dans un congrès hal-01654274v1

PWM power cycling test for IGBT modules operating at ambient temperature

 Mohamed Tounsi , Amrane Oukaour , Boubekeur Tala-Ighil , B. Pouderoux , B. Boudart , et al.
4th International Conference on Accelerated Life Testing and Degradation Models: Industry, Medicine, and Social Science, 2012, Rennes, France
Communication dans un congrès hal-01653101v1

Compensation uniformity of InP:Fe as probed by electron paramagnetic resonance

 B. Boudart , Bernard Meyer , Claude Schwab , R. Coquille , M. Gauneau
European Materials Research Society, 1990, Strasbourg, France
Communication dans un congrès hal-01648085v1

Premiers résultats de MESFET's GaN réalisés sur substrat slicium (111)

 Virginie Hoel , Y. Guhel , B. Boudart , Christophe Gaquière , Jean-Claude de Jaeger , et al.
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
Communication dans un congrès hal-00152908v1

Comportement électrique à haute température de transistors HEMT's AlGaN/GaN

 Y. Guhel , B. Boudart , Virginie Hoel , M. Werquin , Christophe Gaquière , et al.
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France
Communication dans un congrès hal-00152651v1

Etude de HEMTs sur GaN

 B. Boudart , Christophe Gaquière , Y. Guhel , Virginie Hoel , N. Vellas , et al.
GDR Matériaux Grand Gap, 2001, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-00152669v1

Characterisation of GaN FETs under pulsed conditions : DC and RF measurements from room temperature up to 250°C

 D. Theron , Christophe Gaquière , N. Vellas , B. Boudart , Y. Guhel , et al.
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2001, 2001, New Orleans, LA, United States
Communication dans un congrès hal-00152673v1

Effects of high temperature on the electrical behavior of AlGaN/GaN HEMTs

 Y. Guhel , B. Boudart , Virginie Hoel , M. Werquin , Christophe Gaquière , et al.
Microwave and Optical Technology Letters, 2002, 34, pp.4-6
Article dans une revue hal-00149695v1

Pulsed measurements of GaN MESFET

 B. Boudart , S. Trassaert , Christophe Gaquière , Didier Theron , Y. Crosnier , et al.
GAAS 99, 1999, Munich, Germany
Communication dans un congrès hal-01649413v1
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